公开(公告)号：KR20200136809A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：KR20200012990

申请日：2020-02-04

Applicant: APPLE INC

Inventor： CURRAN JAMES A ,  MINTZ TODD S ,  MCDONALD DANIEL T

IPC: C25D11/26 ,  B32B7/12 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H05K5/00

Abstract: 본출원은휴대용전자디바이스용인클로저를형성하는방법에관한것이다. 인클로저는제1 b* 값을갖는금속기판을포함한다. 방법은금속기판위에놓이고그로부터형성되는양극산화된층을형성하는단계를포함하고, 양극산화된층은제1 b* 값의 0.3 이하이고제1 *b 값보다 0.3 이상적은제2 b* 값을갖는다.

公开(公告)号：DE102024128142A1

公开(公告)日：2025-04-03

申请号：DE102024128142

申请日：2024-09-27

Applicant: APPLE INC

Inventor： WANG ALBERT ,  MINTZ TODD S ,  MORSE BENJAMIN ,  GRAHAM CHRISTOPHER S ,  ZHOU ERIC X ,  LARSSON KARL RUBEN FREDRIK ,  BRODINE NICHOLAS S

IPC: H01H1/60 ,  H01H9/54 ,  H02J7/00

Abstract: Elektrische Felder, die zur Korrosion von Kontakten führen können, können durch Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kompensiert werden. Beispielsweise können Spannungswellenformen an den Kontakten so gestaltet werden, dass sie einen Mittelwert von null Volt aufweisen und somit insgesamt kein elektrisches Feld erzeugen. Galvanische Spannungen, die durch die von einem Kontakt und einem Gehäuse verwendeten unterschiedlichen Metalle erzeugt werden, können ein elektrisches Feld erzeugen, und durch das galvanische elektrische Feld verursachte Ströme können durch kapazitive Kopplung der Kontakte an ihre entsprechenden Schaltungen blockiert werden.