公开(公告)号：AU2021103713A4

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：AU2021103713

申请日：2021-06-29

Applicant: APPLE INC

Inventor： PARK JAE Y ,  LAFLAQUIERE ARNAUD ,  VEROVE CHRISTOPHE ,  TAN FEI

IPC: H01L33/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/183

Abstract: An optoelectronic device includes a carrier substrate (22), with a lower distributed Bragg reflector (DBR) stack (24) disposed on an area of the substrate and including alternating first 5 dielectric and semiconductor layers. A set of epitaxial layers (26, 28, 30, 31, 34) is disposed over the lower DBR, wherein the set of epitaxial layers includes one or more Il-V semiconductor materials and defines a quantum well structure (28) and a confinement layer (31). An upper DBR stack (38) is disposed over the set of epitaxial layers and includes alternating second dielectric and semiconductor layers. Electrodes (40, 42) are coupled to apply an excitation current to the 10 quantum well structure. n -36

公开(公告)号：DE102024127592A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102024127592

申请日：2024-09-24

Applicant: APPLE INC

Inventor： QIAO PENGFEI ,  TAN FEI ,  CHEN TONG ,  DU QINGHONG ,  JOSHI SIDDHARTH ,  HOTELLIER NICOLAS ,  HEIN ALEXANDER ,  DELEAN PIERRE-ANTOINE

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/026

Abstract: Die hierin beschriebenen Ausführungsformen schließen eine optoelektronische Sensorvorrichtung mit einem oberflächenemittierenden Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSEL), einem Resonanzhohlraum-Fotodetektor (RCPD) und einem Tunnelübergang ein. Der VCSEL ist zumindest teilweise durch einen ersten Satz von Halbleiterschichten definiert, die auf einem Substrat angeordnet sind. Der erste Satz von Halbleiterschichten schließt einen ersten aktiven Bereich ein. Der VCSEL ist so konfiguriert, dass er bei Anlegen einer ersten Vorspannung Laserlicht in Richtung des Substrats emittiert und bei Empfang von Reflexionen oder Rückstreuungen davon eine Selbstmischungsinterferenz erfährt. Der RCPD grenzt vertikal an den VCSEL und wird zumindest teilweise durch einen zweiten Satz von Halbleiterschichten definiert, die auf dem Substrat angeordnet sind. Der zweite Satz von Halbleiterschichten schließt einen zweiten aktiven Bereich ein. Der RCPD ist so konfiguriert, dass er beim Anlegen einer zweiten Vorspannung die Selbstmischungsinterferenz erkennt. Der Tunnelübergang ist zwischen dem ersten aktiven Bereich und dem zweiten aktiven Bereich angeordnet.

公开(公告)号：AU2021103713B4

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：AU2021103713

申请日：2021-06-29

Applicant: APPLE INC

Inventor： PARK JAE Y ,  LAFLAQUIERE ARNAUD ,  VEROVE CHRISTOPHE ,  TAN FEI

IPC: H01L33/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/183

Abstract: An optoelectronic device includes a carrier substrate (22), with a lower distributed Bragg reflector (DBR) stack (24) disposed on an area of the substrate and including alternating first 5 dielectric and semiconductor layers. A set of epitaxial layers (26, 28, 30, 31, 34) is disposed over the lower DBR, wherein the set of epitaxial layers includes one or more Il-V semiconductor materials and defines a quantum well structure (28) and a confinement layer (31). An upper DBR stack (38) is disposed over the set of epitaxial layers and includes alternating second dielectric and semiconductor layers. Electrodes (40, 42) are coupled to apply an excitation current to the 10 quantum well structure.