公开(公告)号：CN102412145A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110348426.2

申请日：2011-09-02

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 洪国维 ,  清水亮 ,  难波邦年 ,  李禹镇

IPC: H01L21/3215

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 在具有图案化表面的衬底上形成具有Si-N键的共形介电薄膜的方法包括：向反应空间中导入反应气体；以小于5秒历时的脉冲向该反应空间中导入硅前驱物；在硅前驱物的脉冲期间向该反应空间施加第一RF功率；在硅前驱物脉冲的间隔期间向该反应空间施加第二RF功率，其中硅前驱物脉冲的间隔期间的第二RF功率的平均强度比硅前驱物脉冲期间的第一RF功率的平均强度要大；以及重复该周期以在衬底的图案化表面上形成所需厚度的具有Si-N键的共形介电薄膜。