公开(公告)号：CN103000551B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210201995.9

申请日：2012-06-06

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 森幸弘 ,  山岸孝之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/32265 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742

Abstract: 一种晶片加工设备，包括：在同一平面上具有用于加工晶片的相同容量的八个或十个反应器，它们构成四个或五个分立的单元，每个单元具有两个并排设置的反应器，反应器的前部对准在一条线上；晶片传送腔室，晶片传送腔室包括两个晶片传送自动机械臂，它们都具有至少两个终端受动器；加载锁定腔室；以及定序器，该定序器使用两个晶片传送自动机械臂来执行从单元中的任一个卸载加工好的晶片/将未加工的晶片加载到单元中的任一个的步骤以及在晶片位于单元中的一个内的同时依次从所有其它对应的单元卸载加工好的晶片/将未加工的晶片加载到所有其它对应的单元的步骤。

公开(公告)号：CN103000551A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210201995.9

申请日：2012-06-06

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 森幸弘 ,  山岸孝之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/32265 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742

Abstract: 一种晶片加工设备，包括：在同一平面上具有用于加工晶片的相同容量的八个或十个反应器，它们构成四个或五个分立的单元，每个单元具有两个并排设置的反应器，反应器的前部对准在一条线上；晶片传送腔室，晶片传送腔室包括两个晶片传送自动机械臂，它们都具有至少两个终端受动器；加载锁定腔室；以及定序器，该定序器使用两个晶片传送自动机械臂来执行从单元中的任一个卸载加工好的晶片/将未加工的晶片加载到单元中的任一个的步骤以及在晶片位于单元中的一个内的同时依次从所有其它对应的单元卸载加工好的晶片/将未加工的晶片加载到所有其它对应的单元的步骤。

公开(公告)号：CN101552219B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200910008024.0

申请日：2009-02-19

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 泷泽正浩 ,  诹访田雅荣 ,  赤川真佐之

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/68707 ,  H01L21/681 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136

Abstract: 一种半导体处理设备包括：晶片传送室；晶片处理室；晶片传送装置；在晶片传送室内、晶片处理室前的一个位置设置的第一光电传感器，在所述位置，位于准备装载位置的晶片部分地阻挡由第一光电传感器接收的光，并且当晶片在X轴方向从所述准备装载位置朝向晶片处理室移动时，所述晶片基本完全地阻挡由第一光电传感器接收的光；以及在晶片传送室内、晶片处理室前的一个位置放置的第二光电传感器，在所述位置，位于准备装载位置的晶片不阻挡由第二光电传感器接收的光，并且当晶片在X轴方向从准备装载位置朝向晶片处理室移动时，所述晶片部分阻挡由第二光电传感器接收的光。

公开(公告)号：CN101373375A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810137676.X

申请日：2008-07-08

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 泷泽正浩 ,  石谷一义

IPC: G05B19/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: F16K51/02

Abstract: 一种方法控制一种设备比如半导体处理设备，该半导体处理设备包含控制器和由该控制器控制的至少一个装置，其中该控制器配备有用于与该装置通信的接口，而且该接口具有用于测量通信的时间间隔的内部时钟。该方法包含：将控制器的操作系统的系统时钟替换为该接口的内部时钟，该系统时钟用于发送指令到该接口；使用由替代该系统时钟的该内部时钟所测量的时间间隔，从该控制器发送指令到该接口；以及使用由接口中的内部时钟所测量的时间间隔，从该接口发送指令到该装置，从而控制该装置。

公开(公告)号：CN101552219A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910008024.0

申请日：2009-02-19

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 泷泽正浩 ,  诹访田雅荣 ,  赤川真佐之

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/68707 ,  H01L21/681 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136

Abstract: 一种半导体处理设备包括：晶片传送室；晶片处理室；晶片传送装置；在晶片传送室内、晶片处理室前的一个位置设置的第一光电传感器，在所述位置，位于准备装载位置的晶片部分地阻挡由第一光电传感器接收的光，并且当晶片在X轴方向从所述准备装载位置朝向晶片处理室移动时，所述晶片基本完全地阻挡由第一光电传感器接收的光；以及在晶片传送室内、晶片处理室前的一个位置放置的第二光电传感器，在所述位置，位于准备装载位置的晶片不阻挡由第二光电传感器接收的光，并且当晶片在X轴方向从准备装载位置朝向晶片处理室移动时，所述晶片部分阻挡由第二光电传感器接收的光。

公开(公告)号：CN101463473B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200810178790.7

申请日：2008-12-01

Applicant: ASM日本公司

Inventor： R·纳卡诺 ,  H·弗库达

IPC: C23C16/513 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/505

Abstract: 用于等离子体化学气相沉积(CVD)的方法与装置。特别是，具有清洗功能的等离子体CVD装置具有改进的喷淋板，该喷淋板的孔具有相同的横截面面积以产生高清洗速度。所述喷淋板可以用作电极，并且可以具有连接到电源的导电延伸部。清洗气体和反应气源从中流过的喷淋板可以包括孔加工表面区域，该孔加工表面区域的尺寸与传统用于确保沉积过程期间良好的膜厚均匀性的区域尺寸不同。所述孔加工表面区域可以基于待处理衬底的尺寸或喷淋板的整个表面的尺寸而变化。

公开(公告)号：CN101463473A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810178790.7

申请日：2008-12-01

Applicant: ASM日本公司

Inventor： R·纳卡诺 ,  H·弗库达

IPC: C23C16/513 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/505

Abstract: 用于等离子体化学气相沉积(CVD)的方法与装置。特别是，具有清洗功能的等离子体CVD装置具有改进的喷淋板，该喷淋板的孔具有相同的横截面面积以产生高清洗速度。所述喷淋板可以用作电极，并且可以具有连接到电源的导电延伸部。清洗气体和反应气源从中流过的喷淋板可以包括孔加工表面区域，该孔加工表面区域的尺寸与传统用于确保沉积过程期间良好的膜厚均匀性的区域尺寸不同。所述孔加工表面区域可以基于待处理衬底的尺寸或喷淋板的整个表面的尺寸而变化。

公开(公告)号：CN102412145A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110348426.2

申请日：2011-09-02

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 洪国维 ,  清水亮 ,  难波邦年 ,  李禹镇

IPC: H01L21/3215

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 在具有图案化表面的衬底上形成具有Si-N键的共形介电薄膜的方法包括：向反应空间中导入反应气体；以小于5秒历时的脉冲向该反应空间中导入硅前驱物；在硅前驱物的脉冲期间向该反应空间施加第一RF功率；在硅前驱物脉冲的间隔期间向该反应空间施加第二RF功率，其中硅前驱物脉冲的间隔期间的第二RF功率的平均强度比硅前驱物脉冲期间的第一RF功率的平均强度要大；以及重复该周期以在衬底的图案化表面上形成所需厚度的具有Si-N键的共形介电薄膜。

公开(公告)号：TWI570831B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW101124745

申请日：2012-07-10

Applicant: ASM日本公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 荘司文孝 ,  SHOJI, FUMITAKA ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6875 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/5096

公开(公告)号：TWI523103B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW100130472

申请日：2011-08-25

Applicant: ASM日本公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 洪國維 ,  HONG, KUO WEI ,  清水亮 ,  SHIMIZU, AKIRA ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI ,  李禹鎮 ,  LEE, WOO-JIN

IPC: H01L21/314

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228