公开(公告)号：CN101463473B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200810178790.7

申请日：2008-12-01

Applicant: ASM日本公司

Inventor： R·纳卡诺 ,  H·弗库达

IPC: C23C16/513 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/505

Abstract: 用于等离子体化学气相沉积(CVD)的方法与装置。特别是，具有清洗功能的等离子体CVD装置具有改进的喷淋板，该喷淋板的孔具有相同的横截面面积以产生高清洗速度。所述喷淋板可以用作电极，并且可以具有连接到电源的导电延伸部。清洗气体和反应气源从中流过的喷淋板可以包括孔加工表面区域，该孔加工表面区域的尺寸与传统用于确保沉积过程期间良好的膜厚均匀性的区域尺寸不同。所述孔加工表面区域可以基于待处理衬底的尺寸或喷淋板的整个表面的尺寸而变化。

公开(公告)号：CN101463473A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810178790.7

申请日：2008-12-01

Applicant: ASM日本公司

Inventor： R·纳卡诺 ,  H·弗库达

IPC: C23C16/513 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/505

Abstract: 用于等离子体化学气相沉积(CVD)的方法与装置。特别是，具有清洗功能的等离子体CVD装置具有改进的喷淋板，该喷淋板的孔具有相同的横截面面积以产生高清洗速度。所述喷淋板可以用作电极，并且可以具有连接到电源的导电延伸部。清洗气体和反应气源从中流过的喷淋板可以包括孔加工表面区域，该孔加工表面区域的尺寸与传统用于确保沉积过程期间良好的膜厚均匀性的区域尺寸不同。所述孔加工表面区域可以基于待处理衬底的尺寸或喷淋板的整个表面的尺寸而变化。