公开(公告)号：TW477075B

公开(公告)日：2002-02-21

申请号：TW089125936

申请日：2001-02-12

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 馬吉M 曼蘇

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/2807

Abstract: 一種沉積包含矽鍺層之閘極疊層的方法。本發明提供一種於閘極介電質上形成矽鍺閘極的方法與結構。一多晶矽潤濕薄層不但可作為氧化矽介電層的連續覆蓋也可降低矽鍺層的形成時間。連續性的潤濕層將獲致均勻平坦地厚閘極結構。同時，此多晶矽潤濕層可達到夠薄以使分離鍺至電極與氧化層的界面所需之熱需降至最低，以及提供晶界擴散以幫助鍺擴散。而且多晶矽潤濕層、矽鍺層與一之後形成的矽頂蓋層均可在大氣壓力下臨場形成。

Abstract in simplified Chinese: 一种沉积包含硅锗层之闸极叠层的方法。本发明提供一种于闸极介电质上形成硅锗闸极的方法与结构。一多晶硅润湿薄层不但可作为氧化硅介电层的连续覆盖也可降低硅锗层的形成时间。连续性的润湿层将获致均匀平坦地厚闸极结构。同时，此多晶硅润湿层可达到够薄以使分离锗至电极与氧化层的界面所需之热需降至最低，以及提供晶界扩散以帮助锗扩散。而且多晶硅润湿层、硅锗层与一之后形成的硅顶盖层均可在大气压力下临场形成。