公开(公告)号：TWI520227B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW101117601

申请日：2012-05-17

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA INC.

Inventor： 包爾 馬提亞斯 ,  BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI457983B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW097115888

申请日：2008-04-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根 羅伯特B. ,  MILLIGAN, ROBERT B.

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L21/76843

公开(公告)号：TWI404123B

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW096118850

申请日：2007-05-25

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 ,  BAUER, MATTHIAS ,  威克斯 基斯 多倫 ,  WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201113390A

公开(公告)日：2011-04-16

申请号：TW099127595

申请日：2010-08-18

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 雪洛 艾立克J ,  維埃茲 莫西斯 ,  梅斯 強 威廉

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31645

Abstract: 本文提供藉由原子層沈積形成含氧薄膜的方法。所述含氧薄膜可以藉由將向反應空間中之基板提供濃度較高之水脈衝、較高之反應空間水分壓及/或較高水流速沈積而成。含氧薄膜可以例如用作電晶體、電容器、積體電路及其他半導體應用中之介電氧化物。

Abstract in simplified Chinese: 本文提供借由原子层沉积形成含氧薄膜的方法。所述含氧薄膜可以借由将向反应空间中之基板提供浓度较高之水脉冲、较高之反应空间水分压及/或较高水流速沉积而成。含氧薄膜可以例如用作晶体管、电容器、集成电路及其他半导体应用中之介电氧化物。

公开(公告)号：TW201000667A

公开(公告)日：2010-01-01

申请号：TW098112674

申请日：2009-04-16

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 李東 ,  馬庫斯 史蒂芬 ,  賀加 蘇維P ,  林偉民

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/4966

Abstract: 所提供的為形成金屬碳化物膜的方法。在一些實施例中，基板可暴露於過渡金屬物種與鋁烴化合物的多個交替脈衝，其中鋁烴化合物例如是TMA、DMAH或TEA。藉由選擇鋁烴化合物可以實現具有多個所需特性的金屬碳化物膜，例如鋁濃度、電阻、附著性與抗氧化性。在一些實施例中，可使用上述方法形成金屬碳化物層，以決定快閃記憶體中控制閘的功函數。

Abstract in simplified Chinese: 所提供的为形成金属碳化物膜的方法。在一些实施例中，基板可暴露于过渡金属物种与铝烃化合物的多个交替脉冲，其中铝烃化合物例如是TMA、DMAH或TEA。借由选择铝烃化合物可以实现具有多个所需特性的金属碳化物膜，例如铝浓度、电阻、附着性与抗氧化性。在一些实施例中，可使用上述方法形成金属碳化物层，以决定闪存中控制闸的功函数。

公开(公告)号：TW200952073A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：TW098121433

申请日：2003-07-30

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 赫洛 艾瑞克J ,  吉文斯 麥克E ,  史密特 萊恩

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4483

Abstract: 本發明提供一種昇華系統，包括多個導引結構，一種紅外線感測器封裝包括一介電支撐體，作為氣體反應物的固體原料係大面積地覆蓋於支撐媒介上。藉由導引結構可以使固體原料重複地飽和於載氣中。另外，本發明還提供利用導引結構使載氣飽和的方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种升华系统，包括多个导引结构，一种红外线传感器封装包括一介电支撑体，作为气体反应物的固体原料系大面积地覆盖于支撑媒介上。借由导引结构可以使固体原料重复地饱和于载气中。另外，本发明还提供利用导引结构使载气饱和的方法。

公开(公告)号：TW200831698A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096137980

申请日：2007-10-11

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 樊都魯黎亞 凱爾 FONDURULIA, KYLE ,  雪洛 艾立克 SHERO, ERIC ,  莫西斯 維埃茲E. VERGHESE, MOHITH E. ,  懷特 卡爾L. WHITE, CARL L.

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4402

Abstract: 一種前驅體源容器,其包括容器本體、位於容器本體內的通道以及安裝至本體表面的閥。內部腔體適合於盛裝化學反應物,且通道從本體外側延伸至腔體。閥調控流經通道的流體。容器具有入口閥及出口閥,可能還包括用於排除內部氣體的排氣閥。外部氣體分配盤可包括至少一個流體置於出口閥與基板反應室之間的閥。每一氣體分配閥可位於一平面上,此平面與容器的平表面大致平行,且與容器的平表面間距不超過10cm。容器蓋體或壁內的過濾器濾除流經容器的閥的氣流。快速連接組件使容器與氣體分配盤能快速且容易地連結。

Abstract in simplified Chinese: 一种前驱体源容器,其包括容器本体、位于容器本体内的信道以及安装至本体表面的阀。内部腔体适合于盛装化学反应物,且信道从本体外侧延伸至腔体。阀调控流经信道的流体。容器具有入口阀及出口阀,可能还包括用于排除内部气体的排气阀。外部气体分配盘可包括至少一个流体置于出口阀与基板反应室之间的阀。每一气体分配阀可位于一平面上,此平面与容器的平表面大致平行,且与容器的平表面间距不超过10cm。容器盖体或壁内的过滤器滤除流经容器的阀的气流。快速连接组件使容器与气体分配盘能快速且容易地链接。

公开(公告)号：TW200808995A

公开(公告)日：2008-02-16

申请号：TW096119274

申请日：2007-05-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  溫建青 WEN, JIANQING

IPC: C23C ,  C30B ,  H01L

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 在選擇性沈積薄膜之方法以及系統帤使用氯化聚矽烷,述薄膜可用於製造諸如微電子及/或微機電系統(MEMS)之各種裝置。

Abstract in simplified Chinese: 在选择性沉积薄膜之方法以及系统帤使用氯化聚硅烷,述薄膜可用于制造诸如微电子及/或微机电系统(MEMS)之各种设备。

公开(公告)号：TW200731355A

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：TW095147892

申请日：2006-12-20

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 一種沈積摻雜碳之磊晶半導體層(30)之方法包括在容納具有暴露的單晶材料(20)之經圖案化的基板(10)之處理腔室(122)中維持大於約700托之壓力。此方法更包括提供矽源氣體之流動至處理腔室(122)。矽源氣體包括二氯矽烷。此方法更包括提供碳前驅物(132)之流動至處理腔室(122)。此方法更包括選擇性地將摻雜碳之磊晶半導體層(30)沈積於暴露的單晶材料(20)上。

Abstract in simplified Chinese: 一种沉积掺杂碳之磊晶半导体层(30)之方法包括在容纳具有暴露的单晶材料(20)之经图案化的基板(10)之处理腔室(122)中维持大于约700托之压力。此方法更包括提供硅源气体之流动至处理腔室(122)。硅源气体包括二氯硅烷。此方法更包括提供碳前驱物(132)之流动至处理腔室(122)。此方法更包括选择性地将掺杂碳之磊晶半导体层(30)沉积于暴露的单晶材料(20)上。

公开(公告)号：TW200710950A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095103696

申请日：2006-02-03

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  布蘭特 保羅 BRABANT, PAUL ,  義特理諾 喬瑟分 ITALIANO, JOSEPH ,  雅各布森 保羅 JACOBSON, PAUL ,  威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本發明中透過化學氣相沉積,利用丙矽烷和一含鹵素蝕刻劑源(例如氯)來在選定的混合基板區域上選擇性地沉積含Si薄膜。摻雜物源可與所述丙矽烷及所述蝕刻劑源混合,以選擇性地沉積摻雜的含Si薄膜。所述選擇性沉積方法可應用於各種用途,例如應用在半導體製造中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明中透过化学气相沉积,利用丙硅烷和一含卤素蚀刻剂源(例如氯)来在选定的混合基板区域上选择性地沉积含Si薄膜。掺杂物源可与所述丙硅烷及所述蚀刻剂源混合,以选择性地沉积掺杂的含Si薄膜。所述选择性沉积方法可应用于各种用途,例如应用在半导体制造中。