公开(公告)号：TWI307912B

公开(公告)日：2009-03-21

申请号：TW091111438

申请日：2002-05-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 保羅D 博拉班特 PAUL D. BRABANT ,  喬P 伊塔利安諾 JOE P. KTALIANO

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/30 ,  C30B31/00 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一種低溫快速烘烤以在就地沈積前去除半導體表面雜質的方法。有利地,時間短、低溫方法消耗很少的熱預算,使得本方法更適合具淺接面之高密度電路,此外由於低溫烘烤,尤其合併烘烤前的低溫電漿清潔及低溫晶圓置入,以及烘烤後在低於傳統磊晶沈積溫度的溫度下沈積,能使產能大幅提昇。本發明能在半導體表面上磊晶沈積含矽層,尤其能在矽鍺基極層上進行磊晶沈積,利用低溫烘烤可以清潔矽鍺基極層,以更有助於磊晶沈積,然而矽鍺的受應力結晶結構不會鬆散。

Abstract in simplified Chinese: 一种低温快速烘烤以在就地沉积前去除半导体表面杂质的方法。有利地,时间短、低温方法消耗很少的热预算,使得本方法更适合具浅接面之高密度电路,此外由于低温烘烤,尤其合并烘烤前的低温等离子清洁及低温晶圆置入,以及烘烤后在低于传统磊晶沉积温度的温度下沉积,能使产能大幅提升。本发明能在半导体表面上磊晶沉积含硅层,尤其能在硅锗基极层上进行磊晶沉积,利用低温烘烤可以清洁硅锗基极层,以更有助于磊晶沉积,然而硅锗的受应力结晶结构不会松散。