公开(公告)号：TW200831698A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096137980

申请日：2007-10-11

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 樊都魯黎亞 凱爾 FONDURULIA, KYLE ,  雪洛 艾立克 SHERO, ERIC ,  莫西斯 維埃茲E. VERGHESE, MOHITH E. ,  懷特 卡爾L. WHITE, CARL L.

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4402

Abstract: 一種前驅體源容器,其包括容器本體、位於容器本體內的通道以及安裝至本體表面的閥。內部腔體適合於盛裝化學反應物,且通道從本體外側延伸至腔體。閥調控流經通道的流體。容器具有入口閥及出口閥,可能還包括用於排除內部氣體的排氣閥。外部氣體分配盤可包括至少一個流體置於出口閥與基板反應室之間的閥。每一氣體分配閥可位於一平面上,此平面與容器的平表面大致平行,且與容器的平表面間距不超過10cm。容器蓋體或壁內的過濾器濾除流經容器的閥的氣流。快速連接組件使容器與氣體分配盤能快速且容易地連結。

Abstract in simplified Chinese: 一种前驱体源容器,其包括容器本体、位于容器本体内的信道以及安装至本体表面的阀。内部腔体适合于盛装化学反应物,且信道从本体外侧延伸至腔体。阀调控流经信道的流体。容器具有入口阀及出口阀,可能还包括用于排除内部气体的排气阀。外部气体分配盘可包括至少一个流体置于出口阀与基板反应室之间的阀。每一气体分配阀可位于一平面上,此平面与容器的平表面大致平行,且与容器的平表面间距不超过10cm。容器盖体或壁内的过滤器滤除流经容器的阀的气流。快速连接组件使容器与气体分配盘能快速且容易地链接。

公开(公告)号：TW200808995A

公开(公告)日：2008-02-16

申请号：TW096119274

申请日：2007-05-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  溫建青 WEN, JIANQING

IPC: C23C ,  C30B ,  H01L

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 在選擇性沈積薄膜之方法以及系統帤使用氯化聚矽烷,述薄膜可用於製造諸如微電子及/或微機電系統(MEMS)之各種裝置。

Abstract in simplified Chinese: 在选择性沉积薄膜之方法以及系统帤使用氯化聚硅烷,述薄膜可用于制造诸如微电子及/或微机电系统(MEMS)之各种设备。

公开(公告)号：TW200731355A

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：TW095147892

申请日：2006-12-20

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 一種沈積摻雜碳之磊晶半導體層(30)之方法包括在容納具有暴露的單晶材料(20)之經圖案化的基板(10)之處理腔室(122)中維持大於約700托之壓力。此方法更包括提供矽源氣體之流動至處理腔室(122)。矽源氣體包括二氯矽烷。此方法更包括提供碳前驅物(132)之流動至處理腔室(122)。此方法更包括選擇性地將摻雜碳之磊晶半導體層(30)沈積於暴露的單晶材料(20)上。

Abstract in simplified Chinese: 一种沉积掺杂碳之磊晶半导体层(30)之方法包括在容纳具有暴露的单晶材料(20)之经图案化的基板(10)之处理腔室(122)中维持大于约700托之压力。此方法更包括提供硅源气体之流动至处理腔室(122)。硅源气体包括二氯硅烷。此方法更包括提供碳前驱物(132)之流动至处理腔室(122)。此方法更包括选择性地将掺杂碳之磊晶半导体层(30)沉积于暴露的单晶材料(20)上。

公开(公告)号：TW200710950A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095103696

申请日：2006-02-03

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  布蘭特 保羅 BRABANT, PAUL ,  義特理諾 喬瑟分 ITALIANO, JOSEPH ,  雅各布森 保羅 JACOBSON, PAUL ,  威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本發明中透過化學氣相沉積,利用丙矽烷和一含鹵素蝕刻劑源(例如氯)來在選定的混合基板區域上選擇性地沉積含Si薄膜。摻雜物源可與所述丙矽烷及所述蝕刻劑源混合,以選擇性地沉積摻雜的含Si薄膜。所述選擇性沉積方法可應用於各種用途,例如應用在半導體製造中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明中透过化学气相沉积,利用丙硅烷和一含卤素蚀刻剂源(例如氯)来在选定的混合基板区域上选择性地沉积含Si薄膜。掺杂物源可与所述丙硅烷及所述蚀刻剂源混合,以选择性地沉积掺杂的含Si薄膜。所述选择性沉积方法可应用于各种用途,例如应用在半导体制造中。

公开(公告)号：TW200634982A

公开(公告)日：2006-10-01

申请号：TW095105729

申请日：2006-02-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 庫瑪 德文卓 KUMAR, DEVENDRA ,  高德 卡邁勒 凱頓 GOUNDAR, KAMAL KISHORE ,  凱梅琳 南森艾爾R C KEMELING, NATHANAEL R.C. ,  福田英昭 FUKUDA, HIDEAKI ,  史百瑞 赫塞爾 SPREY, HESSEL ,  斯托克霍夫 馬丁 STOKHOF, MAARTEN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 本發明提供用於在積體電路中保形性地襯墊雙鑲嵌結構的方法與結構。指導較佳實施例以在形成於多孔材料中之開口上提供保形性襯墊。在絕緣層中形成(100)溝槽。隨後以特定電漿製程(101)充分處理層。在此電漿處理之後可發生自行限制、自行飽和原子層 積(ALD)反應(115)，而不大量填充形成經改良的互連件之微孔。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于在集成电路中保形性地衬垫双镶嵌结构的方法与结构。指导较佳实施例以在形成于多孔材料中之开口上提供保形性衬垫。在绝缘层中形成(100)沟槽。随后以特定等离子制程(101)充分处理层。在此等离子处理之后可发生自行限制、自行饱和原子层 积(ALD)反应(115)，而不大量填充形成经改良的互连件之微孔。

公开(公告)号：TW200509226A

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：TW093122682

申请日：2004-07-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 爾瑞那 謙托J ARENA, CHANTAL J. ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 一層鬆弛的矽化鍺結構包括一層矽緩衝層，係用化學氣相沈積製程，以一個大於約1 torr的選擇壓力形成，此鬆弛的矽化鍺結構進一步包括一層矽化鍺層沈積在矽緩衝層上，此矽化鍺層有每平方公分的牽引錯位少於10^7，透過在一個降低的沈積速度下沈積矽緩衝層，覆蓋的矽化鍺層可以有一個“沒有交叉陰影”的表面。

Abstract in simplified Chinese: 一层松弛的硅化锗结构包括一层硅缓冲层，系用化学气相沉积制程，以一个大于约1 torr的选择压力形成，此松弛的硅化锗结构进一步包括一层硅化锗层沉积在硅缓冲层上，此硅化锗层有每平方公分的牵引错位少于10^7，透过在一个降低的沉积速度下沉积硅缓冲层，覆盖的硅化锗层可以有一个“没有交叉阴影”的表面。

公开(公告)号：TW200403721A

公开(公告)日：2004-03-01

申请号：TW092120786

申请日：2003-07-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾瑞克J 赫洛 ERIC J. SHERO ,  麥克E 吉文斯 MICHAEL E. GIVENS ,  萊恩 史密特 RYAN SCHMIDT

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4483

Abstract: 本發明提供一種昇華系統，包括多個導引結構，一種紅外線感測器封裝包括一介電支撐體，作為氣體反應物的固體原料係大面積地覆蓋於支撐媒介上。藉由導引結構可以使固體原料重複地飽和於載氣中。另外，本發明還提供利用導引結構使載氣飽和的方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种升华系统，包括多个导引结构，一种红外线传感器封装包括一介电支撑体，作为气体反应物的固体原料系大面积地覆盖于支撑媒介上。借由导引结构可以使固体原料重复地饱和于载气中。另外，本发明还提供利用导引结构使载气饱和的方法。

公开(公告)号：TWI307912B

公开(公告)日：2009-03-21

申请号：TW091111438

申请日：2002-05-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 保羅D 博拉班特 PAUL D. BRABANT ,  喬P 伊塔利安諾 JOE P. KTALIANO

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/30 ,  C30B31/00 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一種低溫快速烘烤以在就地沈積前去除半導體表面雜質的方法。有利地,時間短、低溫方法消耗很少的熱預算,使得本方法更適合具淺接面之高密度電路,此外由於低溫烘烤,尤其合併烘烤前的低溫電漿清潔及低溫晶圓置入,以及烘烤後在低於傳統磊晶沈積溫度的溫度下沈積,能使產能大幅提昇。本發明能在半導體表面上磊晶沈積含矽層,尤其能在矽鍺基極層上進行磊晶沈積,利用低溫烘烤可以清潔矽鍺基極層,以更有助於磊晶沈積,然而矽鍺的受應力結晶結構不會鬆散。

Abstract in simplified Chinese: 一种低温快速烘烤以在就地沉积前去除半导体表面杂质的方法。有利地,时间短、低温方法消耗很少的热预算,使得本方法更适合具浅接面之高密度电路,此外由于低温烘烤,尤其合并烘烤前的低温等离子清洁及低温晶圆置入,以及烘烤后在低于传统磊晶沉积温度的温度下沉积,能使产能大幅提升。本发明能在半导体表面上磊晶沉积含硅层,尤其能在硅锗基极层上进行磊晶沉积,利用低温烘烤可以清洁硅锗基极层,以更有助于磊晶沉积,然而硅锗的受应力结晶结构不会松散。

公开(公告)号：TW200839029A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：TW097101458

申请日：2008-01-15

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4554

Abstract: 可控地產生導電性的氮化鉭薄膜的方法。此方法包括使反應空間內的基板接觸鉭源材質、氫的電漿激發態物質以及氮源材質的交替的且順次的脈衝。氫的電漿激發態物質還原鉭的氧化態,藉此在基板上形成實質上導電性的氮化鉭薄膜。在某些實施例中,氫的電漿激發態物質與沈積之金屬薄膜內的鹵化物殘留物反應並且移除鹵化物殘留物。

Abstract in simplified Chinese: 可控地产生导电性的氮化钽薄膜的方法。此方法包括使反应空间内的基板接触钽源材质、氢的等离子激发态物质以及氮源材质的交替的且顺次的脉冲。氢的等离子激发态物质还原钽的氧化态,借此在基板上形成实质上导电性的氮化钽薄膜。在某些实施例中,氢的等离子激发态物质与沉积之金属薄膜内的卤化物残留物反应并且移除卤化物残留物。

公开(公告)号：TW200831695A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096141030

申请日：2007-10-31

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542

Abstract: 本發明提供了形成金屬碳化物薄膜的方法。根據優選的實施例,在原子層沈積(ALD)製程中,藉由使反應空間內的基板交替地並順次地接觸金屬源化學物質、還原劑以及碳源化學物質的空間和時間上相分離的氣相脈衝以形成金屬碳化物薄膜。該還原劑優選地從氫的受激態物質和含矽化合物所構成的族群中選出。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了形成金属碳化物薄膜的方法。根据优选的实施例,在原子层沉积(ALD)制程中,借由使反应空间内的基板交替地并顺次地接触金属源化学物质、还原剂以及碳源化学物质的空间和时间上相分离的气相脉冲以形成金属碳化物薄膜。该还原剂优选地从氢的受激态物质和含硅化合物所构成的族群中选出。