公开(公告)号：TW200721282A

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：TW095130234

申请日：2006-08-17

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 小帕格里亞羅 羅伯特H. PAGLIARO, JR., ROBERT H.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10S438/906

Abstract: 提出生產具有高穩定性而能防止氧化之原始的末端氫化矽表面的方法。根據製程中的步驟20,使用高純度、被加熱的具有界面活性劑稀釋氫氟酸對矽晶圓進行處理。在之後的步驟30中,使用超純水在室溫下對晶圓進行同位沖洗,然後在之後的乾燥步驟40中進行乾燥。替代方案為在步驟22中使用稀釋氫氟酸對矽晶圓進行處理,在步驟32中所用充氫氣的水進行沖洗,以及在步驟42中進行乾燥。此方法所生產的矽晶圓在正常且乾淨的室內環境下超過3天是穩定的,且被證明到最後沒有明顯的氧化物再成長超過8天。

Abstract in simplified Chinese: 提出生产具有高稳定性而能防止氧化之原始的末端氢化硅表面的方法。根据制程中的步骤20,使用高纯度、被加热的具有界面活性剂稀释氢氟酸对硅晶圆进行处理。在之后的步骤30中,使用超纯水在室温下对晶圆进行同位冲洗,然后在之后的干燥步骤40中进行干燥。替代方案为在步骤22中使用稀释氢氟酸对硅晶圆进行处理,在步骤32中所用充氢气的水进行冲洗,以及在步骤42中进行干燥。此方法所生产的硅晶圆在正常且干净的室内环境下超过3天是稳定的,且被证明到最后没有明显的氧化物再成长超过8天。