公开(公告)号：TW200618109A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：TW094129189

申请日：2005-08-26

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 史維特斯 强瀚 SWERTS, JOHAN ,  懷特 海蒂 迪 WITTE, HILDE DE ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  波馬瑞德 克里斯多夫 POMAREDE, CHRISTOPHE ,  海凡寇特 魯班 HAVERKORT, RUBEN ,  萬月玫 WAN, YUET MEI ,  迪 柏雷克 瑪琳俄斯J. DE BLANK, MARINUS J. ,  樊 德 捷 康奈爾斯A. VAN DER JEUGD, CORNELIUS A. ,  布雷斯 雅各布斯 約翰尼斯 BEULENS, JACOBUS JOHANNES

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518

Abstract: 已藉由暴露於一遠端受激物種而被啟動的一氮前驅(precursor)被做為反應物以形成含氮層。遠端受激物種例如可以是已在一微波基產生器受激的氮氣、氬及／或氦。在微波基產生器之下游與基板之上游，受激物種流與氨流混合。受激物種啟動氨。基板同時暴露於被啟動的氨與受激物種。基板也可在化學氣相沈積中暴露於其他物種的前驅以形成一化合物層。此外，已沈積層可藉由暴露於被啟動的氨與受激物種而被氮化，其較只使用受激氮氣的電漿氮化或只使用氨的熱氮化導致更高階的氮組織，並具有相同製程溫度與氮化持久性。

Abstract in simplified Chinese: 已借由暴露于一远程受激物种而被启动的一氮前驱(precursor)被做为反应物以形成含氮层。远程受激物种例如可以是已在一微波基产生器受激的氮气、氩及／或氦。在微波基产生器之下游与基板之上游，受激物种流与氨流混合。受激物种启动氨。基板同时暴露于被启动的氨与受激物种。基板也可在化学气相沉积中暴露于其他物种的前驱以形成一化合物层。此外，已沉积层可借由暴露于被启动的氨与受激物种而被氮化，其较只使用受激氮气的等离子氮化或只使用氨的热氮化导致更高级的氮组织，并具有相同制程温度与氮化持久性。

公开(公告)号：TW200636827A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW095109402

申请日：2006-03-20

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  懷特 海蒂 迪 WITTE, HILDE DE ,  波馬瑞德 克里斯多夫 POMAREDE, CHRISTOPHE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 一種可在半導體基底上成形積體電路結構之方法。該方法包括使用原子層沈積處理，在半導體基底上沈積高k閘介電材料層。接下來，用快速熱化學氣相沈積處理，在閘介電材料層層上沈積氧化矽頂蓋層。最後在氧化矽頂蓋層上成形閘電極。

Abstract in simplified Chinese: 一种可在半导体基底上成形集成电路结构之方法。该方法包括使用原子层沉积处理，在半导体基底上沉积高k闸介电材料层。接下来，用快速热化学气相沉积处理，在闸介电材料层层上沉积氧化硅顶盖层。最后在氧化硅顶盖层上成形闸电极。