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1.发明专利半導體薄膜之改良式沉積製程 IMPROVED PROCESS FOR DEPOSITION OF SEMICONDUCTOR FILMS 有权半导体薄膜之改良式沉积制程 IMPROVED PROCESS FOR DEPOSITION OF SEMICONDUCTOR FILMS
公开(公告)号：TWI277139B
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：TW091101956
申请日：2002-02-05
Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
Inventor： 麥克A. 圖德 MICHAEL A. TODD , 馬克 霍金斯 MARK, HAWKINS
IPC: H01L
Abstract: 一種半導體薄膜之改良式沉積製程。化學氣相沉積製程利用提供可引導薄膜之沉積在或是接近大部分的傳輸限定法的化學前驅物。此種製程具有高沉積速率以及製造出無論是組成上或厚度上更均勻的薄膜，而使用三矽烷以沉積有益於半導體業界用於多種用途的含矽薄膜譬如電晶體閘電極。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体薄膜之改良式沉积制程。化学气相沉积制程利用提供可引导薄膜之沉积在或是接近大部分的传输限定法的化学前驱物。此种制程具有高沉积速率以及制造出无论是组成上或厚度上更均匀的薄膜，而使用三硅烷以沉积有益于半导体业界用于多种用途的含硅薄膜譬如晶体管闸电极。
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