公开(公告)号：WO2003016587A1

公开(公告)日：2003-02-27

申请号：PCT/US2002/026192

申请日：2002-08-15

Applicant: ASM MICROCHEMISTRY OY ,  ASM AMERICA, INC,

Inventor： KILPELA, Olli ,  SAANILA, Ville ,  LI, Wei-Min ,  ELERS, Kai-Erik ,  KOSTAMO, Juhana ,  RAAIJMAKERS, Ivo ,  GRANNEMAN, Ernst

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509

Abstract: Various reactors for growing thin films on a substrate (16) by subjecting the substrate (16) to alternately repeated surface reactions of vapor-phase reactants are disclosed. In one embodiment, the reactor (12) comprises a reaction chamber (14). A showerhead plate (67) divides the reaction chamber (14) into upper and lower parts. A first precursor is directed towards the lower half of the reaction chamber (14) and a second precursor is directed towards the upper half of the reaction chamber (14). The substrate (16) is disposed within the lower half of the reaction chamber (14). The showerhead plate (67) includes plurality passages (72) such that the upper half is in communication with the lower half of the reaction chamber (14). In another arrangement, the reaction chamber (14) includes a shutter plate (120). In other arrangements, the showerhead plate (67) is arranged to modify the local flow patterns of the gases flowing through the reaction chamber (14).

Abstract translation: 公开了通过使衬底（16）交替重复气相反应的表面反应来在衬底（16）上生长薄膜的各种反应器。 在一个实施例中，反应器（12）包括反应室（14）。 喷头板（67）将反应室（14）分成上部和下部。 第一前体指向反应室（14）的下半部分，第二前体指向反应室（14）的上半部分。 基板（16）设置在反应室（14）的下半部内。 喷头板（67）包括多个通道（72），使得上半部分与反应室（14）的下半部连通。 在另一布置中，反应室（14）包括挡板（120）。 在其他布置中，喷头板（67）布置成改变流过反应室（14）的气体的局部流动模式。