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公开(公告)号：CN1424429A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160621.8
申请日：2002-11-01
Applicant: ASML美国公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45519 , C23C16/045 , C23C16/4412 , C23C16/45595 , C23C16/54
Abstract: 一种用于化学气相沉积的方法和系统，其中通过延长反应气体在反应区域的停留时间来形成优先沉积化学物质。这些优先沉积物质在半导体晶片上的和/或其它CDV基材上的沟槽的侧边和底部沉积更快，从而促进更均匀的膜的形成，这将消除昂贵的后加工步骤如反作用掩膜。
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