公开(公告)号：CN1374890A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN00811232.0

申请日：2000-07-12

Applicant: ASML美国公司

Inventor： B·E·梅耶 ,  R·H·查塔姆三世 ,  N·K·英格尔 ,  Z·袁

IPC: B08B7/00 ,  B08B7/04 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/905

Abstract: 提供一种用于原位清洗半导体制造装置(10)的两步骤或者其组合的方法和系统。本发明在各步骤中利用两分开的含氟化学品,该步骤选择性针对去除不同类型的堆积于装置表面的淀积物。更具体地,粉末状和致密膜状固体淀积物,以及两者的组合,在室(12)表面和相关装置元件上堆积。这两种类型的淀积物通过本发明被选择性地去除掉。这种组合清洗步骤的选择性,得到了改善的清洗技术。在另一实施方案中,通过在分开的步骤中使用不同的化学品,并按不同所需序列进行实施该步骤,本发明的方法和系统提供了进行清洗室(12)和相关装置的方法。