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公开(公告)号：CN1420533A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02157580.0
申请日：2002-11-15
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 千崎佳秀 , R·B·赫林 , A·L·赫尔姆斯 , N·J·奥斯博恩
IPC: H01L21/314 , C23C16/30
Abstract: 提供一种在基片的表面上淀积介电膜例如氮化硅、氧化物、氮氧化物和多层薄膜的方法。方法包括在热壁快速热处理室中提供基片，并采用硅前体以在基片上形成介电膜。
