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公开(公告)号:CN1375111A
公开(公告)日:2002-10-16
申请号:CN00811030.1
申请日:2000-06-15
Applicant: ASML美国公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/469
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/402 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/31612
Abstract: 本发明提供一种在具有至少一个室的化学气相沉积系统中,在半导体基片的表面上沉积氧化物薄膜的方法,该方法包括如下步骤:向所述的室提供烷基硅氧烷前体、臭氧;并将所述的烷基硅氧烷前体与臭氧进行热反应从而在基片的表面上沉积氧化物薄膜。