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公开(公告)号：CN113892059B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202080024772.2
申请日：2020-03-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于训练图案化过程模型的方法，所述图案化过程模型被配置成预测将形成在图案化过程上的图案。所述方法涉及：获得与期望的图案相关联的图像数据，衬底的测量图案，包括第一参数集合的第一模型，和包括第二参数集合的机器学习模型；和迭代地确定所述第一参数集合和所述第二参数集合的值以训练图案化过程模型。迭代涉及：使用所述图像数据来执行所述第一模型和所述机器学习模型以协作地预测所述衬底的印制图案；和修改所述第一参数集合和所述第二参数集合的值以使得所述测量图案与所述图案化过程模型的预测图案之间的差减小。
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公开(公告)号：CN118011743A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410227795.3
申请日：2019-05-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于改善用于图案化过程的过程模型的方法，包括：获得a)来自图像捕获装置的测量轮廓(330)，和b)从所述过程模型的模拟所产生的模拟轮廓(510)。所述方法也包括通过确定所述测量轮廓与所述模拟轮廓之间的偏移使所述测量轮廓与所述模拟轮廓对准。所述过程模型被校准以减小所述模拟轮廓与所述测量轮廓之间的基于所确定的偏移而计算出的差。
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公开(公告)号：CN115836252A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180045311.8
申请日：2021-06-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本文描述了一种用于确定掩模图案的辅助特征将印制于衬底上的可能性的方法。所述方法包括：获得(i)被印制于衬底上的图案的多个图像，和(ii)方差数据、所述图案的所述多个图像；基于所述方差数据来确定被配置成产生与所述掩模图案相关联的方差数据的模型；和基于针对给定掩模图案的模型产生的方差数据、以及与所述给定掩模图案相关联的抗蚀剂图像或蚀刻图像，来确定所述给定掩模图案的辅助特征将被印制于所述衬底上的可能性。所述可能性可以被应用于调整与图案化过程或图案形成设备相关的一个或更多个参数，以降低所述辅助特征将印制于所述衬底上的可能性。
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公开(公告)号：CN110114726B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780080873.X
申请日：2017-12-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括：获得图案形成装置的薄掩模透射函数和用于光刻过程的M3D模型，其中所述薄掩模透射函数是连续透射掩模(CTM)，所述M3D模型至少表示能够归因于所述图案形成装置上的结构的多边缘的M3D效应的一部分；通过使用所述薄掩模透射函数和所述M3D模型确定所述图案形成装置的M3D掩模透射函数；和通过使用所述M3D掩模透射函数确定由所述图案形成装置和所述光刻过程产生的空间图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119384635A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202380047174.0
申请日：2023-07-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·G·M·M·范克莱杰 , S·A·米德尔布鲁克 , M·皮萨伦科 , A·奥诺塞 , R·E·布恩 , 卢彦文
Abstract: 描述了一种确定掩模设计的方法。该方法包括在至少一部分潜在空间中生成目标设计的概率分布的连续多模态表示。潜在空间包括可用于基于目标设计生成掩模设计的特征变量的分布。该方法包括从潜在空间中的连续多模态表示中选择变量。变量包括用于确定掩模设计的一个或多个特征的潜在空间表示。该方法包括基于目标设计和变量确定掩模设计。
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公开(公告)号：CN118235087A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075567.8
申请日：2022-10-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 基于衬底图案中的轮廓的曲率来确定蚀刻偏差方向。所述蚀刻偏差方向被配置成用于增强半导体图案化过程相对于先前图案化过程的准确度。在一些实施例中，接收所述衬底图案的表示，所述表示包括所述衬底图案的所述轮廓。确定所述衬底图案的所述轮廓的所述曲率，并且通过考虑相邻轮廓部分的所述曲率基于所述曲率来确定蚀刻偏差方向。针对在所述衬底图案上的蚀刻过程，使用模拟模型基于所述蚀刻偏差方向来确定蚀刻效果。
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公开(公告)号：CN111868625B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201980020252.1
申请日：2019-02-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本文描述了一种用于确定图案形成装置的曲线图案的方法，所述方法包括：获得(i)对应于待印制于经受图案化过程的衬底上的目标图案的所述图案形成装置的初始图像和(ii)配置成根据所述初始图像预测所述衬底的上的图案的过程模型；通过硬件计算机系统从所述初始图像生成增强型图像；通过所述硬件计算机系统使用所述增强型图像生成水平集图像；通过所述硬件计算机系统基于所述水平集图像、所述过程模型和成本函数迭代地确定所述图案形成装置的曲线图案，其中所述成本函数(例如，EPE)确定所预测的图案与所述目标图案之间的差，其中所述差被迭代地减小。
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公开(公告)号：CN114981724A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080086061.8
申请日：2020-11-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本文中描述了一种确定待印制在衬底上的目标图案的掩模图案的方法(400)。该方法包括：参考目标图案上的给定位置，将包括目标图案的设计布局(401)的一部分划分(P401)成多个单元(402)；在多个单元中的特定单元内分配(P403)多个变量(403)，特定单元包括目标图案或目标图案的一部分；以及基于多个变量的值，确定(P405)目标图案的掩模图案(405)，使得使用掩模图案的图案化过程的性能度量在期望的性能范围内。
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公开(公告)号：CN112236723A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980037249.0
申请日：2019-05-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于改善用于图案化过程的过程模型的方法，包括：获得a)来自图像捕获装置的测量轮廓(330)，和b)从所述过程模型的模拟所产生的模拟轮廓(510)。所述方法也包括通过确定所述测量轮廓与所述模拟轮廓之间的偏移使所述测量轮廓与所述模拟轮廓对准。所述过程模型被校准以减小所述模拟轮廓与所述测量轮廓之间的基于所确定的偏移而计算出的差。
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