公开(公告)号：CN111448519A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880079555.6

申请日：2018-12-07

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·E·塔贝里 ,  S·H·C·范戈尔普 ,  S·P·S·哈斯廷斯 ,  B·彼得森

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/66

Abstract: 公开了一种测量标记。根据某些实施例，该测量标记包括显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征。该测量标记还包括显影在邻近第一层的第二层中的第二测试结构集合，第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征。测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示第一测试结构集合与第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。

公开(公告)号：CN119805880A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510224978.4

申请日：2018-12-07

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： C·E·塔贝里 ,  S·H·C·范戈尔普 ,  S·P·S·哈斯廷斯 ,  B·彼得森

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了一种测量标记。根据某些实施例，该测量标记包括显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征。该测量标记还包括显影在邻近第一层的第二层中的第二测试结构集合，第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征。测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示第一测试结构集合与第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。

公开(公告)号：CN110832402A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880044464.9

申请日：2018-05-28

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·B·珍宁科 ,  V·沃罗尼纳 ,  T·朱兹海妮娜 ,  B·彼得森 ,  J·A·C·M·皮耶宁堡

IPC: G03F9/00 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明涉及一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法，所述方法包括以下步骤：确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位；至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；测量所述第二区域中的被显露出的传感器特征的部位；基于所述第二区域中的被显露出的传感器特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位至少部分去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。