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公开(公告)号：CN113168111B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201980077324.6
申请日：2019-10-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 描述了一种用于预测与在衬底上制造半导体器件的过程有关的产率的方法，该方法包括：获得将模型化参数转换为产率参数的经训练第一模型，上述模型化参数包括：a)与以下中的一项或多项相关联的几何参数：通过该过程制造的器件元件的几何特性、尺寸或位置，以及b)经训练自由参数；获得包括表征该过程的过程参数的过程参数数据；将过程参数数据转换为几何参数的值；以及使用经训练第一模型和几何参数的值来预测产率参数。
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公开(公告)号：CN116583785A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180078817.9
申请日：2021-11-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中描述了用于产生量测标记结构的设备和方法，所述量测标记结构可以被形成在芯片上从而通过基于图案分布确定所述量测标记结构的特征来测量由对所述芯片执行的一个或更多个过程所引起的重叠特性。所述方法涉及获得第一函数以表征由对衬底执行的过程所引起的重叠特征标识。基于所述第一函数，导出图案分布，所述图案分布指示所述衬底的一部分内的特征的数目(例如，指示密度)。基于所述图案分布，确定所述量测标记结构的所述特征的物理特性(例如，形状、大小等)。
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公开(公告)号：CN113168115B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980079479.3
申请日：2019-10-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·史拉奇特 , W·T·特尔 , D·M·斯劳特布姆 , V·Y·蒂莫斯科夫 , K·W·C·A·范德斯特拉顿 , B·门奇奇科夫 , 西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯 , C·E·塔贝里 , M·P·F·格宁 , 张幼平 , 邹毅 , 林晨希 , 程亚娜
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于分析过程的方法，该方法包括：获得表示多个过程参数的值的期望分布的多维概率密度函数；获得将过程参数的值与过程的性能度量相关的性能函数；以及使用性能函数将概率密度函数映射到以过程参数作为自变量的性能概率函数。
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公开(公告)号：CN110622069B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201880029609.8
申请日：2018-03-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·雅玛 , C·E·塔贝里 , S·H·C·范戈尔普 , 林晨希 , D·索恩塔格 , H·E·切克利 , R·阿尔瓦雷斯·桑切斯 , 刘士嵚 , S·P·S·哈斯廷斯 , B·门奇特奇科夫 , C·T·德鲁伊特尔 , P·滕伯格 , M·J·勒塞尔 , 段薇 , P-Y·J·Y·吉特
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于预测经受工艺的衬底的电特性的方法和相关联的计算机程序。该方法包括：基于电计量数据和包括至少一个参数的测量的工艺计量数据的分析，确定电特性对工艺特性的灵敏度，电计量数据包括从先前处理的衬底测量的电特性，至少一个参数与从先前处理的衬底测量的工艺特性相关；获取与衬底相关的描述至少一个参数的工艺计量数据；以及基于灵敏度和工艺计量数据，预测衬底的电特性。
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公开(公告)号：CN111448519A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079555.6
申请日：2018-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·E·塔贝里 , S·H·C·范戈尔普 , S·P·S·哈斯廷斯 , B·彼得森
Abstract: 公开了一种测量标记。根据某些实施例，该测量标记包括显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征。该测量标记还包括显影在邻近第一层的第二层中的第二测试结构集合，第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征。测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示第一测试结构集合与第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118355334A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080786.5
申请日：2022-10-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种用于确定施加到衬底的层的机械特性的方法。该方法包括：获得输入数据，该输入数据包括与所述层有关的量测数据；以及获得布局数据，其与要施加在所述层中的图案的布局有关。第一模型或第一模型项被用来至少基于输入数据来确定与所述层有关的全局机械特性；以及至少一个第二模型或至少一个第二模型项被用来基于所述第一机械特性和布局数据来预测机械特性分布或相关套刻图，该机械特性分布描述所述层上的机械特性变化。
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公开(公告)号：CN116195025A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180063832.6
申请日：2021-07-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/244
Abstract: 公开了使用带电粒子束装置以电压对比模式来观察样本的系统和方法。带电粒子束装置包括：带电粒子源；光源；被配置为检测带电粒子的带电粒子检测器；以及具有电路系统的控制器，其被配置为施加第一信号以使得光源生成光脉冲，将第二信号施加到带电粒子检测器以检测第二多个带电粒子，以及调整第一信号和第二信号之间的时间延迟。在一些实施例中，具有电路系统的控制器还可以被配置为获取结构的多个图像；基于结构的多个图像的灰度级变化率来确定结构的电特性；以及基于所确定的电特性，使用模型来模拟结构的物理特性。
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公开(公告)号：CN116113887A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202180055250.3
申请日：2021-07-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·P·科利根 , P·斯马尔 , C·E·塔贝里 , T·多斯·桑托斯·古泽拉 , V·巴斯塔尼
IPC: G03F9/00
Abstract: 公开了标识半导体制造厂中的污染的方法和相关装置。该方法包括：确定被夹紧到晶片台上的多个半导体晶片在半导体制造厂中被处理之后的污染图数据。至少部分基于多个半导体晶片的污染图数据的组合来确定经组合的污染图数据。经组合的污染图数据与参考数据组合。参考数据包括针对经组合的污染图数据的、指示半导体制造厂中的一个或多个工具中的污染的一个或多个值。
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公开(公告)号：CN119805880A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510224978.4
申请日：2018-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·E·塔贝里 , S·H·C·范戈尔普 , S·P·S·哈斯廷斯 , B·彼得森
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种测量标记。根据某些实施例，该测量标记包括显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征。该测量标记还包括显影在邻近第一层的第二层中的第二测试结构集合，第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征。测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示第一测试结构集合与第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。
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公开(公告)号：CN119452246A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050988.X
申请日：2023-08-15
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 校际微电子中心
Inventor： E·A·M·L·杜里奥 , C·E·塔贝里 , T·A·布伦纳 , C·P·奥施尼特 , V·P·T·特鲁弗特
IPC: G01N21/956 , G03F9/00 , G03F7/20
Abstract: 一种方法可以包括使用光学扫描系统将辐射引导向至少两个目标以生成散射辐射的第一部分和第二部分。第一目标可以包括多个第一光栅线结构，该多个第一光栅线结构包括具有第一偏置值的特征。第二目标可以包括多个第二光栅线结构，该多个第二光栅线结构包括具有第二偏置值的特征。该方法可以包括检测散射辐射的第一部分和第二部分，基于第一偏置特征生成指示第一目标位置的第一测量信号，以及基于第二偏置特征生成指示第二目标位置的第二测量信号。该方法可以包括分析第一偏置值和第二偏置值对第一位置和第二位置的影响以确定目标集合的至少一个特性。
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