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公开(公告)号：CN113168118B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980080197.5
申请日：2019-11-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·库伊曼
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种在光刻工艺中减小与晶片上的结构相关联的误差的变异性的方法。该方法包括基于图像(或多个图像)来确定图像中由于SEM畸变而引起的第一误差，所述图像基于通过扫描电子显微镜(SEM)对晶片的扫描而获取。该方法还包括基于图像来确定与该结构的真实误差相关联的第二误差，其中与该结构相关联的误差包括第一误差和第二误差。由数据处理器生成命令，该命令启用基于减小第一误差或第二误差中的任一项的对光刻工艺的修改以及对误差的变异性的相关联的减小。
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公开(公告)号：CN115104068A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180014721.6
申请日：2021-02-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·范因根史奇劳 , A·史拉奇特 , 瓦迪姆·尤里耶维奇·季莫什科夫 , M·库伊曼 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , H·A·迪伦 , 斯蒂芬·亨斯克 , 路易斯·阿尔贝托·科利纳·圣玛丽亚·科琳娜 , 蒋爱琴 , 王富明 , 苏达沙南·拉格纳坦
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中描述关于改善与芯片的制造相关联的模拟过程和解决方案(例如，重定目标图案)的方法。方法包括获得多个剂量‑焦距设置、和基于与所述多个剂量‑焦距设置中的每个设置相关联的被印制的图案的特性的测量值的参考分布。所述方法还包括基于调整模型和所述多个剂量‑焦距设置来确定所述特性的概率密度函数(PDF)，使得减小所述PDF与所述参考分布之间的误差。所述PDF可以是所述调整模型和与剂量相关联的方差的函数，所述调整模型被配置成改变对所述PDF的非线性剂量敏感度贡献的比例。可以基于所述特性的所确定的PDF来调整过程窗口。
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公开(公告)号：CN111742264A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014234.2
申请日：2019-02-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·库伊曼
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法，该方法涉及计算第一空间图像的第一强度和第二空间图像的第二强度，第一空间图像对应于抗蚀剂层内的第一位置，第二空间图像对应于抗蚀剂层内的第二位置。该方法还包括通过使用抗蚀剂模型的硬件计算机系统执行抗蚀剂层的计算机模拟，以基于第一强度与第二强度之间的差或基于针对第一强度的抗蚀剂模型结果与针对第二强度的抗蚀剂模型结果之间的差来获得用于抗蚀剂层特征的参数的值。
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公开(公告)号：CN118859641A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410901688.4
申请日：2020-09-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本申请的主题为“用于基于显影后图像确定图案缺陷的方法”。本文中描述了一种训练模型的方法，该模型被配置为预测与成像衬底相关联的特征在成像衬底的蚀刻之后是否将有缺陷，并且基于已训练模型确定蚀刻条件。该方法包括经由量测工具获取(i)在给定位置处的成像衬底的显影后图像，显影后图像包括多个特征，以及(ii)在给定位置处的成像衬底的蚀刻后图像；以及使用显影后图像和蚀刻后图像训练模型，该模型被配置为确定显影后图像中的多个特征中的给定特征的缺陷。在一个实施例中，缺陷的确定基于将显影后图像中的给定特征与蚀刻后图像中的对应蚀刻特征进行比较。
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公开(公告)号：CN116125756A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310013351.5
申请日：2018-12-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。该方法包括：基于所预测的量测轮廓与由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整抗蚀剂模型的参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111492317B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201880082618.3
申请日：2018-12-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。该方法包括：基于所预测的量测轮廓与由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整抗蚀剂模型的参数。
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公开(公告)号：CN111480119A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080607.1
申请日：2018-12-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 披露了一种预测形成于衬底上的多个特征的主导故障模式和/或故障率的方法，以及相关联的检查设备。所述方法包括：确定每个特征的放置指标，所述放置指标包括所述特征是否处于预期位置的量度；和比较所述放置指标的分布与参考(例如，高斯)分布。所述放置指标可以包括针对位于限定每个特征的边界上的多个边界点的边界指标，所述边界指标包括边界点是否处于预期位置的量度。根据所述比较来预测所述多个特征的所述主导故障模式和/或所述故障率。
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公开(公告)号：CN114556228B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202080072957.0
申请日：2020-09-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本文中描述了一种训练模型的方法，该模型被配置为预测与成像衬底相关联的特征在成像衬底的蚀刻之后是否将有缺陷，并且基于已训练模型确定蚀刻条件。该方法包括经由量测工具获取(i)在给定位置处的成像衬底的显影后图像，显影后图像包括多个特征，以及(ii)在给定位置处的成像衬底的蚀刻后图像；以及使用显影后图像和蚀刻后图像训练模型，该模型被配置为确定显影后图像中的多个特征中的给定特征的缺陷。在一个实施例中，缺陷的确定基于将显影后图像中的给定特征与蚀刻后图像中的对应蚀刻特征进行比较。
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公开(公告)号：CN111480119B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201880080607.1
申请日：2018-12-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 披露了一种预测形成于衬底上的多个特征的主导故障模式和/或故障率的方法，以及相关联的检查设备。所述方法包括：确定每个特征的放置指标，所述放置指标包括所述特征是否处于预期位置的量度；和比较所述放置指标的分布与参考(例如，高斯)分布。所述放置指标可以包括针对位于限定每个特征的边界上的多个边界点的边界指标，所述边界指标包括边界点是否处于预期位置的量度。根据所述比较来预测所述多个特征的所述主导故障模式和/或所述故障率。
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公开(公告)号：CN113168118A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080197.5
申请日：2019-11-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·库伊曼
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种在光刻工艺中减小与晶片上的结构相关联的误差的变异性的方法。该方法包括基于图像(或多个图像)来确定图像中由于SEM畸变而引起的第一误差，所述图像基于通过扫描电子显微镜(SEM)对晶片的扫描而获取。该方法还包括基于图像来确定与该结构的真实误差相关联的第二误差，其中与该结构相关联的误差包括第一误差和第二误差。由数据处理器生成命令，该命令启用基于减小第一误差或第二误差中的任一项的对光刻工艺的修改以及对误差的变异性的相关联的减小。
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