-
公开(公告)号：CN111819658A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017979.4
申请日：2019-03-08
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 赛义德·鲍姆塞勒克 , 高桥直树 , 柏拉卡斯·斯里达尔·穆尔蒂
Abstract: 公开了包括电离器(50)的装置(1)。电离器包括：块体(80)，其包括一种或多种发射体材料(89)并且被配置成至少部分可损耗；以及加热单元(56)，其被配置成对块体的至少一部分(81)进行加热。电离器可以包括电子发射体分配器(53)，该电子发射体分配器(53)被配置成使块体的有限部分露出。
-
公开(公告)号：CN113678228A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080024324.2
申请日：2020-03-24
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树 , 柏拉卡斯·斯里达尔·穆尔蒂
Abstract: 本发明提供一种气体分析装置(1)，具有：样品腔室(11)，其具备介电性的壁体构造(12)，仅流入作为测定对象的样品气体(9)；等离子体生成机构(13)，其借由介电性的壁体构造来通过电场和/或磁场在被减压后的样品腔室内生成等离子体(18)；以及分析单元(21)，其借由所生成的等离子体来分析样品气体。能够提供一种即使是含有腐蚀性气体的样品气体也能够长时间、高精度地进行分析的气体分析装置。
-
公开(公告)号：CN116148335A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310042814.0
申请日：2020-03-24
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树 , 柏拉卡斯·斯里达尔·穆尔蒂
IPC: G01N27/62 , G01N27/622 , G01N27/626 , G01N21/67 , G01N1/34
Abstract: 本发明提供一种工艺系统。气体分析装置(1)具有：样品腔室(11)，其具备介电性的壁体构造(12)，仅流入作为测定对象的样品气体(9)；等离子体生成机构(13)，其借由介电性的壁体构造来通过电场和/或磁场在被减压后的样品腔室内生成等离子体(18)；以及分析单元(21)，其借由所生成的等离子体来分析样品气体。能够提供一种即使是含有腐蚀性气体的样品气体也能够长时间、高精度地进行分析的气体分析装置。
-
公开(公告)号：CN113631916B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202080024323.8
申请日：2020-03-24
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树 , 柏拉卡斯·斯里达尔·穆尔蒂
IPC: G01N27/62 , G01N27/622 , H01J49/02 , H01J49/14
Abstract: 提供一种对流入的样品气体(9)进行分析的气体分析装置(1)。气体分析装置具有：过滤器单元(20)，其对样品气体进行过滤；检测器单元(30)，其对过滤的结果进行检测；壳体(40)，其收纳这些单元；以及控制单元(60)，其对各单元的电位进行控制。控制单元包括清洁控制单元(61)，该清洁控制单元(61)将过滤器单元、检测器单元以及壳体的电位设定为清洁电位，该清洁电位为引入样品气体的供给源的工艺等离子体(75)或由等离子体生成单元(50)生成的等离子体(55)来作为清洁用的等离子体的电位。
-
公开(公告)号：CN115039516A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012025.1
申请日：2021-03-29
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树
Abstract: 等离子体生成装置(10)具有：腔室(12)，其具备电介质壁构造，并且被流入作为测定对象的样本气体；RF供给机构(13)，其借助电介质壁构造通过电场以及/或者磁场在腔室内生成等离子体；以及浮动电位供给机构(16)，其包括沿着腔室的内表面配置的第一电极(17)。RF供给机构可以包括配置于相对于腔室的第一方向的RF场形成单元(14)，第一电极包括配置于相对于腔室的第二方向的电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115039516B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202180012025.1
申请日：2021-03-29
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树
Abstract: 等离子体生成装置(10)具有：腔室(12)，其具备电介质壁构造，并且被流入作为测定对象的样本气体；RF供给机构(13)，其借助电介质壁构造通过电场以及/或者磁场在腔室内生成等离子体；以及浮动电位供给机构(16)，其包括沿着腔室的内表面配置的第一电极(17)。RF供给机构可以包括配置于相对于腔室的第一方向的RF场形成单元(14)，第一电极包括配置于相对于腔室的第二方向的电极。
-
公开(公告)号：CN113631916A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024323.8
申请日：2020-03-24
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树 , 柏拉卡斯·斯里达尔·穆尔蒂
IPC: G01N27/62 , G01N27/622 , H01J49/02 , H01J49/14
Abstract: 提供一种对流入的样品气体(9)进行分析的气体分析装置(1)。气体分析装置具有：过滤器单元(20)，其对样品气体进行过滤；检测器单元(30)，其对过滤的结果进行检测；壳体(40)，其收纳这些单元；以及控制单元(60)，其对各单元的电位进行控制。控制单元包括清洁控制单元(61)，该清洁控制单元(61)将过滤器单元、检测器单元以及壳体的电位设定为清洁电位，该清洁电位为引入样品气体的供给源的工艺等离子体(75)或由等离子体生成单元(50)生成的等离子体(55)来作为清洁用的等离子体的电位。
-
公开(公告)号：CN116783481B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202280012218.1
申请日：2022-01-25
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树
IPC: G01N27/62
Abstract: 气体分析装置(1)具有：离子化装置(10)，其生成样本气体(9)的离子流(17)；分析仪(20)，其对从离子化装置供给的离子流进行分析；第一离子路径(41)，其将离子流从离子化装置非直线地引导到分析仪的入口；以及阻止装置(29)，其通过电场或磁场来间歇性地阻止和释放经由第一离子路径到达分析仪的滤质器(25)的离子流的路径的至少一部分路径中的离子流，该气体分析装置(1)能够在阻止了离子流的状态下进行测定以及在未阻止离子流的状态下进行测定。
-
公开(公告)号：CN118116790A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410174530.1
申请日：2020-03-24
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树 , 柏拉卡斯·斯里达尔·穆尔蒂
IPC: H01J49/10 , H01J49/04 , H01J49/42 , H01J37/32 , G01N27/626
Abstract: 本发明提供气体分析装置、工艺监视装置、工艺系统、控制方法和监视方法，气体分析装置(1)具有：样品腔室(11)，其具备介电性的壁体构造(12)，仅流入作为测定对象的样品气体(9)；等离子体生成机构(13)，其借由介电性的壁体构造来通过电场和/或磁场在被减压后的样品腔室内生成等离子体(18)；以及分析单元(21)，其借由所生成的等离子体来分析样品气体。能够提供一种即使是含有腐蚀性气体的样品气体也能够长时间、高精度地进行分析的气体分析装置。
-
公开(公告)号：CN116783481A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280012218.1
申请日：2022-01-25
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor： 高桥直树
IPC: G01N27/62
Abstract: 气体分析装置(1)具有：离子化装置(10)，其生成样本气体(9)的离子流(17)；分析仪(20)，其对从离子化装置供给的离子流进行分析；第一离子路径(41)，其将离子流从离子化装置非直线地引导到分析仪的入口；以及阻止装置(29)，其通过电场或磁场来间歇性地阻止和释放经由第一离子路径到达分析仪的滤质器(25)的离子流的路径的至少一部分路径中的离子流，该气体分析装置(1)能够在阻止了离子流的状态下进行测定以及在未阻止离子流的状态下进行测定。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.025 seconds)
