-
公开(公告)号：RU2529607C2
公开(公告)日：2014-09-27
申请号：RU2011144620
申请日：2010-03-25
Applicant: BASF SE
Inventor： REGER-GEPFERT KORNELIA , REHTER ROMAN BENEDIKT , EHMNET SHARLOTTE , KHAAG ALEKSANDRA , MAJER DITER
Abstract: Изобретениеотноситсяк областигальванотехникии можетбытьиспользованодляизготовленияполупроводников. Способэлектролитическогоосаждениямединаподложку, содержащуюэлементыповерхностисубмикрометровогоразмера, имеющиеразмеротверстия 30 нанометровилименее, включает: а) контактированиес подложкойэлектролитическойванныдляосаждениямеди, содержащейисточникионовмеди, одинилиболееускоряющихагентови одинилиболееподавляющихагентов, выбранныхизсоединенийформулы Iгдекаждыйрадикал Rнезависимовыбираетсяизсополимераэтиленоксидаи поменьшеймереещеодногоС3-С4 алкиленоксида, причемуказанныйсополимерпредставляетсобойслучайныйсополимер, каждыйрадикал Rнезависимовыбираетсяиз Rилиалкила, Хи Y независимопредставляютсобойспейсерныегруппы, причемХ имеетнезависимыезначениядлякаждойповторяющейсяединицы, выбранныеизС1-С6 алкиленаи Z-(O-Z)m, гдекаждыйрадикал Z независимовыбираетсяизС2-С6 алкилена, n представляетсобойцелоечисло, большеилиравное 0, m представляетсобойцелоечисло, большеилиравное 1, вчастности m равно 1-10, асодержаниеэтиленоксидав сополимереэтиленоксидаи С3-С4 алкиленоксидасоставляетот 30 до 70%, и b) созданиеплотноститокав подложкев течениепериодавремени, достаточногодлязаполнениямедьюэлементасубмикронногоразмера. Техническийрезультат: получениеравномерногопокрытиябезпустоти швов. 9 з.п. ф-лы, 6 пр., 7 ил., 1 табл.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：RU2539895C2
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：RU2012107130
申请日：2010-07-19
Applicant: BASF SE
Inventor： REGER-GEPFERT KORNELIA , REHTER ROMAN BENEDIKT , MAJER DITER , KHAAG ALEKSANDRA , EHMNET SHARLOTTE
IPC: C25D3/38 , H01L21/288
Abstract: Изобретениеотноситсяк областигальванотехникии можетбытьиспользованоприизготовленииполупроводников. Композициясодержитпоменьшеймереодинисточникмедии поменьшеймереоднудобавку, получаемуюпутемреакциимногоатомногоспирта, содержащегопоменьшеймере 5 гидроксильныхфункциональныхгрупп, споменьшеймерепервымалкиленоксидоми вторымалкиленоксидомизсмесипервогоалкиленоксидаи второгоалкиленоксида. Способвключаетконтакткомпозициидлянанесенияметаллическогопокрытияс подложкой, созданиеплотноститокав подложкев течениевремени, достаточногодляосажденияметаллическогослоянаподложку. Техническийрезультат: обеспечениезаполненияотверстийнанометровогои микрометровогоразмерабезпустоти швов. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил., 8 пр.
-
公开(公告)号：RU2547259C2
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：RU2011129439
申请日：2009-12-08
Applicant: BASF SE
Inventor： REGER-GEPFERT KORNELIJA , REHTER ROMAN BENEDIKT , EHBERT ZOFIJA , EHMNET SHARLOTTE , KHAAG ALEKSANDRA , MAJER DITER
Abstract: Изобретениеотноситсяк композициидляэлектролитическогоосажденияметалла, применениюполиалканоламинаилиегопроизводных, атакжек способуосажденияслояметалла. Композициядляэлектролитическогоосажденияметалласодержитисточникионовметаллаи поменьшеймереодинвыравнивающийагент. Вкачествеионовметаллаиспользуютионмеди. Выравнивающийагентпредставляетсобойполиалканоламинилиегопроизводные, получаемыеалкоксилированием, замещениемлибоалкоксилированиеми замещениемполиалканоламина. Полиалканоламинполучаютконденсациейпоменьшеймереодноготриалканоламинаобщейформулы N(R-OH)(la) и/илипоменьшеймереодногодиалканоламинаобщейформулы R-N(R-OH)(lb), вкоторомрадикал Rнезависимовыбраниздвухвалентноголинейногоилиразветвленногоалифатическогоуглеводородногорадикала, имеющегоот 2 до 6 атомовуглерода, радикал Rвыбранизводорода, линейныхилиразветвленныхалифатических, циклоалифатическихи ароматическихуглеводородныхрадикалов, имеющихот 1 до 30 атомовуглерода. Полученныеполиалканоламинилиегопроизводныеприменяютв растворедляэлектролитическогоосажденияметалла. Способосажденияслояметалланаподложкузаключаетсяв том, чтовначалераствордляэлектролитическогоосажденияметалла, содержащийвышеуказаннуюкомпозицию, наносятнаподложку. Затемнаподложкуподаюттокопределеннойплотностив течениевремени, достаточногодляосажденияслояметалла. Изобретениепозволяетполучитьвыравнивающийагент, обладающийхорошимивыравнивающимисвойствами, атакжеполучитьплоскийслойметаллас образованиемровнойповерхности, заполнивэлементынанометро�
-
公开(公告)号：RU2539897C2
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：RU2012107133
申请日：2010-07-16
Applicant: BASF SE
Inventor： REGER-GEPFERT KORNELIA , REHTER ROMAN BENEDIKT , KHAAG ALEKSANDRA , MAJER DITER , EHMNET SHARLOTTE
IPC: C25D3/38
Abstract: Изобретениеотноситсяк областигальванотехникии можетбытьиспользованоприизготовленииполупроводников. Композициясодержитпоменьшеймереодинисточникионовмедии поменьшеймереоднудобавку, получаемуюпутемреакцииа) соединенияконденсатамногоатомногоспирта, полученногоизпоменьшеймереодногополиспиртаформулыпутемконденсации, с b) поменьшеймереоднималкиленоксидомс формированиемконденсатамногоатомногоспирта, содержащегополиоксиалкиленовыебоковыецепи, где m представляетсобойцелоечислоот 3 до 6, и X представляетсобой m-валентныйлинейныйилиразветвленныйалифатическийилициклоалифатическийрадикал, имеющийот 2 до 10 атомовуглерода, которыйможетбытьзамещеннымилинезамещенным. Способвключаетконтактэлектролитическойванны, содержащейупомянутуюкомпозицию, сподложкой, созданиеплотноститокав подложкев течениевремени, достаточногодляосажденияметаллическогопокрытия. Техническийрезультат: обеспечениезаполненияканавоки отверстийнанометровогоразмерапосуществубездефектов. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил., 6 пр.
-
公开(公告)号：RU2542219C2
公开(公告)日：2015-02-20
申请号：RU2011144619
申请日：2010-03-31
Applicant: BASF SE
Inventor： REGER-GEPFERT KORNELIA , REHTER ROMAN BENEDIKT , EHMNET SHARLOTTE , KHAAG ALEKSANDRA , MAJER DITER
Abstract: Изобретениеотноситсяк нанесениюметаллическихслоевпокрытияи можетбытьиспользованоприизготовленииполупроводников. Предложенсоставдлянанесенияметаллическогослоя, содержащийисточникметаллическихионови поменьшеймереодинподавляющийагент, полученныйпутемреакцииаминногосоединения, содержащегопоменьшеймеретриактивныефункциональныеаминогруппы, сосмесьюэтиленоксидаи поменьшеймереодногосоединения, выбранногоизС3 иС4 алкиленоксидов, дляполученияслучайныхсополимеровэтиленоксидаи поменьшеймереещеодногоизС3 иС4 алкиленоксидов, причемсодержаниеэтиленоксидав сополимереэтиленоксидаи С3-С4 алкиленоксидасоставляетот 30 до 70%. Такжепредложенспособэлектролитическогонанесенияметаллическогослоянаподложкупутемконтактаэлектролитическойванныдлянанесенияметаллическогослоя, содержащейупомянутыйсостав, сподложкой, исозданияплотноститокав подложкев течениепериодавремени, достаточногодлянанесенияметаллическогослоянаподложку. Изобретенияпозволяютполучитьслойпокрытия, обеспечивающийбеспустотноезаполнениеэлементовповерхностинанометровогои микрометровогомасштаба. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 15 ил., 1 табл., 12 пр.
-
公开(公告)号：RU2542178C2
公开(公告)日：2015-02-20
申请号：RU2011144618
申请日：2010-03-29
Applicant: BASF SE
Inventor： REGER-GEPFERT KORNELIA , REHTER ROMAN BENEDIKT , EHMNET SHARLOTTE , KHAAG ALEKSANDRA , MAJER DITER
Abstract: Изобретениеотноситсяк нанесениюметаллическихслоевпокрытияи можетбытьиспользованоприизготовленииполупроводников. Предложенсоставдлянанесенияметаллическогослоя, которыйсодержитисточникметаллическихионови поменьшеймереодинподавляющийагент, которыйполучаютпутемреакцииаминногосоединения, содержащегоактивныефункциональныеаминогруппы, сосмесьюэтиленоксидаи поменьшеймереодногосоединения, выбранногоизС3 иС4 алкиленоксидов, дляполученияслучайныхсополимеровэтиленоксидаи поменьшеймереещеодногоизС3 иС4 алкиленоксидов, причемуказанныйподавляющийагентимеетмолекулярнуюмассу 6000 г/мольилиболее, асодержаниеэтиленоксидав сополимереэтиленоксидаи С3-С4 алкиленоксидасоставляетот 30 до 70%. Такжепредложенспособэлектролитическогонанесенияметаллическогослоянаподложкупутемконтактаэлектролитическойванныдлянанесенияметаллическогослоя, содержащейупомянутыйсостав, сподложкой, исозданияплотноститокав подложкев течениепериодавремени, достаточногодлянанесенияметаллическогослоянаподложку. Изобретенияпозволяетполучитьслойпокрытия, обеспечивающийбеспустотноезаполнениеэлементовповерхностинанометровогои микрометровогомасштаба. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил., 8 пр.
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.02 seconds)
