公开(公告)号：RU2585322C2

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：RU2013146360

申请日：2012-02-29

Applicant: BASF SE

Inventor： KLIPP ANDREAS ,  ETTER GYUNTER ,  MONTERO PANSERA SABRINA ,  KHONCHUK ANDREJ ,  BITTNER KRISTIAN

IPC: G03F7/20

Abstract: Использование: дляполученияинтегральныхсхем, оптическихустройств, микромашини механическихвысокоточныхустройств. Сущностьизобретениязаключаетсяв том, чтоспособполученияинтегральныхсхем, оптическихустройств, микромашини механическихвысокоточныхустройств, включаетстадии: полученияподложки, имеющейслоиструктурированногоматериала, имеющиестрочныйинтервал 50 нми менееи характеристическоеотношение >2; полученияповерхностислоевструктурированногоматериалас положительнымилиотрицательнымэлектрическимзарядомпосредствомконтактаполупроводниковойподложкипоменьшеймереодинразс воднымсвободнымотфторараствором S, содержащимпоменьшеймереодносвободноеотфторакатионноеповерхностно-активноевеществоА, имеющеепоменьшеймереоднукатионнуюилипотенциальнокатионнуюгруппу, поменьшеймереодносвободноеотфтораанионноеповерхностно-активноевеществоА, имеющеепоменьшеймереоднуанионнуюилипотенциальноанионнуюгруппу, илипоменьшеймереодносвободноеотфтораамфотерноеповерхностно-активноевеществоА; выведениеводногосвободногоотфторараствора S изконтактас подложкой. Техническийрезультат: обеспечениевозможностиполученияинтегральныхсхемоптическихустройств, имеющихслоиструктурированногоматериалас характеристическимотношением >2. 11 з.п. ф-лы, 3 ил.