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公开(公告)号：CN1955754A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610125759.8
申请日：2006-08-29
Applicant: C.R.F.阿西安尼顾问公司
CPC classification number: G01R33/09 , Y10S977/96
Abstract: 用于检测物理量、特别是磁场的薄膜器件及相应检测方法。这里描述的是一种用于检测物理量、尤其是磁场的、包括包含一个或多个敏感元件(10；20；30)的电路的类型的薄膜器件，其被设计用于改变它们自己的电阻(R)作为要被检测的物理量的函数，所述一个或多个敏感元件(10；20；30)包括至少一个纳米收缩(10；20；30)，所述纳米收缩(10；20；30)包括由磁性材料制成的至少两个垫片(12，13；22，23)，与其相关联的是取向于基本上彼此相反的方向并通过纳米通道(11；21；21′；21″)被连接的相应磁化(16，17；M1，M2)，所述纳米通道(11；21；21′；21″)能够建立畴壁(15；25)，其确定所述纳米收缩(10；20；30)的电阻(R)作为相对于形成在所述传感器件中的所述畴壁(15；25)的所述纳米通道(11；21；21′；21″)的位置的函数。配置所述纳米通道(21；21′；21″)的至少一个截面，以便沿着一个或多个轴(x)展示可变的延伸(LDW)，作为要被检测的所述物理量的不同值的函数。
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公开(公告)号：CN1955755B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200610151711.4
申请日：2006-08-30
Applicant: C.R.F.阿西安尼顾问公司
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , H01L43/08 , Y10S977/953
Abstract: 在此描述了一种对包含多个磁阻元件(10；20；30)的类型的磁场(Hext，Hp)进行响应的磁阻网络。按照本发明，一个或多个磁阻元件(10；20；30)包含至少一个纳米压缩(10；20；30)形式的磁阻元件，所述纳米压缩(10；20；30)包含由磁性材料制成的至少两个垫片(12，13；22，23)，与所述磁性材料相关联的至少两个垫片(12，13；22，23)在基本上彼此相反的方向上分别被定向磁化(16，17；M1，M2)并且通过纳米通道(11；21)被连接，所述纳米通道(11；21)能够设立畴壁(15；25)，所述畴壁(15；25)确定作为在所述传感器装置中形成的所述畴壁(15；25)相对于所述纳米通道(11；21)的位置的函数的所述纳米压缩(10；20；30)的电阻(R)。
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公开(公告)号：CN1955754B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200610125759.8
申请日：2006-08-29
Applicant: C.R.F.阿西安尼顾问公司
CPC classification number: G01R33/09 , Y10S977/96
Abstract: 这里描述的是一种用于检测物理量、尤其是磁场的、包括包含一个或多个敏感元件(10；20；30)的电路的类型的薄膜器件，其被设计用于改变它们自己的电阻(R)作为要被检测的物理量的函数，所述一个或多个敏感元件(10；20；30)包括至少一个纳米收缩(10；20；30)，所述纳米收缩(10；20；30)包括由磁性材料制成的至少两个垫片(12，13；22，23)，与其相关联的是取向于基本上彼此相反的方向并通过纳米通道(11；21；21′；21″)被连接的相应磁化(16，17；M1，M2)，所述纳米通道(11；21；21′；21″)能够建立畴壁(15；25)，其确定所述纳米收缩(10；20；30)的电阻(R)作为相对于形成在所述传感器件中的所述畴壁(15；25)的所述纳米通道(11；21；21′；21″)的位置的函数。配置所述纳米通道(21；21′；21″)的至少一个截面，以便沿着一个或多个轴(x)展示可变的延伸(LDw)，作为要被检测的所述物理量的不同值的函数。
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公开(公告)号：CN1955755A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610151711.4
申请日：2006-08-30
Applicant: C.R.F.阿西安尼顾问公司
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , H01L43/08 , Y10S977/953
Abstract: 在此描述了一种对包含多个磁阻元件(10；20；30)的类型的磁场(Hext，Hp)进行响应的磁阻网络。按照本发明，一个或多个磁阻元件(10；20；30)包含至少一个纳米压缩(10；20；30)形式的磁阻元件，所述纳米压缩(10；20；30)包含由磁性材料制成的至少两个垫片(12，13；22，23)，与所述磁性材料相关联的至少两个垫片(12，13；22，23)在基本上彼此相反的方向上分别被定向磁化(16，17；M1，M2)并且通过纳米通道(11；21)被连接，所述纳米通道(11；21)能够设立畴壁(15；25)，所述畴壁(15；25)确定作为在所述传感器装置中形成的所述畴壁(15；25)相对于所述纳米通道(11；21)的位置的函数的所述纳米压缩(10；20；30)的电阻(R)。
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