公开(公告)号：RU2433504C2

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：RU2009147030

申请日：2008-05-15

Applicant: CANON KK

Inventor： OFUDZI MASATO ,  ABE KATSUMI ,  KHAJASI RIO ,  SANO MASAFUMI ,  KUMOMI KHIDEJA

IPC: H01L21/8236 ,  H01L29/786

Abstract: Изобретениеотноситсяк инвертору, состоящемуизтонкопленочныхтранзисторовс оксиднымполупроводниковымслоем. Сущностьизобретения: способизготовленияинвертора, работающегов режимеобогащения/обеднения (E/D), имеющегомножествотонкопленочныхтранзисторовнаоднойи тойжеподложке, канальныеслоикоторыхсостоятизоксидногополупроводника, содержащегопоменьшеймереодинэлемент, выбранныйиз In, Ga и Zn, содержитэтапы, накоторыхформируютпервыйтранзистори второйтранзистор, толщинаканальныхслоевпервогои второготранзисторовявляетсявзаимноразличной, иприменяюттермообработкупоменьшеймерек одномуизканальныхслоевпервогои второготранзисторов. Изобретениеобеспечиваетрасширениетехническихсредств, позволяющихполучитьинверторс оксиднымиполупроводниковымитонкопленочнымитранзисторами, имеющимиразличныепороговыенапряжения, упрощениеспособаполученияинверторас такимихарактеристиками, снижениеегостоимости. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 18 ил.