DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À RÉSEAU INTER-DIODES SUR-DOPÉ PAR DIFFUSION DE MÉTAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
    1.
    发明申请
    DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À RÉSEAU INTER-DIODES SUR-DOPÉ PAR DIFFUSION DE MÉTAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
    金属扩散过度检测阵列检测装置及其制造方法

    公开(公告)号:WO2017089528A1

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:PCT/EP2016/078793

    申请日:2016-11-25

    Inventor: ROTHMAN, Johan

    Abstract: L'invention porte sur un dispositif de photo-détection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption (1) présentant un premier type de dopage et chaque diode comportant dans la couche d'absorption (2) une région de collection qui présente un deuxième type de dopage opposé au premier type. Le dispositif comporte, sous la surface du substrat, un maillage de conduction (7) comprenant au moins un canal de conduction intercalé entre les régions de collection (2) de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction (7) présentant le premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que la couche d'absorption. La densité de dopage de l'au moins un canal de conduction (7) est issue d'une diffusion de métal dans la couche d'absorption depuis un maillage métallique présent en surface du substrat. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel dispositif.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括衬底和二极管阵列的光电探测装置,该衬底包括呈现第一类型光电探测的吸收层(1)。 掺杂并且每个二极管在吸收层(2)中具有呈现第二相反类型的掺杂的收集区域。 到第一种类型。 该装置包括位于衬底表面下方的导电网(7),该导电网(7)包括至少一个插入式导电通道。 在两个相邻二极管的收集区域(2)之间,所述至少一个导电沟道(7)呈现第一类型的掺杂并具有较高的密度。 掺杂作为吸收层。 密度ó 至少一个导电沟道(7)的掺杂是由吸收层中的金属在存在于衬底表面上的金属网扩散而形成的。 本发明还涉及一种方法 这样的设备。

    EMETTEUR DE RAYONNEMENT AVEC FAISCEAU DE POMPAGE INCLINE

    公开(公告)号:WO2005109584A3

    公开(公告)日:2005-11-17

    申请号:PCT/FR2005/050292

    申请日:2005-05-02

    Abstract: L'invention concerne un dispositif d'émission de rayonnement par pompage optique comprenant : - des moyens (19) d'émission de lumière comportant une première cavité résonnante présentant un premier miroir d'entrée et un miroir de sortie, - des moyens (21) de pompage optique pour émettre un faisceau de pompage de la première cavité, la normale à la face d'entrée de la cavité résonnante étant inclinée d'un angle θ par rapport à la direction de propagation d'un faisceau de pompage (20) . - des moyens pour former une deuxième cavité résonnante pour le faisceau de pompage, lesdits moyens comportant un deuxième miroir d'entrée formant ladite deuxième cavité avec le miroir de sortie de la première cavité, caractérisé en ce qu'il comporte un élément optique transparent à la longueur d' onde de pompage entre les premier et deuxième miroirs d'entrée.

    PROCEDE DE FABRICATION D ' UNE PHOTODIODE ET PHOTODIODE ET DETECTEUR DE RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE CORRESPONDANTS
    3.
    发明申请
    PROCEDE DE FABRICATION D ' UNE PHOTODIODE ET PHOTODIODE ET DETECTEUR DE RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE CORRESPONDANTS 审中-公开
    制作光电子体的方法及相应的光电和电磁辐射检测器

    公开(公告)号:WO2010086543A1

    公开(公告)日:2010-08-05

    申请号:PCT/FR2010/050112

    申请日:2010-01-26

    Inventor: ROTHMAN, Johan

    Abstract: La photodiode fabriquée comprend un empilement de trois couches comprenant une couche intermédiaire (2) interposée entre une première et une deuxième couches ( 1, 3) de semi-conducteurs d'un premier type de conductivité et une région (4) en contact avec au moins la couche intermédiaire (2) et la deuxième couche (3) et s'étendant transversalement par rapport aux plans des trois couches ( 1, 2, 3), ladite région (4) présentant un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. La couche intermédiaire (2) est réalisée en un matériau semi-conducteur du deuxième type de conductivité, une inversion du type de conductivité de la couche intermédiaire (2) depuis le deuxième type de conductivité vers le premier type de conductivité étant induite par les dopants de premier type de conductivité présents dans les première et deuxième couches (1, 3) de façon à former une jonction P-N avec ladite région (4).

    Abstract translation: 本发明的光电二极管包括三层的叠层,包括设置在具有第一类导电性的半导体的第一和第二层(1,3)之间的中间层(2)和与至少 中间层(2)和第二层(3),并且相对于三层(1,2,3)的平面横向延伸,所述区域(4)具有与第一类型的导电性相反的第二类型的导电性 。 中间层(2)由具有第二类导电性的半导体材料制成,中间层(2)的导电类型从第二类导电性转变为由掺杂剂诱发的第一类型的导电性 的第一和第二层(1,3)中的第一类型的导电性,以便与所述区域(4)形成PN结。

    CIRCUIT DE DETECTION PHOTONIQUE A STRUCTURE MESA
    4.
    发明申请
    CIRCUIT DE DETECTION PHOTONIQUE A STRUCTURE MESA 审中-公开
    MESA结构光电子检测电路

    公开(公告)号:WO2005101512A2

    公开(公告)日:2005-10-27

    申请号:PCT/FR2005/050208

    申请日:2005-04-04

    Inventor: ROTHMAN, Johan

    Abstract: L'invention concerne un dispositif de détection photonique, de type MESA, comportant au moins une première jonction, qui comporte elle - même une première couche collectrice (2), des flancs (5) formés ou gravés dans cette couche collectrice, caractérisé en ce que ces flancs comportent au moins partiellement une couche (51) de dopage opposé au dopage de la première couche collectrice.

    Abstract translation: MESA型光子检测装置,其包括至少一个第一接头,该第一接头又包括第一集电器层(2)和在其中形成或蚀刻的侧面(5),其特征在于,所述侧面至少部分地包括相对的层(51) 掺杂到第一集电极层。

    LENTILLE À MÉTASURFACE FOCALISANTE ET FAIBLE ABERRATION CHROMATIQUE

    公开(公告)号:WO2018130786A1

    公开(公告)日:2018-07-19

    申请号:PCT/FR2018/050061

    申请日:2018-01-11

    Abstract: L'invention concerne une lentille à métasurface utilisant un réseau planaire de résonateurs élémentaires, chaque résonateur élémentaire ayant la forme d'une croix dont les bras sont de longueurs inégales. Le déphasage appliqué par un résonateur élémentaire est fonction de son orientation dans le plan de la lentille, l'orientation des différents résonateurs élémentaires est déterminée en fonction de la forme du front d'onde souhaité. Une telle lentille présente une distribution sensiblement uniforme du coefficient de transmission et une faible aberration chromatique. En outre, elle présente une très bonne sélectivité spectrale.

    DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À REVÊTEMENT COMPORTANT DES TRANCHÉES À REVÊTEMENT DE GRANDE BANDE INTERDITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
    6.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2017089527A1

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:PCT/EP2016/078792

    申请日:2016-11-25

    Abstract: L'invention porte sur un dispositif de photo-détection à réseau de diodes et sur son procédé de fabrication. Dans le dispositif, chaque diode du réseau comporte une région d'absorption (20) qui présente une première énergie de bande interdite et une région de collection (30) qui présente un premier type de dopage, et dans les diodes adjacentes dans le réseau sont séparées par une tranchée (50) comportant des flancs et un fond. Le fond et les flancs d'une tranchée (50) forment une couche de stabilisation (60) qui présente un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage et une énergie de bande interdite supérieure à la première énergie de bande interdite des régions d'absorption.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光电检测装置。 二极管网络及其游行 的制造。 在该装置中,网络的每个二极管具有呈现带隙第一能量的吸收区域(20)和呈现二极管阵列的收集区域(30)。 第一种类型的掺杂以及在网络中相邻的二极管中被具有侧面和底部的沟槽(50)隔开。 沟槽(50)的底部和侧面形成具有第二种相反掺杂的稳定层(60)。 第一种类型的掺杂和较高的带隙能量; 第一个带隙能量吸收区域。

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