Abstract:
The inventive protective layer (7) consists of a metal or metal alloy absorbing important thermodynamic deformations without cracking and used for energy storage, in particular the metal or a metal alloy whose expansion ratio is lower than 6.10 -6 °C. Said protective layer can be associated with a second layer (6) made of an insulation ceramic material. A coating method is also disclosed. Said protection is predominantly advantageous for microbatteries (10) whose components are air-reactive.
Abstract:
The invention concerns a method for modifying by thermal effect a characteristic of a first zone (4) of a first material, said method consisting in directing a laser beam towards a second zone (2) made of a second material, diffusing thermal energy from the second zone towards the first zone enabling thereby thermal modification thereof.
Abstract:
The structure has a flat disk shaped substrate (10) provided with physical marks whose geometric configuration defines recorded information. Two dielectric layers (12, 16) and a stoichiometric indium or gallium antimonide layer (14) are superposed above the marks, where the layers (12, 16) are made of zinc sulphide and silicon dioxide compound. A transparent protection layer (18) is arranged above the superposition of the layers. The layer (14) is inserted between the layers (12, 16) and has a polycrystalline structure with a crystalline grain whose mean size ranges from 5 to 50 nanometers. The layer (14) has impurities chosen from tellurium, selenium, sulphur, arsenic, phosphorous, nitrogen, xenon, fluorine, bromine, chlorine and iodine.
Abstract:
The method involves scrolling a laser beam on physical marks, where the beam has power 30 percent lesser than power of reading blue laser that reads information recorded in a super-resolution on an optical disk. The recorded information is defined by a geometric configuration of the marks, and two dielectric layers (12, 16) and a stoichiometric indium or gallium antimonide layer (14) are superposed above the marks, where the layers (12, 16) are made of zinc sulphide and silicon dioxide compound. A transparent protection layer (18) is arranged above the superposition of the layers (12, 16).
Abstract:
L'invention concerne le stockage optique d'informations.Selon l'invention, on propose une structure de stockage optique d'informations à haute résolution, comprenant un substrat (10) pourvu de marques physiques dont la configuration géométrique définit l'information enregistrée, une superposition de trois couches au-dessus des marques du substrat, et une couche de protection transparente au-dessus de cette superposition, la superposition comprenant une couche d'antimoniure d'indium ou de gallium (14) insérée entre deux couches diélectriques (12, 16) de Zns-SiO2.Les informations peuvent être préenregistrées dans le substrat avec une résolution (dimensions et espacement) supérieure à la résolution théorique de lecture permise par la longueur d'onde du laser de lecture. La non-linéarité de comportement de la superposition de trois couches permet de lire les informations si la puissance du laser est bien choisie.
Abstract:
LA PRESENTE INVENTION A POUR OBJET UN BLOC CONTENANT DES DECHETS EN VUE DE LEUR STOCKAGE AINSI QU'UN PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL BLOC. LES DECHETS SONT D'ABORD MELANGES A UN CIMENT OU, SI LEUR COMPOSITION LE PERMET, TRANSFORMES EN CIMENT PAR ADJONCTION D'UNE SUBSTANCE APPROPRIEE. LE PRODUIT OBTENU, EVENTUELLEMENT ADDITIONNE D'EAU, EST ENSUITE MELANGE AVEC UNE RESINE ADDITIONNEE D'UN DURCISSEUR ET ON LAISSE DURCIR LE CIMENT ET LA RESINE. APPLICATION A L'ENROBAGE DE DECHETS RADIOACTIFS EN VUE DE LEUR STOCKAGE.
Abstract:
L'invention concerne un dispositif optoélectronique (35) comprenant un support (40) comprenant une face (14) ; et une diode électroluminescente sur ladite face et comprenant un empilement de couches semiconductrices (16, 18, 20) en des matériaux semiconducteurs à structure cristalline non centrosymétrique, la diode électroluminescente ayant une zone active (18) comprenant un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples, la zone active étant mise sous contrainte, la déformation relative maximale dans la zone active étant comprise, en valeur absolue, entre 0,1 % et 5 %.