3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:FR2914775B1

    公开(公告)日:2009-05-15

    申请号:FR0702561

    申请日:2007-04-06

    Abstract: The structure has a flat disk shaped substrate (10) provided with physical marks whose geometric configuration defines recorded information. Two dielectric layers (12, 16) and a stoichiometric indium or gallium antimonide layer (14) are superposed above the marks, where the layers (12, 16) are made of zinc sulphide and silicon dioxide compound. A transparent protection layer (18) is arranged above the superposition of the layers. The layer (14) is inserted between the layers (12, 16) and has a polycrystalline structure with a crystalline grain whose mean size ranges from 5 to 50 nanometers. The layer (14) has impurities chosen from tellurium, selenium, sulphur, arsenic, phosphorous, nitrogen, xenon, fluorine, bromine, chlorine and iodine.

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:FR2914774B1

    公开(公告)日:2009-05-15

    申请号:FR0702562

    申请日:2007-04-06

    Abstract: The method involves scrolling a laser beam on physical marks, where the beam has power 30 percent lesser than power of reading blue laser that reads information recorded in a super-resolution on an optical disk. The recorded information is defined by a geometric configuration of the marks, and two dielectric layers (12, 16) and a stoichiometric indium or gallium antimonide layer (14) are superposed above the marks, where the layers (12, 16) are made of zinc sulphide and silicon dioxide compound. A transparent protection layer (18) is arranged above the superposition of the layers (12, 16).

    SUPPORT DE STOCKAGE D'INFORMATIONS OPTIQUES A HAUTE RESOLUTION

    公开(公告)号:FR2912539A1

    公开(公告)日:2008-08-15

    申请号:FR0700938

    申请日:2007-02-09

    Abstract: L'invention concerne le stockage optique d'informations.Selon l'invention, on propose une structure de stockage optique d'informations à haute résolution, comprenant un substrat (10) pourvu de marques physiques dont la configuration géométrique définit l'information enregistrée, une superposition de trois couches au-dessus des marques du substrat, et une couche de protection transparente au-dessus de cette superposition, la superposition comprenant une couche d'antimoniure d'indium ou de gallium (14) insérée entre deux couches diélectriques (12, 16) de Zns-SiO2.Les informations peuvent être préenregistrées dans le substrat avec une résolution (dimensions et espacement) supérieure à la résolution théorique de lecture permise par la longueur d'onde du laser de lecture. La non-linéarité de comportement de la superposition de trois couches permet de lire les informations si la puissance du laser est bien choisie.

    DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODE ELECTROLUMINESCENTE

    公开(公告)号:FR3023978A1

    公开(公告)日:2016-01-22

    申请号:FR1456937

    申请日:2014-07-18

    Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique (35) comprenant un support (40) comprenant une face (14) ; et une diode électroluminescente sur ladite face et comprenant un empilement de couches semiconductrices (16, 18, 20) en des matériaux semiconducteurs à structure cristalline non centrosymétrique, la diode électroluminescente ayant une zone active (18) comprenant un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples, la zone active étant mise sous contrainte, la déformation relative maximale dans la zone active étant comprise, en valeur absolue, entre 0,1 % et 5 %.

Patent Agency Ranking