公开(公告)号：FR3131086B1

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：FR2113677

申请日：2021-12-16

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CHARBONNIER JEAN ,  ASSOUS MYRIAM ,  BEDECARRATS THOMAS ,  RAMBAL NILS ,  VINET MAUD

IPC: G06N10/40

Abstract: Réalisation d’un dispositif quantique à Qbits de spin comprenant un substrat de type semi-conducteur sur isolant, le substrat étant doté d’une couche semi-conductrice superficielle, la couche semi-conductrice superficielle étant disposée sur une couche isolante, la couche isolante étant agencée sur une face supérieure d’une couche de support semi-conductrice, le dispositif étant muni d’au moins un composant formé d’un ou plusieurs ilots quantiques s’étendant dans la couche semi-conductrice superficielle (12) et d’une ou plusieurs électrodes de grilles pour le contrôle électrostatique des ilots quantiques, lesdites électrodes de grilles avant étant disposées sur la couche semi-conductrice superficielle, le composant étant doté en outre d’une grille de contrôle électrostatique arrière, ladite grille de contrôle arrière étant formée d’une couche conductrice (119) tapissant des parois latérales et un fond d’une ouverture (517) traversant ladite couche de support semi-conductrice depuis une face inférieure de ladite couche de support opposée à ladite face supérieure jusqu’à ladite couche isolante (11) du substrat, ladite couche conductrice (119) étant disposée, au fond de l’ouverture (517), contre et avantageusement en contact avec ladite couche isolante du substrat, ladite couche conductrice (119) étant disposée contre et en contact avec ladite couche de support semi-conductrice au niveau desdites parois latérales de ladite ouverture. Figure pour l’abrégé : 6

公开(公告)号：FR3147031B1

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：FR2302705

申请日：2023-03-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NIEBOJEWSKI HEIMANU ,  BERTRAND BENOIT ,  BEDECARRATS THOMAS

IPC: G06N10/40

Abstract: CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ Un aspect de l’invention concerne un circuit (1) électronique comprenant : une couche semiconductrice (2), dite « couche qubits » ;une couche de séparation (42) s'étendant au contact de la couche qubits (2) ;des premières électrodes conductrices (61), dites « lignes de couplage », s'étendant parallèlement à la couche qubits (2) ;des deuxièmes électrodes conductrices (62), dites « colonnes de couplage », s'étendant parallèlement à la couche qubits (2) ;des troisièmes électrodes conductrices (71), dites « lignes de contrôle », s'étendant sur l’espaceur (42) ; etdes vias conducteurs (72), dits « vias de contrôle », s’étendant perpendiculairement à la face couche qubits (2) depuis l’espaceur (42) et présentant une extrémité disposée à proximité de la couche qubits (2). Figure à publier avec l’abrégé : figure 1

公开(公告)号：FR3118961A1

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：FR2100454

申请日：2021-01-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BEDECARRATS THOMAS ,  CHARBONNIER JEAN ,  VINET MAUD ,  JACQUINOT HÉLÈNE ,  NIQUET YANN-MICHEL ,  THOMAS CANDICE

IPC: B82Y10/00

Abstract: Dispositif (100), comportant : - une portion semi-conductrice (102) comprenant une première région (104) disposée entre deux deuxièmes régions (106) ; - une première grille de commande (107) disposée en contact direct avec la première région et configurée pour contrôler un niveau minimum d’énergie potentielle dans la première région, et disposée en contact direct avec une première face (112) de la portion semi-conductrice ; - des deuxièmes grilles de commande électrostatique (109), chacune disposée en contact direct avec l’une des deuxièmes régions et configurée pour contrôler un niveau maximum d’énergie potentielle dans l’une des deuxièmes régions, et disposée en contact direct avec une deuxième face (118), opposée à la première face, de la portion semi-conductrice, et dans lequel la première grille n’est pas alignée avec les deuxièmes grilles. Figure pour l’abrégé : figure 1.