中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

143 records (took 0.027 seconds)

    PROCESS FOR MONOLITHIC SERIES CONNECTION OF THE PHOTOVOLTAIC CELLS OF A SOLAR MODULE AND A PHOTOVOLTAIC MODULE IMPLEMENTING THIS PROCESS
    1.
    发明申请
    PROCESS FOR MONOLITHIC SERIES CONNECTION OF THE PHOTOVOLTAIC CELLS OF A SOLAR MODULE AND A PHOTOVOLTAIC MODULE IMPLEMENTING THIS PROCESS 审中-公开
    太阳能模块的光伏电池和实现本工艺的光伏组件的单片串联连接的方法

    公开(公告)号：WO2012117182A2

    公开(公告)日：2012-09-07

    申请号：PCT/FR2012050348

    申请日：2012-02-17

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  SEILER ANNE-LAURE ,  CORONEL PHILIPPE ,  DUFOURCQ JOEL

    Inventor： SEILER ANNE-LAURE ,  CORONEL PHILIPPE ,  DUFOURCQ JOEL

    IPC: H01L27/142 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/0504 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/50

    Abstract: The invention relates to a process for manufacturing two photovoltaic cells (12, 14) connected in series, which process comprises: producing an insulating substrate (32); forming a multilayer comprising - a first conductive layer (30) formed on the substrate (30), a semiconductor layer (36) comprising a first absorbing layer (38) and a second semiconductor layer (40) forming a junction with the first absorbing layer (38), and a second transparent conductive layer (44) formed on the absorbing layer (36); and forming a region (78) that divides the multilayer into two cells (12, 14) connected in series by an electrical path. The formation of said path comprises: forming a first trench (70) down to the substrate (32); forming a second trench (72) down to the first conductive layer (30); and depositing a conductive solution (76) into the first trench (70) and at least into a portion of the second trench (72) such that the solution (76) that penetrates into the first trench (70) does not reach the first conductive layer (30) and the solution (76) that penetrates into the second trench (72) reaches the first conductive layer (30).

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造串联连接的两个光伏电池（12,14）的方法，该方法包括：制备绝缘基板（32）; 形成多层，其包括：形成在所述衬底（30）上的第一导电层（30），包含第一吸收层（38）和形成与所述第一吸收层的接合的第二半导体层（40）的半导体层 （38）和形成在吸收层（36）上的第二透明导电层（44）。 以及形成将多层分成通过电路串联连接的两个电池（12,14）的区域（78）。 所述路径的形成包括：向下形成第一沟槽（70）到衬底（32）; 形成到所述第一导电层（30）的第二沟槽（72）; 以及将导电溶液（76）沉积到所述第一沟槽（70）中并且至少进入所述第二沟槽（72）的一部分，使得穿透到所述第一沟槽（70）中的所述溶液（76）不达到所述第一导电 层（30）和渗入第二沟槽（72）的溶液（76）到达第一导电层（30）。

    ORGANIC DUAL-GATE MEMORY AND METHOD FOR PRODUCING SAME
    3.
    发明申请
    ORGANIC DUAL-GATE MEMORY AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
    有机双门记忆及其生产方法

    公开(公告)号：WO2011042619A3

    公开(公告)日：2011-06-03

    申请号：PCT/FR2010000650

    申请日：2010-09-30

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  GWOZIECKI ROMAIN ,  BENWADIH MOHAMED ,  CORONEL PHILIPPE ,  JACOB STEPHANIE

    Inventor： GWOZIECKI ROMAIN ,  BENWADIH MOHAMED ,  CORONEL PHILIPPE ,  JACOB STEPHANIE

    IPC: H01L51/10

    CPC classification number: H01L51/0554 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0516

    Abstract: The organic memory device is a dual-gate transistor which comprises, in series, a first gate electrode (4), a first gate dielectric (6), an organic semiconductor material (2), a second gate dielectric (7) and a second gate electrode (8). Source and drain electrodes (5) are arranged in the organic semiconductor material (2) and define an inter-electrode surface. An entrapment area (9) is arranged between the organic semiconductor material (2) and one of the gate electrodes (4, 8), and electrically contacts one of the gate electrodes (4, 8) or the organic semiconductor material (2). The entrapment area (9) is at least opposite the inter-electrode surface.

    Abstract translation: 有机存储器件是双栅极晶体管，其串联包括第一栅极电极（4），第一栅极电介质（6），有机半导体材料（2），第二栅极电介质（7）和第二栅极电介质 栅电极（8）。 源极和漏极（5）布置在有机半导体材料（2）中并限定电极间表面。 在有机半导体材料（2）和栅极电极（4,8）之间设置有捕获区域（9），并与其中一个栅电极（4,8）或有机半导体材料（2）电接触。 捕获区域（9）至少与电极间表面相对。

    Polymère supramoléculaire multi-états
    4.
    发明专利
    Polymère supramoléculaire multi-états 未知

    公开(公告)号：FR3099481B1

    公开(公告)日：2022-01-28

    申请号：FR1908713

    申请日：2019-07-30

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： PICARD LIONEL ,  CORONEL PHILIPPE

    IPC: C08G65/333 ,  B29C73/16 ,  C08L71/02 ,  C09J171/02

    Abstract: Polymère supramoléculaire multi-états La présente invention concerne un polymère supramoléculaire susceptible d’être obtenu par la réaction d’au moins un polymère téléchélique, dit « pré-polymère », formé d’un polyéther linéaire dont chacune des extrémités est fonctionnalisée par un groupe réactif, ledit pré-polymère présentant une masse molaire moyenne en nombre comprise entre 1700 et 2100 g.mol-1, avec au moins un groupe associatif fonctionnalisé par un groupe réactif susceptible de réagir avec les groupes réactifs du pré-polymère fonctionnalisé, ledit groupe associatif étant capable de former au moins trois liaisons hydrogène, de préférence au moins quatre liaisons hydrogène, préférentiellement quatre liaisons hydrogène. Elle concerne encore un matériau polymérique supramoléculaire à base d’au moins un tel polymère supramoléculaire, ainsi qu’un article formé en tout ou partie d’un tel matériau polymérique supramoléculaire. Figure pour l’abrégé : Fig.2

    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION ET A CONTACTS EN FACE ARRIERE
    5.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HETEROJONCTION ET A CONTACTS EN FACE ARRIERE 未知

    公开(公告)号：FR3061359B1

    公开(公告)日：2019-05-24

    申请号：FR1663476

    申请日：2016-12-28

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： HARRISON SAMUEL ,  ARGOUD MAXIME ,  BUSTOS JESSY ,  CORONEL PHILIPPE ,  TIRON RALUCA

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

    Abstract: La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque (100) à hétérojonction et à contacts en face arrière, le procédé comportant les étapes suivantes : - fournir un substrat (1) comprenant un matériau semi-conducteur cristallin ; - former un empilement (2) sur une face arrière (BS) du substrat, l'empilement comportant au moins une première couche semi-conductrice (21) comprenant un matériau semi-conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité ; - déposer une couche (4) d'un copolymère à blocs sur l'empilement ; - assembler le copolymère à blocs ; - éliminer sélectivement une première phase (42) du copolymère à blocs assemblé, la couche de copolymère à blocs restante formant des motifs en creux (420) ; - transférer les motifs en creux de la couche de copolymère à blocs restante dans l'empilement jusqu'à atteindre la face arrière du substrat ; - déposer, sur la face arrière du substrat, une deuxième couche semi-conductrice (51) comprenant un matériau semi-conducteur amorphe dopé d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, la deuxième couche semi-conductrice remplissant les motifs en creux transférés dans l'empilement.

    REALISATION D'ELEMENTS D'INTERCONNEXIONS AUTO-ALIGNES POUR CIRCUIT INTEGRE 3D
    6.
    发明专利
    REALISATION D'ELEMENTS D'INTERCONNEXIONS AUTO-ALIGNES POUR CIRCUIT INTEGRE 3D 未知

    公开(公告)号：FR3059148A1

    公开(公告)日：2018-05-25

    申请号：FR1661386

    申请日：2016-11-23

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： FENOUILLET-BERANGER CLAIRE ,  MATHIEU BENOIT ,  CORONEL PHILIPPE

    IPC: H01L21/335 ,  H01L23/52

    Abstract: Procédé de réalisation de transistors pour un circuit intégré 3D comprenant : a) former sur un niveau donné de transistors réalisés dans une première couche semi-conductrice : un empilement comprenant une première région d'une deuxième zone semi-conductrice adaptée pour accueillir un canal d'un transistor de type N et une deuxième région de la deuxième zone semi-conductrice adaptée pour accueillir un canal d'un transistor de type P d'un niveau supérieur au niveau donné, l'empilement comprenant en outre une couche (40) continue en matériau conducteur ou semi-conducteur dopé et appelée plan de masse, ainsi qu'une couche isolante entre la couche de plan de masse et la deuxième couche semi-conductrice, puis b) exposer à un laser (L) une ou plusieurs zones du circuit de sorte à effectuer au moins un recuit thermique, les zones exposées étant situées du côté d'une face supérieure de la couche continue de plan de masse, la couche continue de plan de masse étant configurée de sorte à protéger du laser une partie du circuit située du côté d'une face inférieure de la couche continue de plan de masse, puis c) effectuer une découpe de la couche (40) continue de plan de masse en au moins une première portion et au moins une deuxième portion disjointe de la première portion, la première portion étant configurée pour permettre de polariser la première région, la deuxième portion étant configurée pour permettre de polariser la deuxième région.

    dispositivo de detecção de água autônomo que compreende uma fonte de hidrogênio
    8.
    发明专利
    dispositivo de detecção de água autônomo que compreende uma fonte de hidrogênio 未知

    公开(公告)号：BR112012018550A2

    公开(公告)日：2016-05-03

    申请号：BR112012018550

    申请日：2011-01-20

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： LAURENT JEAN-YVES ,  THERY JESSICA ,  CORONEL PHILIPPE ,  FAUCHEUX VINCENT

    IPC: G01N27/416 ,  H01M8/06

    Abstract: dispositivo de detecção de água autônomo que compreende uma fonte de hidrogênio a presente invenção refere-se a um dipositivo de detecção de água que compreende pelo menos uma pilha de combustível que compreende um primeiro eletrodo (2), uma camada de eletrólito (3) , um n segundo eletrodo (4) e um dispositivo de mediaçãon elétrico (5) caracterizado pelo fato de que o primeiro eletrodo da pilha está em contato com uma primeira face de um substrato feito de silício poroso (1) que compreende ligações si-h, de maneira a liberar um fluxo de hidrogênio em presença de água . vantajosamente , o substrato de silício poroso é integrado em uma primeira caixa (6) permeável à água , a pilha de combustível sendo integrada em uma segunda caixa (8) a dita segunda caixa sendo impermeável à água e permeável ao oxigênio.

Patent Agency Ranking