公开(公告)号：WO2013050683A9

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/FR2012052100

申请日：2012-09-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  ARGOUD MAXIME ,  DA FONSECA JÉRÉMY ,  MORICEAU HUBERT

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0603 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

Abstract: Method of transferring a layer (1) comprising: a) providing a layer (1) integral with an initial substrate with a binding energy EO; b) bonding a front face (8) of the layer (1) to an intermediate substrate (5) according to an intermediate binding energy Ei; c) detaching the initial substrate from the layer (1) e) bonding a rear face to a final substrate (11) according to a final binding energy Ef; and f) detaching the intermediate substrate (5) from the layer (1) to transfer the layer (1) to the final substrate (11); step b) comprising a step of forming Si-O-Si siloxane bonds, step c) being carried out in a first anhydrous atmosphere and step f) being carried out in a second humid atmosphere in such a way that intermediate binding energy Ei takes a first value Ei1 in step c) and a second value Ei2 in step f), where Ei1 > E0 and Ei2

Abstract translation: 传送层（1）的方法，包括：a）提供与初始衬底成一体的层（1），其具有结合能量EO; b）根据中间结合能Ei将层（1）的前表面（8）粘合到中间基底（5）; c）从层（1）分离初始衬底; e）根据最终结合能Ef将背面粘合到最终衬底（11）; 以及f）从所述层（1）分离所述中间衬底（5）以将所述层（1）转移到所述最终衬底（11）; 步骤b）包括形成Si-O-Si硅氧烷键的步骤，步骤c）在第一无水气氛中进行，步骤f）在第二湿度气氛中进行，使得中间结合能E i取 步骤c）中的第一值Ei1和步骤f）中的第二值Ei2，其中Ei1> E0和Ei2

公开(公告)号：FR3061359A1

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：FR1663476

申请日：2016-12-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： HARRISON SAMUEL ,  ARGOUD MAXIME ,  BUSTOS JESSY ,  CORONEL PHILIPPE ,  TIRON RALUCA

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque (100) à hétérojonction et à contacts en face arrière, le procédé comportant les étapes suivantes : - fournir un substrat (1) comprenant un matériau semi-conducteur cristallin ; - former un empilement (2) sur une face arrière (BS) du substrat, l'empilement comportant au moins une première couche semi-conductrice (21) comprenant un matériau semi-conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité ; - déposer une couche (4) d'un copolymère à blocs sur l'empilement ; - assembler le copolymère à blocs ; - éliminer sélectivement une première phase (42) du copolymère à blocs assemblé, la couche de copolymère à blocs restante formant des motifs en creux (420) ; - transférer les motifs en creux de la couche de copolymère à blocs restante dans l'empilement jusqu'à atteindre la face arrière du substrat ; - déposer, sur la face arrière du substrat, une deuxième couche semi-conductrice (51) comprenant un matériau semi-conducteur amorphe dopé d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, la deuxième couche semi-conductrice remplissant les motifs en creux transférés dans l'empilement.

公开(公告)号：FR2980919B1

公开(公告)日：2014-02-21

申请号：FR1158944

申请日：2011-10-04

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  ARGOUD MAXIME ,  DA FONSECA JEREMY ,  MORICEAU HUBERT

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/302

公开(公告)号：FR2980996A1

公开(公告)日：2013-04-12

申请号：FR1158994

申请日：2011-10-05

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MORICEAU HUBERT ,  ARGOUD MAXIME ,  ZUSSY MARC

IPC: B26D7/01 ,  B23D59/00

Abstract: Procédé de réalisation d'au moins une opération mécanique sur une structure (10) comportant au moins une première couche (12) empilée sur au moins une deuxième couche (14), la première couche étant composée d'au moins un matériau dont le module d'Young est supérieur ou égal à environ 50 GPa et supérieur à celui d'au moins un matériau dont est composée la deuxième couche, comportant au moins les étapes de : - amincissement de la première couche, localisé au niveau d'au moins une zone (20) de la structure destinée à subir une application d'une force d'appui lors de la mise en oeuvre de l'opération mécanique, - mise en oeuvre de l'opération mécanique comportant l'application de la force d'appui localisée sur au moins une partie ladite zone de la structure.

公开(公告)号：FR3093861B1

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：FR1902486

申请日：2019-03-12

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： SUHM AURÉLIEN ,  ARGOUD MAXIME

IPC: H01L23/31

Abstract: L’invention concerne un procédé d’enrobage de puces (110) reposant, par une face arrière opposée à une face avant, sur une face principale d’un substrat support (100), et séparées les unes des autres par un espace inter puce, le procédé comprend les étapes suivantes :a) une étape de formation d’un film d’enrobage photosensible en recouvrement des faces avant et des espaces inter puce,b) une première séquence photo lithographique qui comprend une sous-étape b1) d’insolation, et une sous-étape b2) de dissolution, ladite séquence conduisant à un retrait partiel du film d’enrobage photosensible de manière à conserver ledit film exclusivement au niveau des espaces inter puce et, avantageusement en retrait par rapport aux faces avant. Figure pour l’abrégé : figure 2d.

公开(公告)号：FR3093861A1

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：FR1902486

申请日：2019-03-12

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： SUHM AURÉLIEN ,  ARGOUD MAXIME

IPC: H01L23/31

Abstract: L’invention concerne un procédé d’enrobage de puces (110) reposant, par une face arrière opposée à une face avant, sur une face principale d’un substrat support (100), et séparées les unes des autres par un espace inter puce, le procédé comprend les étapes suivantes :a) une étape de formation d’un film d’enrobage photosensible en recouvrement des faces avant et des espaces inter puce,b) une première séquence photo lithographique qui comprend une sous-étape b1) d’insolation, et une sous-étape b2) de dissolution, ladite séquence conduisant à un retrait partiel du film d’enrobage photosensible de manière à conserver ledit film exclusivement au niveau des espaces inter puce et, avantageusement en retrait par rapport aux faces avant. Figure pour l’abrégé : figure 2d.

公开(公告)号：SG11201504292QA

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：SG11201504292Q

申请日：2013-12-16

Applicant: ARKEMA FRANCE ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NAVARRO CHRISTOPHE ,  ARGOUD MAXIME ,  CHEVALIER XAVIER ,  TIRON RALUCA ,  GHARBI AHMED

IPC: G03F7/32 ,  C08L53/00 ,  G03F7/00

公开(公告)号：FR2961515B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：FR1054969

申请日：2010-06-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： ARGOUD MAXIME ,  MORICEAU HUBERT ,  FRETIGNY CHRISTIAN

IPC: C08J7/04 ,  C23C14/48

公开(公告)号：FR3057991B1

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：FR1660231

申请日：2016-10-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CLAVEAU GUILLAUME ,  ARGOUD MAXIME ,  POSSEME NICOLAS ,  TIRON RALUCA

IPC: H01L21/027 ,  B01J19/24 ,  C08L53/00 ,  H01L21/20

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un guide d'assemblage fonctionnalisé (300) destiné à l'auto-assemblage d'un copolymère à blocs, comprenant les étapes suivantes : - former à la surface d'un substrat (200) une couche de fonctionnalisation (210) en un premier matériau présentant une première affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs ; - former sur la couche de fonctionnalisation (210) un premier masque comprenant au moins un évidement ; - déposer un deuxième matériau présentant une deuxième affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs, de façon à remplir ledit au moins un évidement du premier masque ; et - graver le premier masque sélectivement par rapport aux premier et deuxième matériaux, d'où il résulte au moins un motif (320a-320b) formé du deuxième matériau disposé sur la couche de fonctionnalisation (210).

公开(公告)号：FR3061359B1

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：FR1663476

申请日：2016-12-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： HARRISON SAMUEL ,  ARGOUD MAXIME ,  BUSTOS JESSY ,  CORONEL PHILIPPE ,  TIRON RALUCA

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque (100) à hétérojonction et à contacts en face arrière, le procédé comportant les étapes suivantes : - fournir un substrat (1) comprenant un matériau semi-conducteur cristallin ; - former un empilement (2) sur une face arrière (BS) du substrat, l'empilement comportant au moins une première couche semi-conductrice (21) comprenant un matériau semi-conducteur amorphe dopé d'un premier type de conductivité ; - déposer une couche (4) d'un copolymère à blocs sur l'empilement ; - assembler le copolymère à blocs ; - éliminer sélectivement une première phase (42) du copolymère à blocs assemblé, la couche de copolymère à blocs restante formant des motifs en creux (420) ; - transférer les motifs en creux de la couche de copolymère à blocs restante dans l'empilement jusqu'à atteindre la face arrière du substrat ; - déposer, sur la face arrière du substrat, une deuxième couche semi-conductrice (51) comprenant un matériau semi-conducteur amorphe dopé d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, la deuxième couche semi-conductrice remplissant les motifs en creux transférés dans l'empilement.