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    METHODE DE DETERMINATION D'AU MOINS UNE CARACTERISTIQUE PHYSIQUE OU MECANIQUE D'UN FILM MINCE CRISTALLIN PAR DIFFRACTION
    1.
    发明专利
    METHODE DE DETERMINATION D'AU MOINS UNE CARACTERISTIQUE PHYSIQUE OU MECANIQUE D'UN FILM MINCE CRISTALLIN PAR DIFFRACTION 未知

    公开(公告)号：FR3075963B1

    公开(公告)日：2020-01-24

    申请号：FR1763168

    申请日：2017-12-22

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： GERGAUD PATRICE

    IPC: G01N23/20

    Abstract: Méthode de détermination du coefficient de dilatation thermique d'un film mince en matériau cristallin déposé sur un substrat, comportant : a) la structuration d'une partie au moins du film mince cristallin de sorte à former un réseau de plots dont la hauteur est au moins égale à l'épaisseur du film mince, b) la mesure du paramètre de maille du matériau du film mince par diffraction dans le réseau à plusieurs températures données, c) détermination du coefficient de dilatation thermique à partir des paramètres de mailles mesurés aux différentes températures.

    Procédé de mesure par T-SAXS d’un défaut de recouvrement affectant un motif de contrôle porté par un composant microélectronique ; système instrumental et produit programme d’ordinateur associés.
    2.
    发明专利
    Procédé de mesure par T-SAXS d’un défaut de recouvrement affectant un motif de contrôle porté par un composant microélectronique ; système instrumental et produit programme d’ordinateur associés. 未知

    公开(公告)号：FR3146208B1

    公开(公告)日：2025-03-28

    申请号：FR2301672

    申请日：2023-02-23

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： FREYCHET GUILLAUME ,  GERGAUD PATRICE

    IPC: G01N23/00

    Abstract: Procédé de mesure par T-SAXS d’un défaut de recouvrement affectant un motif de contrôle porté par un composant microélectronique ; système instrumental et produit programme d’ordinateur associés. Ce procédé (100) mesure, par une technique de diffusion des rayons X aux petits angles par transmission, un défaut affectant un motif résultant de la superposition de deux réseaux de lignes portés par un composant microélectronique, un repère xyz étant associé au composant, les lignes étant orientées selon la direction y et les réseaux étant superposés selon la direction z. Ce procédé consiste à : acquérir (110) des mesures d’intensité pour une pluralité d’angles d’incidence du faisceau de rayons X ; reconstruire (120), à partir des mesures d’intensité, deux tiges de Bragg ; déterminer (130) un angle de translation à partir d’un écart entre les positions selon la fréquence spatiale qz des maximums principaux des deux tiges de Bragg ; et déterminer (140) un angle de déformation à partir d’un écart entre les positions selon la fréquence spatiale qz des ième maximums secondaires des deux tiges de Bragg. Figure pour l'abrégé : Figure 7

    METHODE DE DETERMINATION D'AU MOINS UNE CARACTERISTIQUE PHYSIQUE OU MECANIQUE D'UN FILM MINCE CRISTALLIN PAR DIFFRACTION
    3.
    发明专利
    METHODE DE DETERMINATION D'AU MOINS UNE CARACTERISTIQUE PHYSIQUE OU MECANIQUE D'UN FILM MINCE CRISTALLIN PAR DIFFRACTION 未知

    公开(公告)号：FR3075963A1

    公开(公告)日：2019-06-28

    申请号：FR1763168

    申请日：2017-12-22

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： GERGAUD PATRICE

    IPC: G01N23/20

    Abstract: Méthode de détermination du coefficient de dilatation thermique d'un film mince en matériau cristallin déposé sur un substrat, comportant : a) la structuration d'une partie au moins du film mince cristallin de sorte à former un réseau de plots dont la hauteur est au moins égale à l'épaisseur du film mince, b) la mesure du paramètre de maille du matériau du film mince par diffraction dans le réseau à plusieurs températures données, c) détermination du coefficient de dilatation thermique à partir des paramètres de mailles mesurés aux différentes températures.

    PROCEDE DE DETERMINATION DE LA VARIATION D'INTENSITE DIFFRACTEE PAR UN RESEAU BIDIMENSIONNEL ORGANISE LE LONG D'UNE DIRECTION DONNEE
    5.
    发明专利
    PROCEDE DE DETERMINATION DE LA VARIATION D'INTENSITE DIFFRACTEE PAR UN RESEAU BIDIMENSIONNEL ORGANISE LE LONG D'UNE DIRECTION DONNEE 未知

    公开(公告)号：FR3077139B1

    公开(公告)日：2021-02-26

    申请号：FR1850607

    申请日：2018-01-25

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： GERGAUD PATRICE ,  FREYCHET GUILLAUME

    IPC: G01N23/20 ,  G01N21/17 ,  G02B27/44

    Abstract: Méthode de détermination, par diffraction en transmission d'un faisceau incident, de la variation d'intensité diffractée par un réseau bidimensionnel organisé d'un échantillon (E) dans une direction donnée (qz) orthogonale au plan du réseau bidimensionnel, comportant : - mise en place de l'échantillon (E) comportant le réseau bidimensionnel organisé de sorte que la direction donnée (qz) forme un angle (ψ) avec la direction du faisceau incident, - mise en rotation du réseau bidimensionnel organisé autour de la direction donnée (qz), - acquisition d'un cliché de diffraction pendant au moins un quart de révolution du réseau bidimensionnel organisé autour de la direction donnée (qz), - arrêt de la rotation, - extraction de la variation d'intensité diffractée dans la direction donnée (qz).

    PROCEDE DE DETERMINATION DE LA VARIATION D'INTENSITE DIFFRACTEE PAR UN RESEAU BIDIMENSIONNEL ORGANISE LE LONG D'UNE DIRECTION DONNEE
    6.
    发明专利
    PROCEDE DE DETERMINATION DE LA VARIATION D'INTENSITE DIFFRACTEE PAR UN RESEAU BIDIMENSIONNEL ORGANISE LE LONG D'UNE DIRECTION DONNEE 未知

    公开(公告)号：FR3077139A1

    公开(公告)日：2019-07-26

    申请号：FR1850607

    申请日：2018-01-25

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： GERGAUD PATRICE ,  FREYCHET GUILLAUME

    IPC: G01N23/20 ,  G01N21/17 ,  G02B27/44

    Abstract: Méthode de détermination, par diffraction en transmission d'un faisceau incident, de la variation d'intensité diffractée par un réseau bidimensionnel organisé d'un échantillon (E) dans une direction donnée (qz) orthogonale au plan du réseau bidimensionnel, comportant : - mise en place de l'échantillon (E) comportant le réseau bidimensionnel organisé de sorte que la direction donnée (qz) forme un angle (ψ) avec la direction du faisceau incident, - mise en rotation du réseau bidimensionnel organisé autour de la direction donnée (qz), - acquisition d'un cliché de diffraction pendant au moins un quart de révolution du réseau bidimensionnel organisé autour de la direction donnée (qz), - arrêt de la rotation, - extraction de la variation d'intensité diffractée dans la direction donnée (qz).

    PROCEDE DE REALISATION DE CONTACT INTERMETALLIQUE A BASE DE NI SUR INXGA1-XAS
    7.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION DE CONTACT INTERMETALLIQUE A BASE DE NI SUR INXGA1-XAS 未知

    公开(公告)号：FR3068511A1

    公开(公告)日：2019-01-04

    申请号：FR1756022

    申请日：2017-06-29

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： RODRIGUEZ PHILIPPE ,  ZHIOU SEIFEDDINE ,  NEMOUCHI FABRICE ,  GERGAUD PATRICE

    IPC: H01L23/532 ,  C30B31/02 ,  H01L21/225

    Abstract: L'invention a pour objet un procédé de fabrication de contact intermétallique à la surface d'une couche ou d'un substrat de matériau lnxGa1-xAs orientée (100) avec 0 = x = 1, ledit contact comprenant un composé intermétallique de Ni-InGaAs ledit composé intermétallique ayant une structure cristallographique hexagonale pouvant présenter : - une première texture dont des plans (1010) du composé intermétallique sont parallèles à la surface de ladite couche ou dudit substrat et formée à une première température de nucléation ou - une seconde texture dont les plans (0001) du composé intermétallique sont parallèles aux plans (111) de ladite couche ou dudit substrat et formée à une seconde température de nucléation supérieure à ladite première température de nucléation ; ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - l'élaboration d'abaques définissant pour une épaisseur de Ni déposé sur ledit matériau lnxGa1-xAs, le temps nécessaire pour consommer totalement l'épaisseur initiale de Ni déposé sur ledit matériau lnxGa1-xAs en fonction de la température de recuit, ladite température de recuit étant inférieure à ladite température de nucléation de ladite seconde texture ; - le dépôt localisé de Ni à la surface dudit matériau lnxGa1-xAs pour former une couche de Ni présentant une épaisseur de contact ; - une étape de recuit appliquant le couple de paramètres : temps nécessaire/ température de recuit, déduit desdites abaques en corrélation avec ladite épaisseur de contact de manière à former par réaction à l'état solide une couche de composé intermétallique de première texture.

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