公开(公告)号：FR2957687A1

公开(公告)日：2011-09-23

申请号：FR1003481

申请日：2010-08-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： IMBERT JEAN LOUIS ,  VANNUFFEL CYRIL

IPC: G03F7/22 ,  G02B13/14 ,  G02B27/42 ,  G03F7/20

Abstract: L'invention concerne un photorépéteur pour l'exposition de résines lithographiques, notamment en extrême ultra-violet. Selon l'invention, le photorépéteur comporte une optique de projection comportant un cadre rigide épais ayant au moins une ouverture sur laquelle est tendue une membrane mince transparente en extrême ultraviolet d'une épaisseur maximale de 300 nanomètres portant un motif de gravures conférant à la membrane mince une fonction d'optique diffractive en transmission à la longueur d'onde utilisée par le photorépéteur. Le masque utilisé est lui-même de préférence réalisé à partir d'un cadre épais ayant une ou plusieurs ouvertures recouverte par une membrane mince transparente portant une couche mince d'un matériau opaque ou partiellement opaque au rayonnement en extrême ultra-violet. Cette couche mince est gravée selon un motif définissant le masque souhaité. Les ouvertures de l'optique de projection sont disposées en regard de celles du masque lorsque le masque et l'optique sont en place dans le photorépéteur.

公开(公告)号：FR2951288A1

公开(公告)日：2011-04-15

申请号：FR0904848

申请日：2009-10-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： IMBERT JEAN LOUIS ,  CONSTANCIAS CHRISTOPHE

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: L'invention concerne les masque de photolithographie en extrême ultraviolet. Le masque selon l'invention fonctionne en transmission et il comporte un cadre rigide (10), de préférence en silicium, percé d'une ou plusieurs ouvertures (121 à 124), recouvertes chacune d'une membrane très mince en silicium d'une épaisseur de 300 nanomètres au maximum. La membrane de silicium porte une couche de masquage gravée selon un motif désiré. L'exposition d'une couche photosensible se fait successivement à travers trois ou quatre masques dont les ouvertures se complètent pour exposer toute la surface photosensible, y compris là où elle est masquée par le cadre de silicium de l'un ou l'autre masque.

公开(公告)号：FR2806828B1

公开(公告)日：2002-05-24

申请号：FR0003830

申请日：2000-03-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BEZIAT ALAIN ,  IMBERT JEAN LOUIS

IPC: G21C19/32 ,  G21C19/46

公开(公告)号：FR2957686A1

公开(公告)日：2011-09-23

申请号：FR1001101

申请日：2010-03-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： IMBERT JEAN LOUIS

IPC: G03F7/22 ,  G02B13/14 ,  G02B27/42 ,  G03F7/20

Abstract: L'invention concerne un photorépéteur pour l'exposition de résines lithographiques en extrême ultra-violet. Selon l'invention, le photorépéteur comporte une optique de projection comportant un cadre rigide épais ayant au moins une ouverture sur laquelle est tendue une membrane mince transparente en extrême ultraviolet d'une épaisseur maximale de 300 nanomètres portant un motif de gravures conférant à la membrane mince une fonction d'optique diffractive en transmission à la longueur d'onde utilisée par le photorépéteur. Le masque utilisé est lui-même de préférence réalisé à partir d'un cadre épais ayant une ou plusieurs ouvertures recouverte par une membrane mince transparente portant une couche mince d'un matériau opaque ou partiellement opaque au rayonnement en extrême ultra-violet. Cette couche mince est gravée selon un motif définissant le masque souhaité. Les ouvertures de l'optique de projection sont disposées en regard de celles du masque lorsque le masque et l'optique sont en place dans le photorépéteur.

公开(公告)号：FR2927708A1

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：FR0800884

申请日：2008-02-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： IMBERT JEAN LOUIS

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/14

Abstract: L'invention concerne la photolithographie ultraviolette à 193 nanomètres ou 157 nanomètres.Pour pousser au maximum l'obtention de résolutions élevées, on utilise des optiques à très forte ouverture numérique, mais on ne dispose pas de résines photosensibles d'indice suffisant pour profiter au mieux de cette ouverture numérique élevée. On propose d'utiliser des résines (PR) ordinaires mais en épaisseur tellement faible qu'elles seront exposées localement par des ondes évanescentes en cas de réflexion totale pour les rayons d'incidence très élevée, et ceci malgré la présence d'un liquide d'immersion (LQ) entre l'optique de projection (OL) et la résine photosensible (PR).

公开(公告)号：FR2806828A1

公开(公告)日：2001-09-28

申请号：FR0003830

申请日：2000-03-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BEZIAT ALAIN ,  IMBERT JEAN LOUIS

IPC: G21C19/32 ,  G21C19/46

Abstract: The method comprises positioning an empty sleeve (6) on the bottom of a water-filled pond, introducing the irradiated fuel assembly into it, and closing the sleeve with the aid of a transparent bell with an inflatable seal (12), containing a cap (7) for the sleeve end. After evacuating the water from the sleeve and bell the cap is inserted in the sleeve end and fixed in place by an automatic TIG welder (9) or, alternately by screwing it into place.