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    MOLD FOR NANOPRINTING LITHOGRAPHY, AND METHODS FOR PRODUCING SAME
    1.
    发明申请
    MOLD FOR NANOPRINTING LITHOGRAPHY, AND METHODS FOR PRODUCING SAME 审中-公开
    纳米着色光刻用模具及其制造方法

    公开(公告)号：WO2011092241A3

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：PCT/EP2011051137

    申请日：2011-01-27

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  LANDIS STEFAN

    Inventor： LANDIS STEFAN

    IPC: G03F7/00

    CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

    Abstract: The invention relates to a mold for nanoprinting lithography as well as the methods for producing same. Said mold comprises a surface which includes n structured area(s) with micrometric or nanoscale patterns, n being an integer greater than or equal to 1. Said structured surface belongs to a first layer which is supported by a second layer, the first layer being made of a rigid material and the second layer being made of a flexible material. Said mold can further include n intermediate layers arranged between the first layer and the second layer, n being an integer greater than or equal to 1, and wherein modulus of elasticity of the second layer is less than the modulus of elasticity of the nth intermediate layer adjacent to the second layer, and if n is greater than 1, the modulus of elasticity of the (i)th intermediate layer is greater than the modulus of elasticity of the (i + 1)th intermediate layer, with i = 1 to (n-1).

    Abstract translation: 纳米印刷光刻用模具及其制造方法技术领域本发明涉及纳米印刷光刻用模具及其制造方法。 所述模具包括表面，所述表面包括具有微米或纳米级图案的n个结构化区域，n是大于或等于1的整数。所述结构化表面属于由第二层支撑的第一层，所述第一层为 由刚性材料制成并且第二层由柔性材料制成。 所述模具还可以包括设置在第一层和第二层之间的n个中间层，n是大于或等于1的整数，并且其中第二层的弹性模量小于第n中间层的弹性模量 与第二层相邻，并且如果n大于1，则第（i）中间层的弹性模量大于第（i + 1）中间层的弹性模量，其中i = 1至 N-1）。

    DEVICE FOR MEASURING THE GLASS TRANSITION TEMPERATURE OF A POLYMER FILM
    2.
    发明申请
    DEVICE FOR MEASURING THE GLASS TRANSITION TEMPERATURE OF A POLYMER FILM 审中-公开
    用于测量聚合物膜的玻璃化转变温度的装置

    公开(公告)号：WO2005008229A3

    公开(公告)日：2005-03-17

    申请号：PCT/FR2004050334

    申请日：2004-07-15

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  TORTAI JEAN-HERVE ,  LANDIS STEFAN

    Inventor： TORTAI JEAN-HERVE ,  LANDIS STEFAN

    IPC: G01N25/04 ,  G01N27/22 ,  G01N33/44

    CPC classification number: G01N33/442 ,  G01N25/04 ,  G01N27/221 ,  G01N27/226

    Abstract: The invention concerns a device for measuring the glass transition temperature of a resin. Said device comprises a support whereof the surface for receiving said resin comprises at least two chips (9), each chip consisting of a pair of conductive combs (A, B), each conductive comb including a plurality of teeth (7) and an element (8) connecting the first ends of the plurality of teeth, the teeth of a first comb of the pair being interdigitated with the teeth of the second comb of the pair such that the teeth of said combs (A, B) are interdigitated, said element (8) facing outwards of the chip (9), and one or more combs having one or more shapes different from the other remaining combs.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量树脂的玻璃化转变温度的装置。 所述装置包括支撑件，用于接收所述树脂的表面包括至少两个芯片（9），每个芯片由一对导电梳（A，B）组成，每个导电梳包括多个齿（7）和元件 （8）连接所述多个齿的第一端，所述一对第一梳齿的齿与所述一对第二梳齿的齿交叉，使得所述梳齿（A，B）的齿相互交叉，所述 面向芯片（9）外侧的元件（8），以及具有与其余剩余梳子不同的一种或多种形状的一个或多个梳子。

    METHOD FOR METALLIZING TEXTURED SURFACES
    3.
    发明申请
    METHOD FOR METALLIZING TEXTURED SURFACES 审中-公开
    用于金属化纹理化表面的方法

    公开(公告)号：WO2012119990A3

    公开(公告)日：2012-12-13

    申请号：PCT/EP2012053760

    申请日：2012-03-05

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  PERNEL CAROLE ,  CHAIX NICOLAS ,  LANDIS STEFAN

    Inventor： PERNEL CAROLE ,  CHAIX NICOLAS ,  LANDIS STEFAN

    IPC: H01L31/0236 ,  H01L21/033 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/2885 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

    Abstract: The present invention relates to a method for creating electrically conducting or semiconducting patterns on a textured surface comprising a plurality of reliefs (102) of an amplitude greater than or equal 100 nanometres, characterized in that it comprises the following steps: - a step (10) of preparing a substrate (100, 110) during which step at least the textured surface of the substrate is rendered electrically conducting; - a coating step (20) during which at least one coat of an imprintable material (120) is laid on the textured surface, rendered electrically conducting, of the substrate; - a step (30) of pressing a mould (130) comprising hollows or projections in order to transfer the hollows or the projections of the mould (130) into the imprintable material (120) in order to form patterns (132); - a step (40) of withdrawing the mould leaving in place in the imprintable material (120) the imprint of the patterns (132); - a step of baring (50), at the bottom of the patterns, some of the textured surface, rendered electrically conducting, of the substrate; - a step (60) of electrically depositing an electrically conducting or semiconducting material in the patterns (132) to form conducting or semiconducting patterns (140, 150).

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在纹理表面上形成导电或半导体图案的方法，所述纹理表面包括幅度大于或等于100纳米的多个浮雕（102），其特征在于其包括以下步骤： - 步骤（10 ）制备衬底（100,110），在该步骤期间至少使衬底的纹理化表面导电; - 涂覆步骤（20），在该涂覆步骤期间，将至少一个可压印材料（120）的涂层放置在所述基底的所述纹理表面上，使其导电; - 挤压包括空腔或凸起的模具（130）的步骤（30），以便将模具（130）的凹陷或凸起转移到可压印材料（120）中以形成图案（132）; - 将在模具（132）的印记留在可压印材料（120）中的模具撤回的步骤（40）; - 在所述图案的底部处对所述衬底进行导电的一些纹理化表面进行压印（50）的步骤; - 在图案（132）中电沉积导电或半导体材料以形成导电或半导体图案（140,150）的步骤（60）。

    PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN GROUPE DE MOTIFS INCLINÉS
    4.
    发明专利
    PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN GROUPE DE MOTIFS INCLINÉS 未知

    公开(公告)号：FR3122033A1

    公开(公告)日：2022-10-21

    申请号：FR2104053

    申请日：2021-04-19

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： LANDIS STEFAN ,  TEYSSEDRE HUBERT

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

    Abstract: PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN GROUPE DE MOTIFS INCLINÉS Un aspect de l’invention concerne un procédé de fabrication d’un groupe de motifs inclinés, les motifs étant disposés sur un substrat (10) et espacés les uns des autres, le procédé comprenant les étapes suivantes : former des tranches de motif, dites tranches de niveau inférieur (201), sur le substrat (10) ; former une couche de remplissage (202) en dehors des tranches de niveau inférieur (201) ; former (S13) des tranches de motif additionnelles, dites tranches de niveau supérieur (203), sur les tranches de niveau inférieur (201), chaque tranche de niveau supérieur (203) d’un motif (20) présentant un désalignement (d) par rapport à la tranche de niveau inférieur (201) dudit motif, de sorte que la tranche de niveau supérieur (203) repose en partie sur la couche de remplissage (202) ; libérer les motifs en gravant la couche de remplissage (202) sélectivement par rapport aux tranches de niveau inférieur (201) et aux tranches de niveau supérieur (203). Figure à publier avec l’abrégé : Figure 2C

    PROCEDE DE REALISATION DE MOTIFS DANS UN SUBSTRAT
    6.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION DE MOTIFS DANS UN SUBSTRAT 未知

    公开(公告)号：FR3066857B1

    公开(公告)日：2019-11-22

    申请号：FR1754648

    申请日：2017-05-24

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： NOURI LAMIA ,  GAILLARD FREDERIC-XAVIER ,  LANDIS STEFAN ,  POSSEME NICOLAS

    IPC: H01L21/465 ,  G03F7/00 ,  H01L21/426

    Abstract: L'invention porte notamment sur un procédé de réalisation d'au moins un motif (150) dans un substrat (100), le procédé comprenant au moins les étapes suivantes: - fournir un substrat (100) présentant une face avant (11) surmontée au moins d'une couche de masquage (300) portant au moins un motif de masque (301), - réaliser une implantation ionique du substrat (100) de manière à former au moins une première zone (110) présentant une résistivité p1 inférieure à la résistivité p2 d'au moins une deuxième zone (111) non modifiée, - après l'étape d'implantation, plonger le substrat (100) dans un électrolyte (4), - retirer l'au moins une première zone (110) sélectivement à l'au moins une deuxième zone (111), l'étape de retrait comprenant au moins l'application au substrat (100) d'une étape d'électrochimie pour provoquer une porosification de l'au moins une première zone (110) sélectivement à l'au moins une deuxième zone (111).

    PROCEDE DE SECURISATION DE MANIERE CONSTRUCTIVE D'UN CIRCUIT INTEGRE LORS DE SA REALISATION
    8.
    发明专利
    PROCEDE DE SECURISATION DE MANIERE CONSTRUCTIVE D'UN CIRCUIT INTEGRE LORS DE SA REALISATION 未知

    公开(公告)号：FR3068150A1

    公开(公告)日：2018-12-28

    申请号：FR1755651

    申请日：2017-06-21

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： MAY MICHAEL ,  LANDIS STEFAN ,  PEBAY-PEYROULA FLORIAN

    IPC: G06F21/00 ,  G06F1/00

    Abstract: L'invention concerne un procédé de sécurisation d'un circuit intégré lors de sa réalisation sur une plaque, ledit procédé comportant les étapes suivantes : -délimitation de ladite plaque du circuit intégré (1) en une première zone dite zone standard (5a) et en une deuxième zone dite zone de sécurité (5b), et -création dans ladite zone de sécurité (5b) d'un réseau de pistes de connexion aléatoire (7b) configuré pour interconnecter un ensemble de nœuds conducteurs (9b) formant ainsi une fonction physique non-clonable modélisée par une continuité électrique aléatoire interrogeable via ledit ensemble de nœuds conducteurs par un protocole d'authentification défi-réponse.

    PROCEDE DE FONCTIONNALISATION D'UN SUBSTRAT
    9.
    发明专利
    PROCEDE DE FONCTIONNALISATION D'UN SUBSTRAT 未知

    公开(公告)号：FR3060422A1

    公开(公告)日：2018-06-22

    申请号：FR1662677

    申请日：2016-12-16

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： LANDIS STEFAN ,  TIRON RALUCA

    IPC: B05D3/10 ,  B05D1/32 ,  C09D153/00 ,  G03F7/16

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fonctionnalisation d'un substrat (100) destiné à l'auto-assemblage d'un copolymère à blocs, comprenant les étapes suivantes : - déposer à la surface d'un substrat (100) une couche d'un premier matériau polymère (110), le premier polymère présentant une première affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs ; - greffer une partie (110a) seulement de la couche de premier matériau polymère (110) à la surface du substrat (100) ; - imprimer (S13), à l'aide d'un moule (120), des motifs (111) dans une couche sacrificielle disposée au-dessus de la partie greffée (110a) de la couche de premier matériau polymère (110) ; - transférer les motifs de la couche sacrificielle dans la partie greffée (110a) de la couche de premier matériau polymère (110), jusqu'à atteindre le substrat (100) ; et - éliminer au moins une partie de la couche sacrificielle par gravure humide, de façon à découvrir la partie greffée (110a) de la couche de premier matériau polymère (110).

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