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公开(公告)号：FR3113767B1
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：FR2008832
申请日：2020-08-31
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： NIEBOJEWSKI HEIMANU , PLANTIER CHRISTOPHE , REBOH SHAY
Abstract: Réalisation d’une structure de transistor comprenant dans cet ordre :- former sur la couche semi-conductrice superficielle et de part et d’autre d’espaceurs isolants, des blocs semi-conducteurs en SixGe1-x, les blocs semi-conducteurs ayant des facettes latérales,- croissance d’une couche à base de silicium sur les blocs semi-conducteurs, de manière à remplir des cavités situées entre lesdites facettes et lesdits espaceurs isolants,- oxydation thermique pour effectuer un enrichissement en germanium de portions semi-conductrices (31a, 31b) de la couche semi-conductrice superficielle (12) disposées de part et d’autre des espaceurs. Figure pour l’abrégé : figure 2F.
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公开(公告)号：FR3113766B1
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：FR2008831
申请日：2020-08-31
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： NIEBOJEWSKI HEIMANU , PLANTIER CHRISTOPHE , REBOH SHAY
Abstract: Réalisation d’une structure de canal contrainte en compression pour transistor comprenant, dans cet ordre :- prévoir sur une couche semi-conductrice superficielle (12) d’un substrat, un bloc (22) de grille et des espaceurs (23) de part et d’autre du bloc de grille,- faire croitre sur la couche semi-conductrice superficielle des zones semi-conductrices (25) avec bords latéraux verticaux,- former sur lesdites zones semi-conductrices des blocs semi-conducteurs (26) à base SixGe1-x avec des facettes latérales inclinées,- oxydation thermique de sorte à réaliser une condensation du germanium desdits blocs semi-conducteurs (26) dans lesdites zones semi-conductrices et la couche semi-conductrice superficielle (12), de sorte à former des régions semi-conductrices en SiyGe1-y avec y
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公开(公告)号：FR3113767A1
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：FR2008832
申请日：2020-08-31
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： NIEBOJEWSKI HEIMANU , PLANTIER CHRISTOPHE , REBOH SHAY
Abstract: Réalisation d’une structure de transistor comprenant dans cet ordre :- former sur la couche semi-conductrice superficielle et de part et d’autre d’espaceurs isolants, des blocs semi-conducteurs en SixGe1-x, les blocs semi-conducteurs ayant des facettes latérales,- croissance d’une couche à base de silicium sur les blocs semi-conducteurs, de manière à remplir des cavités situées entre lesdites facettes et lesdits espaceurs isolants,- oxydation thermique pour effectuer un enrichissement en germanium de portions semi-conductrices (31a, 31b) de la couche semi-conductrice superficielle (12) disposées de part et d’autre des espaceurs. Figure pour l’abrégé : figure 2F.
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公开(公告)号：FR3113766A1
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：FR2008831
申请日：2020-08-31
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： NIEBOJEWSKI HEIMANU , PLANTIER CHRISTOPHE , REBOH SHAY
Abstract: Réalisation d’une structure de canal contrainte en compression pour transistor comprenant, dans cet ordre :- prévoir sur une couche semi-conductrice superficielle (12) d’un substrat, un bloc (22) de grille et des espaceurs (23) de part et d’autre du bloc de grille,- faire croitre sur la couche semi-conductrice superficielle des zones semi-conductrices (25) avec bords latéraux verticaux,- former sur lesdites zones semi-conductrices des blocs semi-conducteurs (26) à base SixGe1-x avec des facettes latérales inclinées, - oxydation thermique de sorte à réaliser une condensation du germanium desdits blocs semi-conducteurs (26) dans lesdites zones semi-conductrices et la couche semi-conductrice superficielle (12), de sorte à former des régions semi-conductrices en SiyGe1-y avec y
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