公开(公告)号：FR3052911B1

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：FR1655739

申请日：2016-06-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POLLET OLIVIER ,  GARCIA-BARROS MAXIME ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation d'espaceurs (150) d'une grille (120) d'un transistor à effet de champ (100), la grille (120) comprenant des flancs (125) et un sommet (126) et étant située au-dessus d'une couche (146) en un matériau semi-conducteur , le procédé comprenant une étape (410) de formation d'une couche diélectrique (152) recouvrant la grille du transistor, le procédé comprenant : - après l'étape de formation de la couche diélectrique (152), au moins une étape de modification (430) de ladite couche diélectrique (152) par implantation d'ions en conservant des portions de la couche diélectrique (152) recouvrant les flancs (125) de la grille (120) non-modifiées sur toute leur épaisseur; les ions étant des ions à base d'hydrogène (H) et/ou à base d'hélium (He); - au moins une étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée à l'aide d'une gravure sélective de ladite couche diélectrique; l'étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée comprend une gravure humide à base d'une solution comprenant de l'acide fluorhydrique (HF) diluée à x% en masse, avec x≤0.2 et présentant un pH inférieur ou égal à 1.5.

公开(公告)号：FR3116836A1

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：FR2012282

申请日：2020-11-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  GRENOUILLET LAURENT ,  POLLET OLIVIER

IPC: C23C8/04 ,  B05D5/02 ,  C23C14/48 ,  C23C22/06 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8239

Abstract: PROCÉDÉ POUR AUGMENTER LA RUGOSITÉ DE SURFACE D’UNE COUCHE MÉTALLIQUE L’invention concerne un procédé pour augmenter la rugosité de surface d’une couche de métal (10), comprenant les étapes suivantes : former (S11) des résidus sur une surface de la couche de métal (10), par réaction chimique du métal avec un acide comprenant du fluor ou du chlore, l’ensemble des résidus formant un motif (12) à la surface de la couche de métal (10) ; graver la couche de métal (10) à travers les résidus (11), de façon à transférer le motif (12) dans la couche de métal (10). Figure de l’abrégé : Figure 1A

公开(公告)号：FR3091002A1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：FR1873686

申请日：2018-12-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  AH-LEUNG VINCENT ,  POLLET OLIVIER

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/335

Abstract: L’invention porte notamment sur un procédé de gravure d’une couche diélectrique (40) recouvrant au moins partiellement un flanc (32, 32) d’une structure (30) en un matériau semi-conducteur, la structure (30) présentant au moins une face (31). Le procédé comprend une pluralité de séquences comprenant chacune au moins les étapes suivantes : une oxydation principale de manière à former un film d’oxyde (90) ; une gravure anisotrope principale du film d’oxyde (90), effectuée de manière à graver une portion (Ox41s, Ox141s, Ox60s) du film d’oxyde (90) s’étendant parallèlement aux flancs et une partie au moins de la couche diélectrique (40), être stoppée avant de graver ladite structure (30) et toute l’épaisseur d’une autre portion du film d’oxyde (Ox41f, Ox141f) s’étendant perpendiculairement aux flancs, la séquence étant réitérée jusqu’au retrait complet de la couche diélectrique (40) située sur les flancs (32) de ladite structure (30). Figure pour l’abrégé : Fig.3E

公开(公告)号：FR3052911A1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：FR1655739

申请日：2016-06-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POLLET OLIVIER ,  GARCIA-BARROS MAXIME ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation d'espaceurs (150) d'une grille (120) d'un transistor à effet de champ (100), la grille (120) comprenant des flancs (125) et un sommet (126) et étant située au-dessus d'une couche (146) en un matériau semi-conducteur , le procédé comprenant une étape (410) de formation d'une couche diélectrique (152) recouvrant la grille du transistor, le procédé comprenant : - après l'étape de formation de la couche diélectrique (152), au moins une étape de modification (430) de ladite couche diélectrique (152) par implantation d'ions en conservant des portions de la couche diélectrique (152) recouvrant les flancs (125) de la grille (120) non-modifiées sur toute leur épaisseur; les ions étant des ions à base d'hydrogène (H) et/ou à base d'hélium (He); - au moins une étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée à l'aide d'une gravure sélective de ladite couche diélectrique; l'étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée comprend une gravure humide à base d'une solution comprenant de l'acide fluorhydrique (HF) diluée à x% en masse, avec x≤0.2 et présentant un pH inférieur ou égal à 1.5.

公开(公告)号：FR3116941A1

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：FR2012280

申请日：2020-11-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POLLET OLIVIER ,  GRENOUILLET LAURENT ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/28 ,  H01L45/00

Abstract: PROCÉDÉ POUR AUGMENTER LA RUGOSITÉ DE SURFACE D’UNE COUCHE MÉTALLIQUE L’invention concerne un procédé pour augmenter la rugosité de surface d’une couche métallique (10), comprenant les étapes suivantes : déposer sur la couche métallique (10) une couche sacrificielle (11) en un matériau diélectrique comprenant de l’azote ; exposer une surface de la couche sacrificielle (11) à un plasma de gravure de façon à créer des aspérités (12) ; graver (S13) la couche métallique (10) à travers la couche sacrificielle (11), de façon à transférer les aspérités (12) de la couche sacrificielle dans une partie au moins de la couche métallique. Figure de l’abrégé : Figure 1C

公开(公告)号：FR3091002B1

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：FR1873686

申请日：2018-12-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  AH-LEUNG VINCENT ,  POLLET OLIVIER

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/335

Abstract: Titre. Procédé de gravure d’une couche diélectrique tridimensionnelle L’invention porte notamment sur un procédé de gravure d’une couche diélectrique (40) recouvrant au moins partiellement un flanc (32, 32) d’une structure (30) en un matériau semi-conducteur, la structure (30) présentant au moins une face (31). Le procédé comprend une pluralité de séquences comprenant chacune au moins les étapes suivantes : une oxydation principale de manière à former un film d’oxyde (90) ; une gravure anisotrope principale du film d’oxyde (90), effectuée de manière à graver une portion (Ox41s, Ox141s, Ox60s) du film d’oxyde (90) s’étendant parallèlement aux flancs et une partie au moins de la couche diélectrique (40), être stoppée avant de graver ladite structure (30) et toute l’épaisseur d’une autre portion du film d’oxyde (Ox41f, Ox141f) s’étendant perpendiculairement aux flancs, la séquence étant réitérée jusqu’au retrait complet de la couche diélectrique (40) située sur les flancs (32) de ladite structure (30). Figure pour l’abrégé : Fig.3E

公开(公告)号：FR3041471B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：FR1558845

申请日：2015-09-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POLLET OLIVIER ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/336

公开(公告)号：FR3041471A1

公开(公告)日：2017-03-24

申请号：FR1558845

申请日：2015-09-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POLLET OLIVIER ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/336

Abstract: L'invention décrit un procédé de formation d'espaceurs d'une grille (150) d'un transistor à effet de champ (100), la grille (150) comprenant des flancs et un sommet et étant située au-dessus d'une couche (146) en un matériau semi-conducteur , le procédé comprenant une étape (410) de formation d'une couche diélectrique (152) recouvrant la grille du transistor, le procédé comprenant : - après l'étape de formation de la couche diélectrique (152), au moins une étape de modification (430) de ladite couche diélectrique (152) par mise en présence de la couche diélectrique (152) avec un plasma créant un bombardement d'ions légers ; - au moins une étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée (158 ; caractérisé en ce que l'étape de retrait (440) de la couche diélectrique modifiée (158) comprend : - une gravure sèche (441) réalisée par mise en présence d'un mélange gazeux, de préférence uniquement gazeux, comprenant au moins un premier composant à base d'acide fluorhydrique (HF), l'acide fluorhydrique transformant en résidus non-volatiles la couche diélectrique modifiée (158), - un retrait (442) des résidus non-volatiles par un nettoyage humide effectué uniquement après la gravure sèche (441) ou un recuit thermique de sublimation effectué après ou pendant la gravure sèche (441).