公开(公告)号：DE102012218523A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102012218523

申请日：2012-10-11

Applicant: COMPAL ELECTRONICS INC

Inventor： WU JUNG-CHIN ,  LIN PO-AN ,  HUANG HAN-CHING ,  CHIANG CHIH-WEN ,  LIU YEN-LING

IPC: B32B5/22 ,  B32B15/00

Abstract: Eine Verbundplattenstruktur wird bereitgestellt, die eine Faserverbundlage, eine Metallschicht und eine Harzschicht beinhaltet. Die Faserverbundlage beinhaltet eine erste Faserschicht, eine Kernschicht und eine zweite Faserschicht. Die Kernschicht ist zwischen der ersten Faserschicht und der zweiten Faserschicht angeordnet. Die Metallschicht ist auf der Faserverbundlage angeordnet und weist wenigstens eine Öffnung auf. Ein Abschnitt der zweiten Faserschicht befindet sich in der Öffnung. Die Harzschicht ist auf der Metallschicht angeordnet. Zusätzlich wird auch ein Herstellungsverfahren der Verbundplattenstruktur bereitgestellt.