公开(公告)号：DE102011121899A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102011121899

申请日：2011-12-21

Applicant: COMPAL ELECTRONICS INC

Inventor： WU JUNG-CHIN ,  LIN PO-AN ,  LING KUO-NAN ,  HUANG HAN-CHING ,  CHIANG CHIH-WEN ,  CHANG CHIEN-MIN

IPC: B32B3/06 ,  B29C45/14 ,  B32B3/12 ,  B32B3/24 ,  B32B15/08 ,  B32B15/14

Abstract: Eine Schalenstruktur umfasst eine Verbundmaterialschicht und eine zweite Materialschicht ist bereitgestellt. Die Verbundmaterialschicht umfasst eine Gewebeschicht und eine erste Materialschicht. Die Gewebeschicht hat eine erste Fläche und eine zweite Fläche, die einander gegenüberliegen. Die erste Materialschicht befindet sich auf der ersten Fläche und hat eine Vielzahl von Durchgangslöchern. Die zweite Materialschicht ist auf der zweiten Materialschicht angeordnet und hat eine Vielzahl von Erstreckungsabschnitten, die angepasst sind, um mit der Gewebeschicht verbunden zu werden und befestigt die zweite Materialschicht und die Verbundmaterialschicht miteinander. Zusätzlich wird auch ein Herstellungsverfahren für eine Schalenstruktur einer elektronischen Vorrichtung bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102012218523A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102012218523

申请日：2012-10-11

Applicant: COMPAL ELECTRONICS INC

Inventor： WU JUNG-CHIN ,  LIN PO-AN ,  HUANG HAN-CHING ,  CHIANG CHIH-WEN ,  LIU YEN-LING

IPC: B32B5/22 ,  B32B15/00

Abstract: Eine Verbundplattenstruktur wird bereitgestellt, die eine Faserverbundlage, eine Metallschicht und eine Harzschicht beinhaltet. Die Faserverbundlage beinhaltet eine erste Faserschicht, eine Kernschicht und eine zweite Faserschicht. Die Kernschicht ist zwischen der ersten Faserschicht und der zweiten Faserschicht angeordnet. Die Metallschicht ist auf der Faserverbundlage angeordnet und weist wenigstens eine Öffnung auf. Ein Abschnitt der zweiten Faserschicht befindet sich in der Öffnung. Die Harzschicht ist auf der Metallschicht angeordnet. Zusätzlich wird auch ein Herstellungsverfahren der Verbundplattenstruktur bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102012209884A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209884

申请日：2012-06-13

Applicant: COMPAL ELECTRONICS INC

Inventor： WU JUNG-CHIN ,  LIN PO-AN ,  HUANG HAN-CHING

IPC: F16S1/04

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Werkstücks wird bereitgestellt. In diesem Verfahren werden eine duktile Platte, eine Kernschicht und ein Prepreg kombiniert, um eine Sandwichstruktur zu bilden. Die Kernschicht befindet sich zwischen der duktilen Platte und dem Prepreg. Die Sandwichstruktur wird ausgeformt, um die dreidimensionale Sandwichstruktur zu sein. Die dreidimensionale Sandwichstruktur wird erhitzt, um das Prepreg zu härten.

公开(公告)号：DE102012209889A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209889

申请日：2012-06-13

Applicant: COMPAL ELECTRONICS INC

Inventor： WU JUNG-CHIN ,  LIN PO-AN ,  LING KUO-NAN ,  HUANG HAN-CHING ,  CHUANG WAN-LI

IPC: B32B1/04 ,  B32B3/24 ,  B32B9/02 ,  B32B15/08 ,  B32B15/14

Abstract: Ein dreidimensionales Werkstück einschließlich einer ersten duktilen Platte, einer zweiten duktilen Platte und einer Kernschicht wird bereitgestellt. Die Kernschicht befindet sich zwischen der ersten duktilen Platte und der zweiten duktilen Platte. Die erste duktile Platte, die zweite duktile Platte und die Kernschicht sind miteinander verbunden und weisen eine dreidimensionale Form auf. Die erste duktile Platte hat einen flachen Plattenbereich und einen gekrümmten Plattenbereich. Die Kernschicht hat einen flachen Kernbereich und einen gekrümmten Kernbereich. Der flache Kernbereich ist mit dem flachen Plattenbereich überlagert und der gekrümmte Kernbereich ist mit dem gekrümmten Plattenbereich überlagert.