公开(公告)号：EP2832900A4

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：EP12873342

申请日：2012-11-01

Applicant: TOYOTA CHUO KENKYUSHO KK ,  DENSO CORP

Inventor： NARITA TETSUO ,  ITO KENJI ,  TOMITA KAZUYOSHI ,  OTAKE NOBUYUKI ,  HOSHI SHINICHI ,  MATSUI MASAKI

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: A step-flow growth of a group-III nitride single crystal on a silicon single crystal substrate is promoted. A layer of oxide oriented to a axis of silicon single crystal is formed on a surface of a silicon single crystal substrate, and group-III nitride single crystal is crystallized on a surface of the layer of oxide. Thereupon, a axis of the group-III nitride single crystal undergoing crystal growth is oriented to a c-axis of the oxide. When the silicon single crystal substrate is provided with a miscut angle, step-flow growth of the group-III nitride single crystal occurs. By deoxidizing a silicon oxide layer formed at an interface of the silicon single crystal and the oxide, orientation of the oxide is improved.

公开(公告)号：DE112017005911T5

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE112017005911

申请日：2017-11-21

Applicant: DENSO CORP

Inventor： TAKEMOTO SHOICHI ,  ABE NOBUYUKI ,  ITO KENJI

IPC: F23Q7/00

Abstract: Auf einer Innenwandoberfläche einer Kerzenöffnung (72) sind ein Innengewindeabschnitt und ein Sitzabschnitt (74) ausgebildet. Der Sitzabschnitt (74) weist eine sich verjüngende Sitzoberfläche (741) auf. Eine Glühkerze (1) mit einem Verbrennungsdrucksensor beinhaltet ein Gehäuse (2), eine Glühheizvorrichtung (3), ein Lastübertragungsbauteil (4) und einen Druckdetektor. Das Gehäuse (2) weist ein Außengewinde und einen dem Sitz zugewandten Abschnitt (22) auf. Der dem Sitz zugewandte Abschnitt (22) weist eine sich verjüngende Kontaktoberfläche (221) auf, die in Oberflächenkontakt mit der sich verjüngenden Sitzoberfläche (741) steht. Ein ausgesparter Abschnitt (222), der derart ausgespart ist, dass dieser nicht mit dem Sitzabschnitt (74) in Kontakt steht, ist ringförmig um eine Mittelachse (A) des Gehäuses (2) ausgebildet.

公开(公告)号：DE112012004541B4

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：DE112012004541

申请日：2012-10-17

Applicant: DENSO CORP

Inventor： HOSHI SHINICHI ,  MIZUNO SHOJI ,  KACHI TETSU ,  UESUGI TSUTOMU ,  TOMITA KAZUYOSHI ,  ITO KENJI

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L29/778 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung mit:- einem Transistor hoher Elektronenbeweglichkeit (10, 20, 21, 30, 31, 32); und- einer Diode (60, 70), wobei- der Transistor hoher Elektronenbeweglichkeit (10, 20, 21, 30, 31, 32) aufweist:- ein Substrat (10) mit einer Galliumnitridschicht (13) zur Erzeugung eines zweidimensionalen Elektronengases darin und zum Dienen als eine Kanalschicht und einer Aluminiumgalliumnitridschicht (14), die geschichtet auf der Galliumnitridschicht (13) angeordnet ist und als eine Sperrschicht dient,- eine Source-Elektrode (30), die auf der Aluminiumgalliumnitridschicht (14) angeordnet ist und sich in ohmschen Kontakt mit der Aluminiumgalliumnitridschicht (14) befindet,- eine Drain-Elektrode (31), die auf der Aluminiumgalliumnitridschicht (14) getrennt von der Source-Elektrode (30) angeordnet ist und sich in ohmschen Kontakt mit der Aluminiumgalliumnitridschicht (14) befindet,- ein Zwischenschichtisolierfilm (20, 21), der auf der Aluminiumgalliumnitridschicht (14) zwischen der Source-Elektrode (30) und der Drain-Elektrode (31) angeordnet ist, und- eine Gate-Elektrode (32), die auf dem Zwischenschichtisolierfilm (20, 21) angeordnet ist;- das Substrat (10) einen Aktivierungsschichtbereich (40) zur Erzeugung des zweidimensionalen Elektronengases in der Galliumnitridschicht (13) aufweist;- die Diode (60, 70) eine Anode, die elektrisch mit der Gate-Elektrode (32) des Transistors hoher Elektronenbeweglichkeit (10, 20, 21, 30, 31, 32) verbunden ist, und eine Kathode, die elektrisch mit der Drain-Elektrode (31) des Transistors hoher Elektronenbeweglichkeit (10, 20, 21, 30, 31, 32) verbunden ist, aufweist;- die Diode (60, 70) eine Gate-Drain-Diode (60, 70) bildet;- das Substrat (10) einen Elementisolierbereich (50) aufweist, der elektrisch vom Aktivierungsschichtbereich (40) isoliert ist;- die Diode (60, 70) im Elementisolierbereich (50) angeordnet ist;- die Kathode der Diode (60, 70) über eine Zuleitung (37) mit der Drain-Elektrode (31) des Transistors hoher Elektronenbeweglichkeit (10, 20, 21, 30, 31, 32) verbunden ist;- die Source-Elektrode (30) eine Linienform aufweist;- die Drain-Elektrode (31) eine Linienform aufweist;- eine Erstreckungsrichtung der Linienform in der Source-Elektrode (30) parallel zu einer Wechselrichtung der Diode (60, 70) verläuft; und- eine Erstreckungsrichtung der Linienform in der Drain-Elektrode (31) parallel zu der Wechselrichtung der Diode (60, 70) verläuft.

公开(公告)号：DE102017108929B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102017108929

申请日：2017-04-26

Applicant: DENSO CORP

Inventor： TAKEMOTO SHOICHI ,  NAKANO SHUICHI ,  ABE NOBUYUKI ,  ITO KENJI

IPC: G01L23/10 ,  F23Q7/00

Abstract: Belastungssensor (1), der in einer in einem Messobjekt (11) gebildeten Aufnahmeöffnung (12) installiert ist, um eine im Messobjekt auftretende Druckbelastung zu messen, wobei der Belastungssensor eine Länge mit einer Basisendseite (Z7) und einer Frontendseite (Z2) aufweist, die einander in einer Axialrichtung davon gegenüberliegen, umfassend:ein erstes Gehäuse (2), das eine Länge mit einer Basisendseite (Z7) und einer Frontendseite (Z2) aufweist, die einander gegenüberliegen, wobei die Basisendseite näher an einer Öffnung der Aufnahmeöffnung liegt, die Frontendseite näher an einem Boden der Aufnahmeöffnung liegt und das erste Gehäuse einen Kopf (25) aufweist, der an der Basisendseite gebildet ist und auf einer Endfläche (111) des Messobjekts platziert ist;ein zweites Gehäuse (3), das eine Länge mit einer Basisendseite (Z7) und einer Frontendseite (Z2) aufweist, die einander gegenüberliegen, wobei die Basisendseite näher an der Öffnung der Aufnahmeöffnung liegt, die Frontendseite näher am Boden der Aufnahmeöffnung liegt und sich das zweite Gehäuse näher an der Frontendseite des Belastungssensors befindet als das erste Gehäuse und mit dem ersten Gehäuse verbunden ist, wobei das zweite Gehäuse mit einem in der Aufnahmeöffnung gebildeten Gewinde (123) in Eingriff steht; undeinen Druckmessmechanismus (4), der durch das erste Gehäuse und das zweite Gehäuse eingefasst ist, wobei der Druckmessmechanismus eine Basisendseite, die näher an der Basisendseite des Belastungssensors liegt, undeine Frontendseite aufweist, die näher an der Frontendseite des Belastungssensors liegt,wobei das erste Gehäuse einen ersten Endabschnitt (21) aufweist, der sich an dessen Frontendseite befindet, wobei der erste Endabschnitt eine erste Stirnseite (211) aufweist, die einer frontendseitigen Oberfläche (42) des Druckmessmechanismus gegenüberliegt, die sich an der Frontendseite des Druckmessmechanismus befindet,wobei das zweite Gehäuse einen zweiten Endabschnitt (31) aufweist, der sich an dessen Basisendseite befindet, wobei der zweite Endabschnitt eine zweite Stirnfläche (311) aufweist, die einer basisendseitigen Oberfläche (41) des Druckmessmechanismus gegenüberliegt, die sich an der Basisendseite des Druckmessmechanismus befindet, undwobei der Druckmessmechanismus zwischen der ersten Stirnfläche und der zweiten Stirnfläche eingefasst ist und so arbeitet, dass er eine Änderung in der durch das Messobjekt auf das erste Gehäuse und das zweite Gehäuse in Axialrichtung des Belastungssensors ausgeübten Druckbeanspruchung misst.

公开(公告)号：DE112012004541T5

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE112012004541

申请日：2012-10-17

Applicant: DENSO CORP

Inventor： HOSHI SHINICHI ,  MIZUNO SHOJI ,  UESUGI TSUTOMU ,  TOMITA KAZUYOSHI ,  ITO KENJI ,  KACHI TETSU

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist einen HEMT (10, 20, 21, 30, 31, 32) und eine Diode (60, 70) auf. Der HEMT weist auf: ein Substrat (10) mit einer GaN-Schicht (13) als eine Kanalschicht, die ein zweidimensionales Elektronengas erzeugt, und einer AlGaN-Schicht (14) als eine Sperrschicht auf der GaN-Schicht; eine Source-Elektrode (30) auf der AlGaN-Schicht, die sich in ohmschen Kontakt mit der AlGaN-Schicht befindet; eine Drain-Elektrode (31) auf der AlGaN-Schicht getrennt von der Source-Elektrode und in ohmschen Kontakt mit der AlGaN-Schicht; einen Zwischenschichtisolierfilm (20, 21) auf der AlGaN-Schicht zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode; und eine Gate-Elektrode (32) auf dem Zwischenschichtisolierfilm. Das Substrat weist einen Aktivierungsschichtbereich (40) auf, der das zweidimensionale Elektronengas in der GaN-Schicht erzeugt. Die Diode weist eine Anode, die elektrisch mit der Gate-Elektrode verbunden ist, und eine Kathode, die elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden ist, auf.

公开(公告)号：DE102016120957A1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE102016120957

申请日：2016-11-03

Applicant: DENSO CORP

Inventor： TAKEMOTO SHOICHI ,  NAKANO SYUICHI ,  ABE NOBUYUKI ,  ITO KENJI ,  FURUKAWA TAKASHI

IPC: G01L23/08 ,  F23Q7/00 ,  G01L19/02

Abstract: In einem Verbrennungsdrucksensor ist ein Sensorhalter in einem Gehäuse installiert. Der Sensorhalter besitzt eine Endkontaktfläche. Ein Lasttransferglied ist in dem Gehäuse installiert. Das Lasttransferglied besitzt eine Kontaktfläche, die der Endkontaktfläche des Sensorhalters zugewandt ist. Die Kontaktfläche des Lasttransferglieds ist in Kontakt mit der Endkontaktfläche des Sensorhalters. Die Kontaktfläche des Lasttransferbauteils oder die Endkontaktfläche des Sensorhalters besitzt eine konkav gekrümmte Form, und die andere davon besitzt eine konvex gekrümmte Form.

公开(公告)号：DE102017108929A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102017108929

申请日：2017-04-26

Applicant: DENSO CORP

Inventor： TAKEMOTO SHOICHI ,  NAKANO SHUICHI ,  ABE NOBUYUKI ,  ITO KENJI

IPC: G01L23/10 ,  F23Q7/00

Abstract: Es wird ein Belastungssensor bereitgestellt, der einen Belastungssensor, ein erstes Gehäuse, ein mit dem ersten Gehäuse verbundenes zweites Gehäuse und einen Druckmessmechanismus aufweist, der zwischen dem ersten Gehäuse und dem zweiten Gehäuse festgehalten wird. Der Druckmessmechanismus wird zwischen einer ersten Stirnfläche des ersten Gehäuses und einer zweiten Stirnfläche des zweiten Gehäuses gegriffen, um eine durch einen Zylinderkopf eines Verbrennungsmotors auf das erste Gehäuse und das zweite Gehäuse ausgeübte Druckbeanspruchung zu messen. Dieser Aufbau verbessert die Zuverlässigkeit der mechanischen Festigkeit der Gehäuse und des Druckmessmechanismus und sorgt für Flexibilität in der Auswahl des Typs des Druckmessmechanismus.

公开(公告)号：DE102008023857A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：DE102008023857

申请日：2008-05-16

Applicant: DENSO CORP

Inventor： ITO KENJI

IPC: H03K17/0812

Abstract: A drive circuit for driving a semiconductor element according to an input signal includes an output stage, a clamp circuit, a comparator, and a clamp control circuit. The output stage includes a series circuit of two transistors. A node between the transistors is coupled to a control terminal of the semiconductor element. One of the transistors is turned on when the input signal indicates that the semiconductor element is driven. The clamp circuit clamps a potential of the control terminal to a level enough to drive the semiconductor element when the one of the transistors is turned on. The comparator compares a power supply voltage of the drive circuit with a threshold voltage. The clamp control circuit disables the clamp circuit when the power supply voltage is less than the threshold voltage.

公开(公告)号：JP2006340409A

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：JP2005158295

申请日：2005-05-31

Applicant: Denso Corp ,  株式会社デンソー

Inventor： ITO KENJI ,  NAKAMURA SHIGENOBU

IPC: H02K3/12 ,  H02K3/04

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rotary electric machine for vehicle in which reliability is enhanced for the environment while facilitating manufacture and reducing cost. SOLUTION: A stator core 31 has a back thick portion 311, a teeth portion 312 and a teeth distal end portion 313. An armature winding contained in a slot 314 is formed by bonding the end portions of a plurality of segment conductors 33. The plurality of segment conductors 33 are arranged in a row in the slot 314. The slot 314 has a width which is set narrower gradually in the circumferential direction from the outer diameter side toward the inner diameter side. The segment conductor 33 contained in the slot 314 and arranged on the innermost diameter side is stopped at a predetermined position in the slot 314 through a predetermined radial gap 316 to the teeth distal end portion 313 by making the opposite side faces along the circumferential direction abut against the circumferential side face of the slot 314. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在促进制造和降低成本的同时提高环境可靠性的车辆用旋转电机。 解决方案：定子芯31具有后厚部311，齿部312和齿末端部313.容纳在槽314中的电枢绕组通过将多个分段导体33的端部 多个分段导体33在槽314中排列成一列。槽314的宽度从外径侧向内径侧的周向逐渐变窄。 容纳在狭槽314中并且布置在最内径侧的分段导体33通过使预定的径向间隙316沿着周向方向抵接到齿顶端部313而停止在槽314中的预定位置处 相对于槽314的圆周侧面。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2017090157A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2015218523

申请日：2015-11-06

Applicant: 株式会社デンソー ,  Denso Corp

Inventor： TAKEMOTO SHOICHI ,  NAKANO SHUICHI ,  ABE NOBUYUKI ,  ITO KENJI ,  FURUKAWA TAKASHI

IPC: G01L23/22 ,  F23Q7/00

CPC classification number: G01L9/008 ,  F23Q7/001 ,  F23Q2007/002 ,  F23Q2007/005 ,  G01L23/10

Abstract: 【課題】部品加工の精度管理を容易にしつつ高精度に燃焼圧を検出できる燃焼圧センサを提供すること。【解決手段】燃焼圧センサ1は、グローヒータ14と一体化されたものであり、ハウジング2、センサ保持部材3、荷重伝達部材4及び圧力検出機構5を有する。荷重伝達部材4は、ハウジング2の内周側に配置され、ハウジング2に生じる圧縮応力を荷重としてセンサ保持部材3に伝達するために用いられる。荷重伝達部材4の基端部41の接触面411と、センサ保持部材3Aの先端部31の接触面311とは、凹状の曲面と凸状の曲面とが接触する形状を有している。【選択図】図1