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公开(公告)号:JP6220612B2
公开(公告)日:2017-10-25
申请号:JP2013190498
申请日:2013-09-13
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , C07D495/04
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公开(公告)号:JP6188206B2
公开(公告)日:2017-08-30
申请号:JP2013157187
申请日:2013-07-29
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人高知大学
IPC: C08K5/55 , C08L101/00
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公开(公告)号:JP6778367B2
公开(公告)日:2020-11-04
申请号:JP2016032058
申请日:2016-02-23
Applicant: 国立大学法人東京工業大学 , DIC株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , C07D495/04
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公开(公告)号:JP2016104871A
公开(公告)日:2016-06-09
申请号:JP2015252631
申请日:2015-12-24
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人高知大学
IPC: C08K5/3465 , C08K3/00 , C08K5/3495 , C08K5/23 , C09K11/06 , C07F5/02 , C08L101/00
CPC classification number: A61L31/18 , A61L27/50 , A61L29/14 , A61L29/18 , A61L31/14 , C08K3/0033 , C08K5/55 , C09K11/02
Abstract: 【課題】本発明の課題は、X線放射による検出と蛍光又は燐光検出との両方が可能な樹脂組成物、及び当該樹脂組成物から得られる成形体を容易に提供することである。 【解決手段】本発明は、発光物質及び放射線不透過性物質を含有することを特徴とする樹脂組成物;前記発光物質が近赤外蛍光材料又は燐光材料である、前記記載の樹脂組成物;前記放射線不透過性物質が硫酸バリウム、酸化ビスマス、次炭酸ビスマス、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、タングステン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、ジルコニウム、チタン、白金、次硝酸ビスマス、ビスマスである、前記いずれか記載の樹脂組成物;前記いずれか記載の樹脂組成物を加工して得られる成形体である。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题:为了容易地提供能够通过X射线照射和荧光或磷光检测进行检测的树脂组合物以及由其获得的成型体。溶液:树脂组合物包含发光物质和不透射线的物质。 在树脂组合物中,发光物质是近红外荧光材料或磷光材料。 在树脂组合物中,不透射线的物质是硫酸钡,氧化铋,亚碳酸铋,碳酸钙,氢氧化铝,钨,氧化锌,氧化锆,锆,钛,铂,亚硝酸铋和铋。 通过加工树脂组合物获得成型体。选择图:无
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公开(公告)号:JP5964703B2
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:JP2012198413
申请日:2012-09-10
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/40 , C07D495/04
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公开(公告)号:JP5732595B2
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:JP2014535836
申请日:2014-03-06
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
CPC classification number: H01L51/0074 , C09K19/3491 , H01L51/0076 , H01L51/0026 , H01L51/0068 , H01L51/0558
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公开(公告)号:JP6505400B2
公开(公告)日:2019-04-24
申请号:JP2014180172
申请日:2014-09-04
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
IPC: C07D495/04
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公开(公告)号:JP6237786B2
公开(公告)日:2017-11-29
申请号:JP2015549032
申请日:2014-10-10
Applicant: DIC株式会社
CPC classification number: H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5016
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公开(公告)号:JP2017149659A
公开(公告)日:2017-08-31
申请号:JP2016032058
申请日:2016-02-23
Applicant: 国立大学法人東京工業大学 , DIC株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , C07D495/04
Abstract: 【課題】 本発明では、湿式成膜法により高い移動度を発現する半導体素子を与える半導体材料を提供することにあり、さらには、該半導体材料を与える化合物を提供することを課題とする。 【解決手段】 一般式(1) 【化1】 (式中、Arは置換基を有してもよい芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい複素芳香族基を表し、R 1 は炭素数5以上のアルキレン基を表し、R 2 は炭素数1〜20のアルキル基を表し、XはO、SまたはNHを表す。ただし、Arが5−(n−ヘキシル)チエニル基の場合、R 1 とR 2 の組み合わせについて、R 1 が炭素数6の直鎖アルキレン基かつR 2 がn−ブチル基である場合を除く。) で表される化合物により、課題を解決する。 【選択図】 図1
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公开(公告)号:JP6057486B2
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:JP2015252631
申请日:2015-12-24
Applicant: DIC株式会社 , 国立大学法人高知大学
IPC: C08K5/3465 , C08K3/00 , C08K5/3495 , C09K11/06 , C07F5/02 , C08L101/00
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