公开(公告)号：WO2014020478A3

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/IB2013055941

申请日：2013-07-19

Applicant: ECOLE POLYTECH

Inventor： SACCHETTO DAVIDE ,  BOBBA SHASHI KANTH ,  GAILLARDON PIERRE-EMMANUEL JULIEN MARC ,  LEBLEBICI YUSUF ,  DE MICHELI GIOVANNI ,  DEMIRCI TUGBA

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H03K19/173

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C11/56 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H03K17/6257

Abstract: A bipolar resistive switching device comprises a bottom electrode, a stack of at least two transition metal oxides layers, the stack including at least one oxygen gettering layer, and a top electrode. A particular configuration is Pt/TaOx/CrOy/Cr/Cu. Methods for manufacturing and use of the bipolar resistive switching device are disclosed as well.

Abstract translation: 双极电阻开关器件包括底电极，至少两个过渡金属氧化物层的叠层，所述叠层包括至少一个氧吸气层和顶电极。 特定的配置是Pt / TaOx / CrOy / Cr / Cu。 还公开了制造和使用双极性电阻开关器件的方法。