公开(公告)号：KR20100133312A

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR20100055052

申请日：2010-06-10

Applicant: ELPIDA MEMORY INC

Inventor： AIZAWA KAZUO ,  ASANO ISAMU ,  TOMINAGA JYUNJI ,  KOLOBOV ALEXANDER ,  FONS PAUL ,  SIMPSON ROBERT

IPC: H01L27/115 ,  G11C13/02

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2454 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/143

Abstract: PURPOSE: A solid-state memory device, a data processing system, and a data processing device thereof are provided to store information by reversibly diversifying a crystalline state. CONSTITUTION: A semiconductor memory device(10) includes an address latch circuit(21) including an address signal(ADD) and a command decoder(22) generating an internal command(ICMD) after decoding a command(CMD). A second interlayer insulating layer has a second through-hole. A recording circuit(26) comprises a reset circuit and a set circuit. A first interlayer insulating layer has a first through-hole.

Abstract translation: 目的：提供固态存储装置，数据处理系统及其数据处理装置，以通过可逆地多样化结晶状态来存储信息。 构成：在解码命令（CMD）之后，半导体存储器件（10）包括地址锁存电路（21），其包括地址信号（ADD）和产生内部命令（ICMD）的命令解码器（22）。 第二层间绝缘层具有第二通孔。 记录电路（26）包括复位电路和设定电路。 第一层间绝缘层具有第一通孔。