公开(公告)号：DE10012129A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：DE10012129

申请日：2000-03-13

Applicant: EPCOS AG

Inventor： MUELLER PETER ,  OSTNER HELMUT ,  KREMS TOBIAS

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/72 ,  H03H9/145 ,  H04B1/44

Abstract: The duplexer is based on surface wave filters elements with first and second Dual Mode SAW filters (F1,F2) as input and transmission filters and a first surface wave resonator (Res) in series between the first filter and the antenna. The resonator blocks in the transmission region of the second filter and is optimally conducting in that of the first filter. Connections (1,2,5,7) of the first and second filters are inductively coupled.

公开(公告)号：DE102010055669A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102010055669

申请日：2010-12-22

Applicant: EPCOS AG

Inventor： CHALLA RAVI ,  KREMS TOBIAS ,  TILL WOLFGANG

IPC: H03H9/54 ,  H03H9/64

Abstract: Ein Reaktanzfilter mit Unterdrückung im Sperrbereich umfasst einen Eingangsanschluss (1) zum Anlegen eines Eingangssignals (ES), einen Ausgangsanschluss (A100) zum Ausgeben eines Ausgangssignals (TS), mindestens einen Serienresonator (11, 12, 13, 14), der in einen Signalpfad (SP) zwischen den Eingangsanschluss (1) und den Ausgangsanschluss (A100) geschaltet ist, einen Parallelresonator (21), der zwischen den Signalpfad (SP) und einen Anschluss (M) zum Anlegen eines Bezugspotentials geschaltet ist, und eine Induktivität (31), die zu dem Parallelresonator (21) in Serie geschaltet ist. Ein Kondensator (50) ist mit einem Anschluss (A50a) zwischen den mindestens einen Parallelresonator (21) und die Induktivität (31) und mit dem weiteren Anschluss (A50b) an den Ausgangsanschluss (A100) angeschlossen. Durch Verschaltung des Reaktanzfilters als Sendefilter in einem Duplexerbauelement kann die Isolation im Empfangsband des Duplexerbauelements verbessert werden.

公开(公告)号：DE10301934A1

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：DE10301934

申请日：2003-01-20

Applicant: EPCOS AG

Inventor： KREMS TOBIAS ,  SELMEIER PETER

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/64 ,  H01L23/50 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54

Abstract: Electrical component comprises a substrate with component structures (BS) on which are arranged solder metallizations (LA) electrically connected to the component structures. The substrate is connected in a flip-chip arrangement to a support (T) via bump connections formed by solder bumps (B). At least one of the bump connections sits on a non-round solder metallization.