公开(公告)号：US20160043277A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：US14874077

申请日：2015-10-02

Applicant: EPISTAR CORPORATION

Inventor： Yi Lin GUO ,  Chen OU ,  Chi Ling LEE ,  Wei Han WANG ,  Hung Chih YANG ,  Chi Hung WU

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0095

Abstract: An LED manufacturing method includes steps of: providing a substrate including a first surface; forming a first portion of a first semiconductor layer on the first surface in a first atmosphere including a first carrier gas; and forming a second portion of the first semiconductor layer on the first portion in a second atmosphere including a second carrier gas; wherein a plurality of first cavities is formed on a surface of the first portion during forming the first portion; and wherein the plurality of first cavities is transformed to a plurality of second cavities during forming the second portion, and one of the second cavities includes a first inclined surface and a second inclined surface above the first inclined surface.

Abstract translation: LED制造方法包括以下步骤：提供包括第一表面的基板; 在包括第一载气的第一气氛中，在所述第一表面上形成第一半导体层的第一部分; 以及在包括第二载气的第二气氛中在所述第一部分上形成所述第一半导体层的第二部分; 其中在形成所述第一部分期间，在所述第一部分的表面上形成多个第一空腔; 并且其中所述多个第一空腔在形成所述第二部分期间被变换为多个第二空腔，并且所述第二空腔中的一个包括第一倾斜表面和位于所述第一倾斜表面上方的第二倾斜表面。