公开(公告)号：DE102009009814A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：DE102009009814

申请日：2009-02-20

Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

Inventor： LEIPOLD DIRK ,  ANNESE MARCO

IPC: H01L27/146

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Photosensor (1, 101) mit wenigstens einer integrierten CMOS-Schaltung (5, 105), die in einem Halbleitersubstrat (2, 102, 202) integriert ist, mit aktiven CMOS-Bauelementen sowie einer im Halbleitermaterial ausgebildeten Photodiode. Um eine hohe Lichtquantenausbeute zu ermöglichen, ist die Photodiode aus einer sich im Halbleitersubstrat befindenden dotierten Region (3, 103) und dem verbleibenden Bulkmaterial (6, 106) des Halbleitersubstrats ausgebildet, wobei die aktiven CMOS-Bauelemente von dem verbleibenden Bulkmaterial des Halbleitersubstrats durch die dotierte Region räumlich getrennt werden. Ferner wird eine Photosensormatrix (300) vorgeschlagen.