公开(公告)号：DE102009009814A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：DE102009009814

申请日：2009-02-20

Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

Inventor： LEIPOLD DIRK ,  ANNESE MARCO

IPC: H01L27/146

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Photosensor (1, 101) mit wenigstens einer integrierten CMOS-Schaltung (5, 105), die in einem Halbleitersubstrat (2, 102, 202) integriert ist, mit aktiven CMOS-Bauelementen sowie einer im Halbleitermaterial ausgebildeten Photodiode. Um eine hohe Lichtquantenausbeute zu ermöglichen, ist die Photodiode aus einer sich im Halbleitersubstrat befindenden dotierten Region (3, 103) und dem verbleibenden Bulkmaterial (6, 106) des Halbleitersubstrats ausgebildet, wobei die aktiven CMOS-Bauelemente von dem verbleibenden Bulkmaterial des Halbleitersubstrats durch die dotierte Region räumlich getrennt werden. Ferner wird eine Photosensormatrix (300) vorgeschlagen.

公开(公告)号：DE102009009813A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：DE102009009813

申请日：2009-02-20

Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

Inventor： LEIPOLD DIRK ,  DIETZ WOLFRAM ,  DE COI BEAT

IPC: H05K3/34 ,  H01L21/60

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Lötverfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips (1) mit einer Leiterplatte (2) über wenigstens einen Lötkontakt (7) und zum Herstellen einer Schaltung (14), wobei der Halbleiterchip wenigstens ein elektrisch leitendes Pad (5) aufweist und die Leiterplatte wenigstens einen Leiterbahnabschnitt (9) zur Kontaktierung mit wenigstens einem der Pads des Halbleiterchips umfasst, umfassend: eine Auftragung von Lötpaste (10) auf den wenigstens einen Leiterbahnabschnitt, einen Bondingprozess, bei dem ein Höcker (7) auf wenigstens einem Materialabschnitt (6) auf wenigstens eines der Pads gebondet wird, einen Bestückungsvorgang, bei dem die Leiterplatte so mit wenigstens einem der Halbleiterchips bestückt wird, dass wenigstens einer der Lötkontakte mit der Lötpaste in Berührung kommt, einen Heizprozess, bei dem eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Leiterbahnabschnitt und dem Pad hergestellt wird. Zur Verbesserung des Lötverfahrens wird als Lötkontakt ausschließlich der Höcker verwendet, wobei dieser aus einem homogenen Metall oder einer homogenen Metalllegierung besteht. Ferner wird eine nach dem Lötverfahren hergestellte Schaltung (14) vorgeschlagen.

公开(公告)号：CH699755B1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：CH2042010

申请日：2008-08-22

Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

Inventor： COL BEAT DE ,  LEIPOLD DIRK

IPC: H01L21/02 ,  E21D13/00

Abstract: Es wird eine Halbleiterfabrik (1) mit Einrichtungen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen vorgeschlagen, bei welcher sich wenigstens ein Teil der Einrichtungen (14), (28) zur Herstellung der Halbleiterbauelemente innerhalb einer Kavität (4, 5, 7) in einer geologischen Masse (6) befindet.

公开(公告)号：DE102008039266A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：DE102008039266

申请日：2008-08-22

Applicant: ESPROS PHOTONICS AG

Inventor： COI BEAT DE ,  LEIPOLD DIRK

IPC: E21D13/00 ,  E04H5/02 ,  H01L21/02