公开(公告)号：CN110581088B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201910497180.1

申请日：2019-06-10

Applicant: FEI 公司

Inventor： P.布伦戴奇 ,  Z.克拉森 ,  C.鲁

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及用于表面平坦化的方法和设备。本文公开了用于将表面平坦化的技术。一个实例包括将样品的表面定向到带电粒子束轴，所述样品包括由第一和第二材料形成的第一层，所述第一材料图案化成多条平行线并且置于所述第二材料中，其中所述表面定向为与所述带电粒子束轴形成浅角，并将所述多条平行线垂直于所述带电粒子束轴排列；向所述表面提供带电粒子束；向所述表面提供气体；并用离子诱导的化学蚀刻选择性地向下蚀刻所述第二材料至少达到所述第一材料的顶面，由于所述带电粒子束和所述气体同时存在于所述样品表面上而刺激所述带电粒子诱导的蚀刻。

公开(公告)号：CN102971823B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180033884.5

申请日：2011-07-08

Applicant: FEI公司

Inventor： C.鲁 ,  D.克劳利 ,  E.阿戈里奥

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244

CPC classification number: G01J3/0262 ,  G01J3/0208 ,  G01J3/0278 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/95684 ,  G01N2021/8825 ,  G01N2021/95653 ,  H01J37/226 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/31749

Abstract: 一种用于处理衬底的带电粒子束系统被公开，其包括：带电粒子镜筒；组合红外辐射和可见光照射与成像子系统；真空中的光学器件；以及精密镜台，所述精密镜台用于支撑所述衬底并且将所述衬底交替地定位在所述带电粒子镜筒和所述成像系统下面。所述带电粒子镜筒和成像系统的轴被偏移，以实现对于成像和射束处理两者而言与在单个集成组件中将是可能的工作距离相比近得多的工作距离。一种用于极准确地校准所述镜筒与成像系统之间的偏移的方法被公开，实现了在所述衬底上的精确确定的位置处的射束处理。所述成像系统能够定位所述衬底上的不能够使用所述带电粒子束看见的子表面特征。两个照射模式被公开，实现了采用红外辐射和可见光的明场成像和暗场成像两者。

公开(公告)号：CN102971823A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180033884.5

申请日：2011-07-08

Applicant: FEI公司

Inventor： C.鲁 ,  D.克劳利 ,  E.阿戈里奥

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244

CPC classification number: G01J3/0262 ,  G01J3/0208 ,  G01J3/0278 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/95684 ,  G01N2021/8825 ,  G01N2021/95653 ,  H01J37/226 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/31749

Abstract: 一种用于处理衬底的带电粒子束系统被公开，其包括：带电粒子镜筒；组合红外辐射和可见光照射与成像子系统；真空中的光学器件；以及精密镜台，所述精密镜台用于支撑所述衬底并且将所述衬底交替地定位在所述带电粒子镜筒和所述成像系统下面。所述带电粒子镜筒和成像系统的轴被偏移，以实现对于成像和射束处理两者而言与在单个集成组件中将是可能的工作距离相比近得多的工作距离。一种用于极准确地校准所述镜筒与成像系统之间的偏移的方法被公开，实现了在所述衬底上的精确确定的位置处的射束处理。所述成像系统能够定位所述衬底上的不能够使用所述带电粒子束看见的子表面特征。两个照射模式被公开，实现了采用红外辐射和可见光的明场成像和暗场成像两者。

公开(公告)号：CN104217912A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410227896.7

申请日：2014-05-27

Applicant: FEI公司

Inventor： C.鲁 ,  C.D.钱德勒

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/317 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3151 ,  H01J2237/31744 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76892

Abstract: 一种用于使用聚焦离子束系统改进半导体器件的平面剥层的方法和系统。该方法包括：限定有待清除的目标区域，该目标区域包括半导体器件的铜和电介质混合层的至少一部分；将前驱气体向该目标区域引导；以及在存在该前驱气体的情况下，将聚焦离子束向该目标区域引导，由此将第一铜和电介质混合层的至少一部分清除并在被铣削的目标区域中产生一个均匀光滑的面。该前驱气体使得该聚焦离子束以与该电介质基本上相同的速率对该铜进行铣削。在优选实施例中，该前驱气体包括硝乙酸甲酯。在替代性实施例中，该前驱气体是乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝乙酸丙酯、乙酸硝基乙酯、甲氧基乙酸甲酯、或甲氧基乙酰氯。