公开(公告)号：CN1735866A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380108597.1

申请日：2003-11-12

Applicant: FEI公司

Inventor： J·特施马 ,  D·E·帕丁 ,  J·E·胡森

IPC: G06F11/00

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/31745 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

Abstract: 本发明提供用于分析诸如半导体晶片之类的对象中的缺陷的方法、装置及系统。在一个实施例中，它提供在半导体制造设备中的制造过程中表征半导体晶片中的缺陷的方法。这个方法包括以下动作。检验半导体晶片以定位缺陷。与已定位缺陷对应的位置则被存储在缺陷文件中。利用来自缺陷文件的信息把双带电粒子束系统自动导航到邻近缺陷位置。缺陷被自动识别，然后获取缺陷的带电粒子束图像。带电粒子束图像则经过分析以表征缺陷。然后，为缺陷的进一步分析确定配方。配方则被自动执行以利用带电粒子束切割缺陷的一部分。切割的部分基于带电粒子束图像分析。最后，对带电粒子束切割所暴露的表面成像，以获得关于缺陷的附加信息。

公开(公告)号：CN100458712C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200380108597.1

申请日：2003-11-12

Applicant: FEI公司

Inventor： J·特施马 ,  D·E·帕丁 ,  J·E·胡森

IPC: G06F11/00

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/31745 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

Abstract: 本发明提供用于分析诸如半导体晶片之类的对象中的缺陷的方法、装置及系统。在一个实施例中，它提供在半导体制造设备中的制造过程中表征半导体晶片中的缺陷的方法。这个方法包括以下动作。检验半导体晶片以定位缺陷。与已定位缺陷对应的位置则被存储在缺陷文件中。利用来自缺陷文件的信息把双带电粒子束系统自动导航到邻近缺陷位置。缺陷被自动识别，然后获取缺陷的带电粒子束图像。带电粒子束图像则经过分析以表征缺陷。然后，为缺陷的进一步分析确定配方。配方则被自动执行以利用带电粒子束切割缺陷的一部分。切割的部分基于带电粒子束图像分析。最后，对带电粒子束切割所暴露的表面成像，以获得关于缺陷的附加信息。