公开(公告)号：WO2020114731A1

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：PCT/EP2019/081064

申请日：2019-11-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BENGTSSON, Olof ,  PAUL, Sophie ,  KUREMYR, Tobias

IPC: H03F1/02 ,  H01L23/66 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Leistungstransistor (1) umfassend einen Transistor (2), mindestens einen Kondensator (3) und ein Gehäuse, das den Transistor (2) und den Kondensator (3) zumindest teilweise umgibt. Ein erster Anschluss (4) für einen Hochfrequenz-Eingang und eine Gate-Gleichspannungsversorgung ist an einem Gatekontakt (5) des Transistors (2) angeschlossen. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es einen Hochfrequenz-Leistungstransistor bereitzustellen, der ein besser definierbares Verhalten aufweist. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass ein zweiter Anschluss (6) an einem Drainkontakt (7) des Transistors (2) für einen Hochfrequenz-Ausgang und Drain-Gleichspannungsversorgung angeschlossen ist. An einem Sourcekontakt (8) des Transistors (2) sind ein dritter Anschluss (9) und ein vierter Anschluss (10) angeschlossen. Der erste, zweite, dritte und vierte Anschluss (4, 6, 9, 10) führen alle aus dem Gehäuse heraus. Der dritte Anschluss (9) ist über den Kondensator (3) an den Sourcekontakt (8) angeschlossen und der vierte Anschluss (10) ist über mindestens ein induktives Element (36, 11) an den Sourcekontakt (8) angeschlossen, sodass der dritte Anschluss (9) eine Hochfrequenz-Masse bereitstellt und der vierte Anschluss (10) eine potentialfreie Niederfrequenz-Masse und Source-Gleichspannungsversorgung bereitstellt.