STRAHLUNGSDETEKTOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

    公开(公告)号:WO2018153557A1

    公开(公告)日:2018-08-30

    申请号:PCT/EP2018/050501

    申请日:2018-01-10

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Strahlungsdetektor zur Detektion von THz-Strahlung basierend auf einem Feldeffekttransistor (FET) mit einer an die FET-Struktur monolithisch integrierten Antennenstruktur und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen monolithisch integrierten Detektoranordnung. Ein erfindungsgemäßer Strahlungsdetektor (100) umfasst eine Antennenstruktur (10); und eine Feldeffekttransistor-, FET-, Struktur (20) mit einem Source-Bereich (24), einem Gate-Bereich (26), und einem Drain-Bereich (28), wobei diese Bereiche (24, 26, 28) auf einem Substrat (70) angeordnet sind und durch Metallisierung voneinander unabhängige elektrisch leitfähige Elektrodenstrukturen (34, 36, 38) ausbilden, wobei die Gate-Elektrodenstruktur (36) die Source-Elektrodenstruktur (34) oder die Drain-Elektrodenstruktur (38) in einer ersten Ebene (E1 ) vollständig umschließt; sich die umschlossene Elektrodenstruktur (34, 38) bis oberhalb der Gate-Elektrodenstruktur (36) erstreckt und dort die Umschließung in einer zweiten Ebene (E2) oberhalb der ersten Ebene (E1) zumindest abschnittsweise flächig überdeckt; wobei zwischen den von der umschlossenen Elektrodenstruktur (34, 38) überdeckten Bereichen der Gate-Elektrodenstruktur (36) ein elektrisch isolierender Bereich (42) zur Ausbildung eines Kondensators (40) mit einer Metall-Isolator-Metall-, MIM-, Struktur angeordnet ist. Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellung eines Strahlungsdetektors (100) eignet sich zur Herstellung besonders bevorzugter Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors (100).

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